一种GaN器件的制备方法及GaN器件与流程

本发明涉及gan器件，尤其涉及一种gan器件的制备方法及gan器件。

背景技术：

1、在传统的氮化镓(gan)器件中，在algan层和氮化镓层的界面处会形成二维电子气，并且二维电子气的阻值较高，从而会导致器件的导通电阻较高，器件的发热增多，性能下降。

技术实现思路

1、本发明提供了一种gan器件的制备方法及gan器件，可以降低二维电子气的阻值，使得器件的发热减少，性能提高。

2、根据本发明的一方面，提供了一种gan器件的制备方法，包括：

3、在衬底结构上形成氮化镓层；

4、在氮化镓层远离衬底结构的一侧形成algan层；

5、对algan层进行清洗处理；

6、通过氧气对清洗处理后的algan层的表面进行等离子体处理。

7、可选的，通过氧气对清洗处理后的algan层的表面进行等离子体处理，包括：

8、在氧气的等离子室中进行氧气的等离子体处理，通入氧气的流量为4000sccm，等离子室的压力为1500mt，功率为800w。

9、可选的，对algan层进行清洗处理，包括：

10、通过有机溶剂或者无机溶剂对algan层进行清洗处理。

11、可选的，无机溶剂包括氨水、盐酸、硫酸和氢氟酸中的任意一种；

12、有机溶剂包括羟基多巴胺溶剂。

13、可选的，在氮化镓层远离衬底结构的一侧形成algan层之后，还包括：

14、在algan层远离氮化镓层的一侧制备p-gan层。

15、可选的，在通过氧气对清洗处理后的algan层的表面进行等离子体处理之后，还包括：

16、在p-gan层远离algan层的一侧形成钝化层；

17、在钝化层远离p-gan层的一侧形成二氧化硅层；

18、通过刻蚀二氧化硅层和钝化层形成第一通孔、第二通孔和第三通孔；其中，第三通孔位于第一通孔远离第二通孔的一侧；第一通孔贯穿二氧化硅层和钝化层至p-gan层，第一通孔在p-gan层的垂直投影位于p-gan层内，第二通孔和第三通孔贯穿二氧化硅层和钝化层至algan层；

19、在第一通孔、第二通孔和第三通孔内部沉积金属，形成栅极金属、源极金属和漏极金属。

20、可选的，在第一通孔、第二通孔和第三通孔内部沉积金属，形成栅极金属、源极金属和漏极金属，包括：

21、通过物理气相沉积在第一通孔、第二通孔和第三通孔内部沉积金属，形成栅极金属、源极金属和漏极金属。

22、可选的，钝化层的材料包括氮化硅和二氧化硅中的任意一种。

23、根据本发明的另一方面，提供了一种gan器件，采用本发明实施例任意的gan器件的制备方法制备。

24、本发明实施例技术方案提供的gan器件的制备方法，包括：在衬底结构上形成氮化镓层；在氮化镓层远离衬底结构的一侧形成algan层；对algan层进行清洗处理；通过氧气对清洗处理后的algan层的表面进行等离子体处理。可以使得algan层的表面失配应变，使得内层中的algan遇到内应力导致自发极化，增加二维电子气的浓度，使得导通电流增大，在电压不变的条件下，二维电子气的阻值降低，器件的导通电阻减小，使得器件的发热减少，性能提高。

25、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种gan器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的gan器件的制备方法，其特征在于，通过氧气对清洗处理后的所述algan层的表面进行等离子体处理，包括：

3.根据权利要求1所述的gan器件的制备方法，其特征在于，对所述algan层进行清洗处理，包括：

4.根据权利要求3所述的gan器件的制备方法，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的gan器件的制备方法，其特征在于，在所述氮化镓层远离衬底结构的一侧形成algan层之后，还包括：

6.根据权利要求5所述的gan器件的制备方法，其特征在于，在通过氧气对清洗处理后的所述algan层的表面进行等离子体处理之后，还包括：在所述p-gan层远离所述algan层的一侧形成钝化层；

7.根据权利要求6所述的gan器件的制备方法，其特征在于，在所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔内部沉积金属，形成栅极金属、源极金属和漏极金属，包括：

8.根据权利要求7所述的gan器件的制备方法，其特征在于：

9.一种gan器件，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的gan器件的制备方法制备。

技术总结
本发明公开了一种GaN器件的制备方法及GaN器件，制备方法包括：在衬底结构上形成氮化镓层；在所述氮化镓层的一侧形成AlGaN层；对所述AlGaN层进行清洗处理；通过氧气对清洗处理后的所述AlGaN层的表面进行等离子体处理。本发明可以降低二维电子气的阻值，使得器件的发热减少，性能提高。

技术研发人员：欧阳爵,张啸,张礼杰,周建军
受保护的技术使用者：英诺赛科（珠海）科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/21