晶圆检测方法、系统、电子设备以及存储介质与流程

本申请涉及半导体检测，尤其涉及一种晶圆检测方法、系统、电子设备以及存储介质。

背景技术：

1、晶圆是半导体制造的一种基础材料，而晶圆扩膜是半导体制造过程中的一个步骤，具体地，将晶圆进行扩膜切割可以形成多个晶粒。在将晶圆投入实际应用之前，需要对其进行各方面的测试，其中包括在晶圆扩膜后利用探针对晶粒进行电性检测。

2、晶圆在扩膜后增加了晶粒之间的间距，使得晶圆在储存和转运过程中常出现晶粒重叠或晶粒倾斜的现象，这一现象导致晶粒的高度难以确定，进而导致在利用探针对晶粒进行电性检测时探针容易损坏。相关技术中采用人工目检的方法对晶粒重叠或晶粒倾斜的现象进行检查，费时费力且准确率不高，极大影响了晶粒电性检测的正常进行，从而降低了对晶圆的电性检测效率。

技术实现思路

1、本申请实施例的主要目的在于提出一种晶圆检测方法，能够提高对晶圆电性检测的效率。

2、为实现上述目的，本申请实施例的第一方面提出了一种晶圆检测方法，所述方法包括：

3、移动所述晶圆中的目标晶粒至预设的目标检测位置，并在所述目标检测位置的不同高度上依次采集所述晶圆的图像，得到对应高度下包含有所述目标晶粒的晶粒图像；

4、针对每一高度下采集得到的所述晶粒图像，提取所述晶粒图像中多个像素点的图像特征值，并从多个所述图像特征值中确定峰值特征；

5、基于不同高度下采集得到的所述晶粒图像分别对应的所述峰值特征建立峰值变化曲线，并提取所述峰值变化曲线中顶点位置对应的高度值，得到目标高度值；

6、若所述目标高度值不在预设的高度阈值范围内，确定对应的所述目标晶粒为摆放异常的晶粒。

7、在一些实施例中，在所述确定对应的所述目标晶粒为摆放异常的晶粒之后，还包括：

8、重新确定所述晶圆中的另一晶粒为所述目标晶粒，并继续确定新的所述目标晶粒的所述目标高度值，直至所述晶圆中的所有晶粒均在所述目标检测位置上确定对应的所述目标高度值时，完成所述晶圆的检测。

9、在一些实施例中，所述在所述目标检测位置的不同高度上依次采集所述晶圆的图像，得到对应高度下包含有所述目标晶粒的晶粒图像，包括：

10、通过图像采集设备，在目标检测位置的不同高度上依次采集所述晶圆的图像，其中，所述图像采集设备包括预设的对焦距离；

11、基于所述对焦距离，得到对应高度下包含有所述目标晶粒的晶粒图像。

12、在一些实施例中，所述针对每一高度下采集得到的所述晶粒图像，提取所述晶粒图像中多个像素点的图像特征值，并从多个所述图像特征值中确定峰值特征，包括：

13、对所述晶粒图像进行预处理，得到预处理后的所述晶粒图像；

14、根据预处理后的所述晶粒图像，得到所述晶粒图像中多个像素点对应的多个图像特征值，并从多个所述图像特征值中选取最大值作为峰值特征。

15、在一些实施例中，所述若所述目标高度值不在预设的高度阈值范围内，确定对应的所述目标晶粒为摆放异常的晶粒，包括：

16、若所述目标高度值不在预设的高度阈值范围内，确定距离所述图像采集设备最近的晶粒为目标晶粒，其中，所述目标晶粒为摆放异常的晶粒。

17、在一些实施例中，在所述确定对应的所述目标晶粒为摆放异常的晶粒之后，还包括：

18、根据所述晶粒图像，确定所述目标晶粒的异常晶粒坐标；

19、根据所述异常晶粒坐标，利用预设的回收机构将所述目标晶粒从所述晶圆中剥离，得到处理后的所述晶圆。

20、在一些实施例中，在所述确定所述目标晶粒的异常晶粒坐标之后，还包括：

21、获取所述晶圆的晶粒分布图；

22、根据所述异常晶粒坐标，对应标记所述晶粒分布图，得到更新后的所述晶粒分布图。

23、为实现上述目的，本申请实施例的第二方面提出了一种晶圆检测系统，所述系统包括：

24、移动模块，用于移动所述晶圆中的目标晶粒至预设的目标检测位置，并在所述目标检测位置的不同高度上依次采集所述晶圆的图像，得到对应高度下包含有所述目标晶粒的晶粒图像；

