LED器件封装阵列的切割方法及LED封装器件与流程

本发明涉及led，特别是涉及一种led器件封装阵列的切割方法及led器件。

背景技术：

1、紫外led是发射紫外光的二极管，一般指发光中心波长在400nm以下的led。近年来，不同波长的紫外led已经在许多应用领域得到广泛应用。uva紫外led除了用于固化、诱蚊等领域外，还可以用于摄像头。由于紫外成像时人脸的各种瑕疵都会被放大，借助紫外相机能很好的定位晒斑、疤痕等瑕疵，然后有针对性的局部处理修容，从而在保留细节的同时，获得很不错的美颜效果。因此，uva紫外led在高端手机应用上越来越普遍。

2、uva紫外led的制备过程一般包括固晶、焊接、封装和切割。采用现有方法得到的uva紫外led如图1所示，包括基板1、led芯片2和封装胶层3。由于uva紫外led采用的是抗紫外的胶水，胶体比较软，切割后的封装胶层3上部向外延伸，且封装胶层3的四个边不一致，影响led的出光角度，比如突然引起突锋或者不对称，后续还会影响二次光学匹配。另外，在测试、编带过程中，封装胶上部的突出还会导致卡料。

技术实现思路

1、基于此，本发明的目的在于，提供一种led器件封装阵列的切割方法及led封装器件。

2、一方面，本发明提供一种led器件封装阵列的切割方法，其中，所述led器件封装阵列包括基板、多个led芯片和封装胶层，所述多个led器件设置在所述基板的正面上并呈矩阵排列，所述封装胶包覆每个led芯片并与所述基板的正面贴合；

3、令垂直于所述基板的切割刀片在所述基板正面上方的位置，沿水平于所述基板方向对所述封装胶层进行切割，形成切割道；

4、令垂直于所述基板的切割刀片再次沿所述切割道切断所述基板。

5、与现有技术的一次切割相比，本发明包括两次切割，第一次切割位置位于封装胶层底部、基板的上方，第二次切割切透基板，避免了封装胶层上部产生胶体突出，解决了测试、编带过程中的卡带问题。并且，本发明在两次切割后，靠近基板的封装胶层下部有轻微突出，由于突出位置在出光面的下部，从而不会影响器件的出光，改善了出光角度的均匀性和一致性。

6、在其中一个实施例中，令垂直于所述基板的切割刀片在所述基板正面上方0-50μm的位置，沿水平于所述基板方向对所述封装胶层进行切割，形成切割道。

7、在其中一个实施例中，所述切割道位于相邻两列或两行led芯片之间的区域，且为直线。

8、另一方面，本发明提供根据前述的切割方法得到的led封装器件，包括基板、led芯片和封装胶层，所述led芯片设置在所述基板的正面，所述封装胶层包裹所述led芯片并与所述基板的正面贴合，其特征在于，所述封装胶层的侧壁具有一凸部，所述凸部与所述基板连接。

9、在其中一个实施例中，所述凸部沿垂直于所述基板方向的高度为0-50μm。

10、在其中一个实施例中，所述凸部远离所述基板的一端的宽度大于所述凸部与所述基板的连接位的宽度。

11、在其中一个实施例中，所述led芯片与所述基板接触的一面为正方形，所述led芯片的侧边与相邻所述基板的侧边呈40-50度角。

12、在其中一个实施例中，所述基板包括基板、设置在所述基板正面的正面电极和设置在所述基板底面的底面电极，所述正面电极和所述底面电极与所述基板的边缘相隔一定距离。

13、在其中一个实施例中，所述正面电极和所述底面电极与所述基板的边缘距离50-100μm。

14、在其中一个实施例中，所述正面电极包括第一正面电极和第二正面电极，所述led芯片放置在所述第一正面电极上，所述第二正面电极有2个。

技术特征：

1.一种led器件封装阵列的切割方法，其中，所述led器件封装阵列包括基板、多个led芯片和封装胶层，所述多个led芯片设置在所述基板的正面上并呈矩阵排列，所述封装胶包覆每个led芯片并与所述基板的正面贴合；其特征在于，

2.根据权利要求1所述的led器件封装阵列的切割方法，其特征在于，令垂直于所述基板的切割刀片在所述基板正面上方0-50μm的位置，沿水平于所述基板方向对所述封装胶层进行切割，形成切割道。

3.根据权利要求2所述的led器件封装阵列的切割方法，其特征在于，所述切割道位于相邻两列或两行led芯片之间的区域，且为直线。

4.根据权利要求1-2中任一项所述切割方法得到的led封装器件，包括基板、led芯片和封装胶层，所述led芯片设置在所述基板的正面，所述封装胶层包裹所述led芯片并与所述基板的正面贴合，其特征在于，所述封装胶层的侧壁具有一凸部，所述凸部与所述基板连接。

5.根据权利要求4所述的led封装器件，其特征在于，所述凸部沿垂直于所述基板方向的高度为0-50μm。

6.根据权利要求4所述的led封装器件，其特征在于，所述凸部远离所述基板的一端的宽度大于所述凸部与所述基板的连接位的宽度。

7.根据权利要求4所述的led封装器件，其特征在于，所述led芯片与所述基板接触的一面为正方形，所述led芯片的侧边与相邻所述基板的侧边呈40-50度角。

8.根据权利要求4-7中任一项所述的led封装器件，其特征在于，所述基板包括基板、设置在所述基板正面的正面电极和设置在所述基板底面的底面电极，所述正面电极和所述底面电极与所述基板的边缘相隔一定距离。

9.根据权利要求8所述的led封装器件，其特征在于，所述正面电极和所述底面电极与所述基板的边缘距离50-100μm。

10.根据权利要求8所述的led封装器件，其特征在于，所述正面电极包括第一正面电极和第二正面电极，所述led芯片放置在所述第一正面电极上，所述第二正面电极有2个。

技术总结
本发明涉及一种LED器件封装阵列的切割方法及LED封装器件。LED器件封装阵列包括基板、多个LED芯片和封装胶层，多个LED芯片设置在基板的正面上并呈矩阵排列，封装胶包覆每个LED芯片并与基板的正面贴合。切割方法包括：令垂直于基板的切割刀片在基板正面上方的位置，沿水平于基板方向对封装胶层进行切割，形成切割道；令垂直于基板的切割刀片再次沿切割道切断基板。与现有技术相比，本发明包括两次切割，第一次切割位置位于封装胶层底部、基板的上方，第二次切割切透基板，避免了封装胶层上部产生胶体突出，解决了测试、编带过程中的卡带问题，且改善了出光角度的均匀性和一致性。

技术研发人员：麦家儿,朱明军,李玉容,吴灿标,陆紫珊,李丹伟
受保护的技术使用者：佛山市国星光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25