显示面板及制备方法与流程

本公开涉及显示，具体而言，涉及一种显示面板及制备方法。

背景技术：

1、现代显示中，oled的应用越来越普遍，与此同时，对于功耗的降低等影响，ltpo已经广为应用。

2、ltpo是low temperature polycrystalline oxide的缩写，其中文名为低温多晶氧化物。业界通过融合ltps(常见于中小尺寸oled面板)和igzo(比ltps先进，但仍存在不少问题；常见于大尺寸oled面板)两个方案的特点，推出反应速度更快、但功耗更低的ltpo方案，以解决目前智能手机的功耗问题。在此基础上，可以通过在不同区域进行不同区域的频率刷新的方式，来进行进一步的功耗降低。

3、在高分辨率显示中，对于oxide tft的尺寸持续在缩短，因此，有必要制备尺寸比较小的tft(薄膜晶体管)，比如l＝2μm或更小尺寸的tft。在ltpo以及单纯oxide的器件结构中，由于氢的扩散对于oxide tft的影响非常大。因此，有必要对oxide有源层附近的氢进行限制。相关技术中，通常采用含氧量较高的膜层，用于在有源层附近进行氢的阻挡，但其阻挡效果不明显。

4、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种显示面板及制备方法，以便于有效地提高氢的阻挡效果，控制氢的扩散。

2、根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括依次层叠设置的衬底基板、驱动层、像素层；所述像素层设置有用于显示的子像素，所述驱动层具有用于驱动所述子像素的像素驱动电路；所述像素驱动电路具有薄膜晶体管；至少一个所述薄膜晶体管为金属氧化物晶体管；

3、所述驱动层具有层叠且相邻设置的氧化硅层和半导体层，所述金属氧化物晶体管的有源层位于所述半导体层；所述氧化硅层中含有氘。

4、在本公开的一种实施方式中，所述驱动层包括依次层叠于所述衬底基板的一侧且依次相邻设置的氧化硅层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层。

5、在本公开的一种实施方式中，所述栅极绝缘层的材料为氧化硅，且含有氘。

6、在本公开的一种实施方式中，所述驱动层包括依次层叠于所述衬底基板的一侧且依次相邻设置的无机缓冲层、半导体层、氧化硅层、栅极层。

7、在本公开的一种实施方式中，所述驱动层还包括位于所述氧化硅层远离所述半导体层一侧的氮化硅层；所述氮化硅层含有氘。

8、在本公开的一种实施方式中，所述驱动层包括依次层叠于所述衬底基板的一侧且依次相邻设置的氮化硅层、氧化硅层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层。

9、在本公开的一种实施方式中，所述驱动层包括依次层叠于所述衬底基板的一侧且依次相邻设置的无机缓冲层、半导体层、氧化硅层、栅极层、氮化硅层。

10、在本公开的一种实施方式中，所述驱动层还包括设于衬底基板一侧的金属遮光层、无机缓冲层；所述氧化硅层和半导体层设置在无机缓冲层远离衬底基板的一侧。

11、根据本公开的另一个方面，提供一种显示面板的制备方法，该制备方法包括在衬底基板的一侧依次制备驱动层和像素层；其中，所述像素层设置有用于显示的子像素，所述驱动层具有用于驱动所述子像素的像素驱动电路；所述像素驱动电路具有薄膜晶体管；至少一个所述薄膜晶体管为金属氧化物晶体管；

12、制备所述驱动层包括制备层叠且相邻设置的氧化硅层和半导体层，所述金属氧化物晶体管的有源层位于所述半导体层；

13、其中，制备所述氧化硅层包括：

14、采用含有氘的前驱气体来制备所述氧化硅层。

15、在本公开的一种实施方式中，采用含有氘的前驱气体来制备所述氧化硅层包括：

16、采用ald工艺来制备所述氧化硅层。

17、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底基板、驱动层、像素层；所述像素层设置有用于显示的子像素，所述驱动层具有用于驱动所述子像素的像素驱动电路；所述像素驱动电路具有薄膜晶体管；至少一个所述薄膜晶体管为金属氧化物晶体管；

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动层包括依次层叠于所述衬底基板的一侧且依次相邻设置的氧化硅层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料为氧化硅，且含有氘。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动层包括依次层叠于所述衬底基板的一侧且依次相邻设置的无机缓冲层、半导体层、氧化硅层、栅极层。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动层还包括位于所述氧化硅层远离所述半导体层一侧的氮化硅层；所述氮化硅层含有氘。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述驱动层包括依次层叠于所述衬底基板的一侧且依次相邻设置的氮化硅层、氧化硅层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述驱动层包括依次层叠于所述衬底基板的一侧且依次相邻设置的无机缓冲层、半导体层、氧化硅层、栅极层、氮化硅层。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动层还包括设于衬底基板一侧的金属遮光层、无机缓冲层；所述氧化硅层和半导体层设置在无机缓冲层远离衬底基板的一侧。

9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括在衬底基板的一侧依次制备驱动层和像素层；其中，所述像素层设置有用于显示的子像素，所述驱动层具有用于驱动所述子像素的像素驱动电路；所述像素驱动电路具有薄膜晶体管；至少一个所述薄膜晶体管为金属氧化物晶体管；

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，采用含有氘的前驱气体来制备所述氧化硅层包括：

技术总结
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及制备方法。该显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、驱动层、像素层；所述像素层设置有用于显示的子像素，所述驱动层具有用于驱动所述子像素的像素驱动电路；所述像素驱动电路具有薄膜晶体管；至少一个所述薄膜晶体管为金属氧化物晶体管；所述驱动层具有层叠且相邻设置的氧化硅层和半导体层，所述金属氧化物晶体管的有源层位于所述半导体层；所述氧化硅层中含有氘。本公开能够有效的提高氢的阻挡效果，以控制氢的扩散。

技术研发人员：田宏伟,李然,王晶,田雪雁,李良坚
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15