移相器、移相器的制备方法及天线与流程

本发明涉及通信，尤其涉及一种移相器、移相器的制备方法及天线。

背景技术：

1、常规的液晶移相器通过控制偏置电压，改变液晶介电常数，从而改变液晶传输线的相位延迟来实现移相功能，具有低剖面、成本低、无极调控的优势。但是常规液晶移相器的偏置电压与其插损和相位延迟为一一对应的关系，对于所需的某个相位延迟，其插损也是固定的，即液晶移相器本身无法进行幅度和相位的独立控制，移相的同时也会产生带来幅度的变化。但是该调整后的相位与随之调整的幅度，常常难以满足移相器所适配的系统对移相器的相位和幅度要求。

技术实现思路

1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种移相器、移相器的制备方法及天线，能够通过分隔设置的信号电极和/或参考电极和可调电介质层组成多段传输线，通过控制多段传输线的偏置电压，实现移相器的幅度和相位的矢量控制，从使移相器的幅度和相位能够满足系统使用需求。

2、本发明实施例的一方面提供了一种移相器，该移相器具体包括相对设置的第一介质基板和第二介质基板，设置在所述第一介质基板和所述第二介质基板之间的可调电介质层，第一电极层和第二电极层；所述第一电极层和所述第二电极层在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变所述可调电介质层的介电常数；其中，

3、所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极，且各所述第一子电极均与第二电极层在被施加偏置电压后产生电场；和/或，

4、所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极，且各所述第二子电极均与第一电极层在被施加偏置电压后产生电场。

5、在一些实施方式中，所述第一电极层设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧，所述第二电极层设置在所述第二介质基板靠近所述可调电介质层的一侧。

6、在一些实施方式中，所述第一电极层设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧，所述第二电极层设置在所述第二介质基板背离所述可调电介质层的一侧。

7、在一些实施方式中，所述第二电极层包括微带线。

8、在一些实施方式中，所述微带线包括直线型或者蜿蜒线。

9、在一些实施方式中，在所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极时，所述第一介质基板包括多个间隔设置的第一子介质基板，相邻所述第一子介质基板之间电连接；所述第一子电极与所述第一子介质基板一一对应设置；

10、在所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极时，所述第二介质基板包括多个间隔设置的第二子介质基板，相邻所述第二子介质基板之间电连接；所述第二子电极与所述第二子介质基板一一对应设置。

11、在一些实施方式中，所述第一电极层包括第一主体结构和连接在所述第一主体结构的长度方向上、且间隔设置的多个第一分支结构；所述第二电极层包括第二主体结构和连接在所述第二主体结构的长度方向上、且间隔设置的多个第二分支结构；一个所述第一分支结构和一个所述第二分支结构在所述介质基板上的正投影至少部分重叠；

12、当所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极时，所述第一主体结构包括多个间隔设置的第一子主体结构，所述第一子主体结构和连接在其上的所述第一分支结构构成所述第一子电极；

13、当所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极时，所述第二主体结构包括多个间隔设置的第二子主体结构，所述第二子主体结构和连接在其上的所述第二分支结构构成所述第二子电极。

14、在一些实施方式中，移相器还包括设置在所述第一介质基板背离所述介质基板一侧的第三电极层。

15、在一些实施方式中，所述第一电极层和所述第二电极层均设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧；所述第一电极层包括信号电极，所述第二电极层包括第一参考电极和第二参考电极；所述信号电极位于所述第一参考电极和所述第二参考电极之间；

16、当所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极时，所述信号电极包括多个间隔设置的子信号电极，一个所述子信号电极构成一个所述第一子电极；

17、当所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极时，所述第一参考电极包括多个间隔设置的第一子参考电极，所述第二参考电极包括多个间隔设置的第二子参考电极，所述第一子参考电极和第二子参考电极一一对应设置，且对应设置的所述第一子参考电极和第二子参考电极构成一个所述第二子电极。

18、在一些实施方式中，移相器还包括设置在所述第一介质基板背离所述介质基板一侧的第三电极层。

19、在一些实施方式中，所述可调电介质层包括液晶层。

20、本发明实施例的第二方面，提供了一种移相器的制备方法，其包括如下具体步骤：

21、提供相对设置的第一介质基板和第二介质基板；

22、形成第一电极和第二电极；所述第一电极层和所述第二电极层在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变所述可调电介质层的介电常数；其中，所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极，且各所述第一子电极均与第二电极层在被施加偏置电压后产生电场；和/或，所述第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极，且各所述第二子电极均与第一电极层在被施加偏置电压后产生电场；

23、在所述第一介质基板和所述第二介质基板之间形成可调电介质层。

24、本发明实施例的第三方面，提供了一种天线，其包括如上所述移相器。

技术特征：

1.一种移相器，其包括相对设置的第一介质基板和第二介质基板，设置在所述第一介质基板和所述第二介质基板之间的可调电介质层，第一电极层和第二电极层；所述第一电极层和所述第二电极层在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变所述可调电介质层的介电常数；其中，

2.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一电极层设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧，所述第二电极层设置在所述第二介质基板靠近所述可调电介质层的一侧。

3.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一电极层设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧，所述第二电极层设置在所述第二介质基板背离所述可调电介质层的一侧。

4.根据权利要求2或3所述的移相器，其中，所述第二电极层包括微带线。

5.根据权利要求4所述的移相器，其中，所述微带线包括直线型或者蜿蜒线。

6.根据权利要求2或3所述的移相器，其中，在所述第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极时，所述第一介质基板包括多个间隔设置的第一子介质基板，相邻所述第一子介质基板之间电连接；所述第一子电极与所述第一子介质基板一一对应设置；

7.根据权利要求2所述的移相器，其中，所述第一电极层包括第一主体结构和连接在所述第一主体结构的长度方向上、且间隔设置的多个第一分支结构；所述第二电极层包括第二主体结构和连接在所述第二主体结构的长度方向上、且间隔设置的多个第二分支结构；一个所述第一分支结构和一个所述第二分支结构在所述介质基板上的正投影至少部分重叠；

8.根据权利要求7所述的移相器，其中，还包括设置在所述第一介质基板背离所述介质基板一侧的第三电极层。

9.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一电极层和所述第二电极层均设置在所述第一介质基板靠近所述可调电介质层的一侧；所述第一电极层包括信号电极，所述第二电极层包括第一参考电极和第二参考电极；所述信号电极位于所述第一参考电极和所述第二参考电极之间；

10.根据权利要求9所述的移相器，其中，还包括设置在所述第一介质基板背离所述介质基板一侧的第三电极层。

11.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述可调电介质层包括液晶层。

12.一种移相器的制备方法，其包括：

13.一种天线，其包括：如权利要求1至12任一项所述移相器。

技术总结
本公开提供一种移相器、移相器的制备方法及天线，属于通信技术领域。本公开的移相器包括：相对设置的第一介质基板和第二介质基板，设置在第一介质基板和第二介质基板之间的可调电介质层，第一电极层和第二电极层；第一电极层和第二电极层在被施加不同的偏置电压后所产生的电场，能够改变可调电介质层的介电常数；其中，第一电极层包括多个间隔设置的第一子电极，且各第一子电极均与第二电极层在被施加偏置电压后产生电场；和/或，第二电极层包括多个间隔设置的第二子电极，且各第二子电极均与第一电极层在被施加偏置电压后产生电场。通过本公开的方案，能够实现移相器的幅度和相位的矢量控制，使移相器的幅度和相位能够满足系统使用需求。

技术研发人员：杜明相,钟鑫,曲峰,丁颖
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8