一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法与流程

本发明涉及半导体制造，具体是一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法。

背景技术：

1、在进行suop(support open)1st wet etch(湿法蚀刻)时，middle nitride(中间氮化物)氧化界面损失的bottom oxide(底部氧化物)区域发生的蜗牛状defect(缺陷)。

2、如图2所示，tin depo(沉积)前middle nitride界面氧化膜(sio2)，在suop 1stwet etch时，bottom oxide受损；在suop 2nd etch step进行时，bottom受损。

技术实现思路

1、为克服现有技术的不足，本发明提供了一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，解决现有技术存在的底部氧化物区域发生蜗牛状缺陷等问题。

2、本发明解决上述问题所采用的技术方案是：

3、一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，在模版蚀刻进行后，通过原子层沉积技术，对暴露在大气中的氮化物界面进行氧化作用。

4、作为一种优选的技术方案，将暴露在大气中的sicn界面氧化为sio2。

5、作为一种优选的技术方案，在沉积进行前进行预清洗，将原子层沉积层去除。

6、作为一种优选的技术方案，在tin沉积进行前进行预清洗，将原子层沉积层去除。

7、作为一种优选的技术方案，预清洗采用湿法蚀刻工艺。

8、作为一种优选的技术方案，模版蚀刻采用harc蚀刻工艺。

9、作为一种优选的技术方案，依次包括如下工艺：模版蚀刻->原子层沉积->suop第一次蚀刻。

10、作为一种优选的技术方案，包括如下工艺：suop第一次蚀刻采用多晶硅回蚀工艺。

11、作为一种优选的技术方案，依次包括如下工艺：suop第一次蚀刻的suop第一次湿法蚀刻->suop第二次蚀刻。

12、作为一种优选的技术方案，该方法用于dram制造。

13、本发明相比于现有技术，具有以下有益效果：

14、(1)本发明减少了不良(defect)产生的wafer损失；

15、(2)本发明通过延长停滞时间周期来降低成本；

16、(3)本发明在没有新设备投资的情况下，利用已经使用中的工艺(alddeposition)技术，可以减少不良现象的发生，有助于半导体制造工艺的成本竞争力。

技术特征：

1.一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，在模版蚀刻进行后，通过原子层沉积技术，对暴露在大气中的氮化物界面进行氧化作用。

2.根据权利要求1所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，将暴露在大气中的sicn界面氧化为sio2。

3.根据权利要求2所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，在沉积进行前进行预清洗，将原子层沉积层去除。

4.根据权利要求3所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，在tin沉积进行前进行预清洗，将原子层沉积层去除。

5.根据权利要求3所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，预清洗采用湿法蚀刻工艺。

6.根据权利要求1所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，模版蚀刻采用harc蚀刻工艺。

7.根据权利要求1所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，依次包括如下工艺：模版蚀刻->原子层沉积->suop第一次蚀刻。

8.根据权利要求7所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，包括如下工艺：suop第一次蚀刻采用多晶硅回蚀工艺。

9.根据权利要求8所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，依次包括如下工艺：suop第一次蚀刻的suop第一次湿法蚀刻->suop第二次蚀刻。

10.根据权利要求1至9任一项所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，该方法用于dram制造。

技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，在模版蚀刻进行后，通过原子层沉积技术，对暴露在大气中的氮化物界面进行氧化作用。本发明解决了现有技术存在的底部氧化物区域发生蜗牛状缺陷等问题。

技术研发人员：崔珍善,郑锺浩,曹台勋
受保护的技术使用者：成都高真科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19