一种芯片阵列及微型芯片的转移方法与流程

本发明主要涉及芯片封装，具体涉及一种芯片阵列及微型芯片的转移方法。

背景技术：

1、激光转移技术是micro led芯片封装工艺过程中常用的技术手段，目前的激光转移技术是在转移基板全面覆盖一层激光反应胶，用于芯片的附着和转移。

2、目前的激光反应胶主要分为气化胶和发泡胶两类，气化胶在激光作用下气化消散，使得芯片可以从转移基板转移到封装基板上，但由于气化胶在反应时容易碎裂，导致部分胶体掉落在封装基板上，影响芯片的粘贴固定；而发泡胶在激光作用下膨胀，容易在转移芯片过程中对邻近的芯片造成干涉，导致芯片出现翻转和移位等情况，影响芯片转移的可靠性。

技术实现思路

1、本发明的目的在于克服现有技术的不足，本发明提供了一种芯片阵列及微型芯片的转移方法，所述芯片阵列通过在转移基板上设置带有激光反应胶的凹槽，通过凹槽限制激光反应胶的反应活动范围，避免激光反应胶对邻近芯片造成影响，从而提高芯片转移的可靠性。

2、本发明提供了一种芯片阵列，所述芯片阵列包括：转移基板和阵列排布在所述转移基板上的若干个芯片；

3、所述转移基板上设置有若干个凹槽，所述若干个芯片一一对应分布在所述若干个凹槽内；

4、任一所述凹槽内设置有激光反应胶，所述芯片基于所述激光反应胶粘贴在所述凹槽内。

5、进一步的，所述凹槽内设置有芯片容纳区域，所述芯片设置在所述芯片容纳区域内。

6、进一步的，所述凹槽的宽度为d1，所述芯片容纳区域的边长为d2，所述d1和所述d2之间的约束关系为：1μm≤d1-d2≤2μm。

7、进一步的，所述若干个凹槽之间间隙铺设有遮光层。

8、进一步的，所述遮光层的厚度为c；

9、所述遮光层厚度c的范围为：20nm≤c≤50nm。

10、进一步的，所述这遮光层为金属镀层，或所述遮光层为碳粉层，或所述遮光层为光吸收涂层，或所述遮光层为树脂层。

11、进一步的，所述凹槽的深度为a，所述芯片的电极厚度为b，所述激光反应胶的厚度为d；

12、所述凹槽深度a、芯片电极厚度b和激光反应胶厚度d之间的约束关系为：1.5*b≤d≤a。

13、进一步的，所述激光反应胶的光吸收率大于99％。

14、进一步的，所述激光反应胶为气化胶，或所述激光反应胶为发泡胶。

15、本发明还提供了一种微型芯片的转移方法，所述转移方法基于所述芯片阵列实现，所述转移方法包括：

16、在透光载片上刻蚀形成若干个凹槽，基于所述若干个凹槽形成凹槽阵列；

17、在所述凹槽阵列之间镀设遮光层；

18、在所述凹槽内填充激光反应胶，形成所述转移基板；

19、将芯片对应贴合在转移基板的凹槽内，形成芯片阵列；

20、将所述芯片阵列贴合在封装基板上，并通过激光转移芯片。

21、进一步的，所述在所述凹槽阵列之间镀设遮光层包括：

22、在透光载片上设置图案化光刻胶，在所述凹槽阵列中形成图案化掩膜；

23、在所述图案化掩膜形成的河道内沉积形成遮光层；

24、通过剥离液将光刻胶去除。

25、本发明提供了一种芯片阵列及微型芯片的转移方法，所述芯片阵列通过在转移基板上设置带有激光反应胶的凹槽，通过凹槽限制激光反应胶的反应活动范围，避免激光反应胶对邻近芯片造成影响，从而提高芯片转移的可靠性。

技术特征：

1.一种芯片阵列，其特征在于，所述芯片阵列包括：转移基板和阵列排布在所述转移基板上的若干个芯片；

2.如权利要求1所述的芯片阵列，其特征在于，所述凹槽内设置有芯片容纳区域，所述芯片设置在所述芯片容纳区域内。

3.如权利要求2所述的芯片阵列，其特征在于，所述凹槽的宽度为d1，所述芯片容纳区域的边长为d2；

4.如权利要求1所述的芯片阵列，其特征在于，所述若干个凹槽之间间隙铺设有遮光层。

5.如权利要求4所述的芯片阵列，其特征在于，所述遮光层的厚度为c，所述遮光层厚度c的范围为：20nm≤c≤50nm。

6.如权利要求4所述的芯片阵列，其特征在于，所述这遮光层为金属镀层，或所述遮光层为碳粉层，或所述遮光层为光吸收涂层，或所述遮光层为树脂层。

7.如权利要求1所述的芯片阵列，其特征在于，所述凹槽的深度为a，所述芯片的电极厚度为b，所述激光反应胶的厚度为d；

8.如权利要求1所述的芯片阵列，其特征在于，所述激光反应胶的光吸收率大于99％。

9.如权利要求1所述的芯片阵列，其特征在于，所述激光反应胶为气化胶，或所述激光反应胶为发泡胶。

10.一种微型芯片的转移方法，其特征在于，所述转移方法基于权利要求1至9任一所述的芯片阵列实现，所述转移方法包括：

11.如权利要求10所述的转移方法，其特征在于，所述在所述凹槽阵列之间镀设遮光层包括：

技术总结
本发明公开了一种芯片阵列，所述芯片阵列包括：转移基板和阵列排布在所述转移基板上的若干个芯片；所述转移基板上设置有若干个凹槽，所述若干个芯片一一对应分布在所述若干个凹槽内；任一所述凹槽内设置有激光反应胶，所述芯片基于所述激光反应胶粘贴在所述凹槽内。所述芯片阵列通过在转移基板上设置带有激光反应胶的凹槽，通过凹槽限制激光反应胶的反应活动范围，避免激光反应胶对邻近芯片造成影响，从而提高芯片转移的可靠性。

技术研发人员：谭孟苹,赵志学,赵龙,周鑫,郑银玲
受保护的技术使用者：佛山市国星光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15