包括标准单元的集成电路及制造该集成电路的方法与流程

文档序号:38072745发布日期:2024-05-21 20:08阅读:48来源:国知局
包括标准单元的集成电路及制造该集成电路的方法与流程

本公开涉及一种集成电路,并且更具体地,涉及一种包括标准单元的集成电路及设计该集成电路的方法。


背景技术:

1、用于处理数字信号的集成电路可以包括标准单元,并且每个标准单元可以具有独有的功能和结构。由于半导体工艺的发展,标准单元的尺寸可以减小,并且因此,用于向标准单元供电的布线可能是困难的。


技术实现思路

1、本公开提供了一种集成电路及设计该集成电路的方法,该集成电路提供减小的面积和改进的电力输送网络。

2、根据本公开的一方面,提供了一种集成电路,包括:第一单元,设置在沿第一水平方向延伸的第一行中;第二单元,设置在沿第一水平方向延伸的第二行中,第一行和第二行彼此相邻;第一电力线,在电力线层中沿第一行和第二行之间的第一边界在第一水平方向上延伸,第一电力线被配置为接收第一电源电压;第一接触部,在与第一水平方向相交的第二水平方向上从第一单元向第二单元延伸;以及第一过孔,在竖直方向上从第一接触部的底表面向第一电力线的顶表面延伸。

3、根据本公开的另一方面,提供了一种集成电路,包括:第一电力线,在电力线层中沿第一水平方向延伸,该第一电力线被配置为接收第一电源电压;多个第一接触部,该多个第一接触部中的每个第一接触部在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸,并且连接到在第二水平方向上彼此相邻的第一源/漏区和第二源/漏区;以及多个第一过孔,分别在竖直方向上从多个第一接触部的底表面向第一电力线的顶表面延伸,其中,多个第一接触部在第一水平方向上以相等的间隔布置。

4、根据本公开的另一方面,提供了一种制造集成电路的方法,该方法包括:获得包括关于集成电路的第一信息的第一输入数据,该集成电路包括多个标准单元;在电力线层中布置沿第一水平方向延伸的多条电力线;设置多个虚拟接触部,每个虚拟接触部在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸,并且与多条电力线之一重叠;基于多个虚拟接触部来布置多个标准单元;以及生成包括布局的第二信息的输出数据,该布局包括多个标准单元,其中,布置多个标准单元包括:将多个标准单元之中的第一标准单元的第一晶体管的第一源区布置为与多个虚拟接触部之中的第一虚拟接触部重叠。



技术特征:

1.一种集成电路,包括:

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一过孔与所述第一边界对准。

3.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一单元包括第一源/漏区,并且所述第二单元包括第二源/漏区,

4.根据权利要求3所述的集成电路,其中,所述第一过孔和所述第一源/漏区之间的距离等于所述第一过孔和所述第二源/漏区之间的距离。

5.根据权利要求1所述的集成电路,还包括:

6.根据权利要求5所述的集成电路,还包括:

7.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一单元包括在所述第二水平方向上延伸的至少两个栅电极,所述至少两个栅电极具有第一间距,并且

8.根据权利要求1所述的集成电路,还包括:在所述第二水平方向上延伸的多个栅电极,所述多个栅电极具有第一间距,

9.根据权利要求1所述的集成电路,还包括:平行于所述第一接触部在所述第二水平方向上延伸的第三接触部,

10.根据权利要求1所述的集成电路,还包括:

11.根据权利要求1所述的集成电路,还包括:

12.根据权利要求11所述的集成电路,其中,所述第二过孔与所述第二边界对准。

13.根据权利要求11所述的集成电路,其中,所述第三单元包括第三源/漏区,并且所述第四单元包括第四源/漏区,

14.根据权利要求13所述的集成电路,其中,所述第二过孔和所述第三源/漏区之间的距离等于所述第二过孔和所述第四源/漏区之间的距离。

15.一种集成电路,包括:

16.根据权利要求15所述的集成电路,还包括:

17.根据权利要求16所述的集成电路,其中,所述多个第二接触部在所述第二水平方向上分别与所述多个第一接触部对准。

18.根据权利要求15所述的集成电路,还包括:

19.根据权利要求15所述的集成电路,还包括:多个第四接触部,每个第四接触部在所述第二水平方向上延伸,连接到在所述第二水平方向上彼此相邻的第七源/漏区和第八源/漏区,并且在所述第一水平方向上与所述多个第一接触部交替地设置,

20.一种制造集成电路的方法,所述方法包括:


技术总结
提供了一种集成电路,包括:第一单元和第二单元,设置在沿第一水平方向延伸的第一行和第二行中;第一电力线,在电力线层中沿第一行和第二行之间的边界在第一水平方向上延伸;第一接触部,在与第一水平方向交叉的第二水平方向上从第一单元向第二单元延伸;以及第一向下过孔,在竖直方向上从第一接触部的底表面向第一电力线的顶表面延伸。

技术研发人员:俞炫圭,金旴泰,金柱延,都桢湖,柳志秀,李昇映
受保护的技术使用者:三星电子株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/5/20
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1