太阳能电池、光伏组件的制作方法

本申请涉及光伏生产，尤其涉及一种太阳能电池、光伏组件。

背景技术：

1、在太阳能电池的制备工艺中，通常需要对半导体衬底进行清洗、制绒、扩散、抛光、刻蚀等处理工艺，通过制绒在半导体衬底上形成绒面结构，减少电池片的反射率，然而，现有的绒面结构具有统一的尺寸和形貌，无法使得电池同时满足提升电流收集效率的同时具有良好的钝化效果，导致电池的转换效率提升有限。

2、因此，如何通过制绒降低太阳能电池的光反射率的同时提升电池的钝化效果，也成为光伏产业急需解决的问题。

技术实现思路

1、本申请提供了一种太阳能电池、光伏组件，能够提升背面太阳光的光吸收的同时使得电池具有良好的钝化效果，提升电池的转换效率。

2、第一方面，本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：

3、半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；

4、位于所述半导体衬底第二表面的纹理结构，所述纹理结构具有对应于金属化区域的第一区域、对应于非金属化区域的第二区域以及位于所述第一区域和第二区域之间的第三区域，所述第一区域内具有多个第一子纹理结构，所述第二区域内具有多个第二子纹理结构，所述第三区域内具有多个第三子纹理结构，所述第一子纹理结构的尺寸小于所述第三子纹理结构的尺寸，所述第三子纹理结构的尺寸小于所述第二子纹理结构的尺寸；

5、位于所述半导体衬底第一表面的第一钝化层；

6、位于所述半导体衬底第二表面的第二钝化层。

7、第二方面，本申请实施例提供一种光伏组件，包括：

8、电池串，所述电池串由多个第一方面所述的太阳能电池连接而成；

9、封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；

10、盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。

11、本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：

12、本申请的纹理结构，其沿着第一区域、第三区域和第二区域的方向，纹理结构的尺寸依次增大，其中，第一区域对应于金属化区域，第一区域内的第一子纹理结构的尺寸最小，能够降低接触电阻，提升电池的电流收集效率，提升填充因子，从而提升电池的转换效率，第二区域对应于非金属化区域，第二区域的第二子纹理结构的尺寸最大，使得背面的太阳光反射至第二子纹理结构时可以反射较多的太阳光，增加光的反射率，提升电池对于太阳光的吸收，提升电池的钝化效果。第三区域内的第三子纹理结构相比于第一子纹理结构和第二子纹理结构而言尺寸适中，且能够在第一子纹理结构和第二子纹理结构之间形成尺寸梯度，避免了尺寸相差较大的第一子纹理结构和第二子纹理结构直接接触导致电池钝化效果变差的问题，同时有利于电池背面膜层的沉积以及均匀性。本申请的太阳能电池，通过在电池第二表面形成尺寸渐变的纹理结构，能够提升背面太阳光的光吸收的同时使得电池具有良好的钝化效果，提升电池的转换效率。

13、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。

技术特征：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：位于所述第一钝化层表面的第一电极和位于所述第二钝化层表面的第二电极。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：位于所述第二钝化层表面的第三电极。

4.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体衬底第二表面的面积与所述第三区域在所述半导体衬底上的投影面积之比为1：（0.01~0.1）。

5.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体衬底第二表面的面积与所述第一区域在所述半导体衬底上的投影面积之比为1：（0.01~0.1）。

6.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体衬底第二表面的面积与所述第二区域在所述半导体衬底上的投影面积之比为1：（0.8~0.99）。

7.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，靠近所述第一区域的所述第三子纹理结构的尺寸小于靠近所述第二区域的所述第三子纹理结构的尺寸。

8.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构的长度为2μm~15μm；和/或所述第一子纹理结构的宽度为2μm~15μm；和/或所述第一子纹理结构的高度为50nm~1000nm。

9.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三子纹理结构的长度为6μm~18μm；和/或所述第三子纹理结构的宽度为6μm~18μm；和/或所述第三子纹理结构的高度为50nm~1000nm。

10.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二子纹理结构的长度为13μm~20μm；和/或所述第二子纹理结构的宽度为13μm~20μm；和/或所述第二子纹理结构的高度为50~1000nm。

11.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构、第二子纹理结构和第三子纹理结构中的至少一种的形貌包括金字塔状、棱锥状、棱柱状、球状和笔状中的至少一种。

12.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构的粗糙度小于所述第三子纹理结构的粗糙度，所述第三子纹理结构的粗糙度小于所述第二子纹理结构的粗糙度。

13.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，太阳光在所述第一子纹理结构上的反射率小于太阳光在所述第三子纹理结构上的反射率，太阳光在所述第三子纹理结构上的反射率小于太阳光在所述第二子纹理结构上的反射率。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，太阳光在所述第一子纹理结构上的反射率为20%~35%；和/或太阳光在所述第三子纹理结构上的反射率为25%~40%；和/或太阳光在所述第二子纹理结构上的反射率为35%~45%。

15.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，多个所述第一子纹理结构背离所述半导体衬底一侧表面的总表面面积与所述第一区域在所述半导体衬底上的正投影面积之比大于多个所述第三子纹理结构背离所述半导体衬底一侧表面的总表面面积与所述第三区域在所述半导体衬底上的正投影面积之比，多个所述第三子纹理结构背离所述半导体衬底一侧表面的总表面面积与所述第三区域在所述半导体衬底上的正投影面积之比大于多个所述第二子纹理结构背离所述半导体衬底一侧表面的总表面面积与所述第二区域在所述半导体衬底上的正投影面积之比。

16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其特征在于，多个所述第一子纹理结构背离所述半导体衬底一侧表面的总表面面积与所述第一区域在所述半导体衬底上的正投影面积之比为（1.5~3.0）：1；和/或

17.一种光伏组件，其特征在于，包括：

技术总结
本申请提供了一种太阳能电池、光伏组件，太阳能电池包括半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于半导体衬底第二表面的纹理结构，纹理结构具有对应于金属化区域的第一区域、对应于非金属化区域的第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域，第一区域内具有多个第一子纹理结构，第二区域内具有多个第二子纹理结构，第三区域内具有多个第三子纹理结构，第一子纹理结构的尺寸小于第三子纹理结构的尺寸，第三子纹理结构的尺寸小于第二子纹理结构的尺寸；位于半导体衬底第一表面的第一钝化层；位于半导体衬底第二表面的第二钝化层。本申请通过在电池第二表面形成尺寸渐变的纹理结构，能够提升电池的转换效率。

技术研发人员：刘照轩,张博,金井升,张彼克,徐梦微,郭子齐,秦佳妮
受保护的技术使用者：晶科能源（海宁）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15