25、第一处理模块，用于针对每一高度下采集得到的所述晶粒图像，提取所述晶粒图像中多个像素点的图像特征值，并从多个所述图像特征值中确定峰值特征；

26、第二处理模块，用于基于不同高度下采集得到的所述晶粒图像分别对应的所述峰值特征建立峰值变化曲线，并提取所述峰值变化曲线中顶点位置对应的高度值，得到目标高度值；

27、结果模块，用于若所述目标高度值不在预设的高度阈值范围内，确定对应的所述目标晶粒为摆放异常的晶粒。

28、为实现上述目的，本申请实施例的第三方面提出了一种电子设备，所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一方面实施例所述的晶圆检测方法。

29、为实现上述目的，本申请实施例的第四方面提出了一种存储介质，所述存储介质为计算机可读存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面实施例所述的晶圆检测方法。

30、本申请提出的晶圆检测方法、系统、电子设备及存储介质,首先移动晶圆中的目标晶粒至预设的目标检测位置，并在目标检测位置的不同高度上依次采集晶圆的图像，得到对应高度下包含有目标晶粒的晶粒图像；可以理解的是，当晶圆中存在异常晶粒时所得到的晶粒图像，与晶圆中不存在异常晶粒时所得到的晶粒图像是不同的，尤其是晶粒图像的图像特征值上，二者并不相同；接着，针对每一高度下采集得到的晶粒图像，提取晶粒图像中多个像素点的图像特征值，并从多个图像特征值中确定峰值特征；基于不同高度下采集得到的晶粒图像分别对应的峰值特征建立峰值变化曲线，并提取峰值变化曲线中顶点位置对应的高度值，得到目标高度值；若目标高度值不在预设的高度阈值范围内，其中，预设的高度阈值是由无异常晶粒的晶圆得到的，当目标高度值超出预设的高度阈值范围时，即可确定对应的目标晶粒为摆放异常的晶粒。通过在不同高度上依次采集晶圆的晶粒图像，并从晶粒图像中的多个图像特征值中确定峰值特征，无需人工逐一观察晶粒图像即可判断是否存在异常晶粒，提高了晶圆检测的效率。

技术特征：

1.一种晶圆检测方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，在所述确定对应的所述目标晶粒为摆放异常的晶粒之后，还包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述在所述目标检测位置的不同高度上依次采集所述晶圆的图像，得到对应高度下包含有所述目标晶粒的晶粒图像，包括：

4.根据权利要求3所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述针对每一高度下采集得到的所述晶粒图像，提取所述晶粒图像中多个像素点的图像特征值，并从多个所述图像特征值中确定峰值特征，包括：

5.根据权利要求4所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述若所述目标高度值不在预设的高度阈值范围内，确定对应的所述目标晶粒为摆放异常的晶粒，包括：

6.根据权利要求5所述的晶圆检测方法，其特征在于，在所述确定对应的所述目标晶粒为摆放异常的晶粒之后，还包括：

7.根据权利要求6所述的晶圆检测方法，其特征在于，在所述确定所述目标晶粒的异常晶粒坐标之后，还包括：

8.一种晶圆检测系统，其特征在于，所述系统包括：

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7任一项所述的晶圆检测方法。

10.一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7任一项所述的晶圆检测方法。

技术总结
本申请实施例提供了一种晶圆检测方法、系统、电子设备以及存储介质，属于半导体检测技术领域。该方法包括：移动晶圆中的目标晶粒至预设的目标检测位置，并在目标检测位置的不同高度上依次采集晶圆的图像，得到对应高度下包含有目标晶粒的晶粒图像；针对每一高度下采集得到的晶粒图像，提取晶粒图像中多个像素点的图像特征值，并从多个图像特征值中确定峰值特征；基于不同高度下采集得到的晶粒图像分别对应的峰值特征建立峰值变化曲线，并提取峰值变化曲线中顶点位置对应的高度值，得到目标高度值；若目标高度值不在预设的高度阈值范围内，确定对应的目标晶粒为摆放异常的晶粒。本申请能够提高晶圆检测的效率。

技术研发人员：吴贵阳,杨应俊
受保护的技术使用者：矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12