封装结构及其形成方法与流程

本发明涉及集成电路制造，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。

背景技术：

1、qfn(quad flat no-leads package，方形扁平无引脚封装)是一种常用的封装方式。qfn封装方式具有电和热性能良好、体积小、重量轻、开发成本低等优点，适合应用在手机、数码相机、pda以及其他便携小型电子设备的高密度印刷电路板上。当前在对芯片进行qfn封装时，需要对金属框架进行半刻蚀(halfetching)来形成引脚和基岛，之后再通过引线连接芯片和引脚，并在金属框架上塑封芯片和引线。但是，通过半刻蚀工艺来形成引脚和基岛的方法较为复杂，刻蚀终点较难控制，从而增大了封装结构的制造成本，且易导致封装结构制造效率和良率的降低。

2、因此，如何简化封装结构的制造工艺，降低封装结构的制造难度和制造成本，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本发明提供一种封装结构及其形成方法，用于简化封装结构的制造工艺，并降低封装结构的制造难度和制造成本。

2、根据一些实施例，本发明提供了一种封装结构，包括：

3、框架，所述框架包括引脚结构，所述引脚结构包括多个分立的引脚，所述框架包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面；

4、芯片，所述芯片位于所述框架的所述第一表面上方且与所述引脚电连接；

5、塑封层，所述塑封层包覆所述芯片，且所述塑封层连续覆盖所述框架的所述第一表面和所述第二表面并填充满相邻所述引脚之间的间隙。

6、在一些实施例中，所述框架还包括基岛，所述引脚结构中的多个所述引脚围绕所述基岛的外周分布，所述芯片连接于所述基岛上；所述封装结构还包括：

7、散热结构，所述散热结构位于所述框架的所述第二表面上，且所述散热结构覆盖于所述基岛背离所述芯片的表面上。

8、在一些实施例中，还包括：

9、导电凸块，所述导电凸块位于所述框架的所述第二表面上，且所述导电凸块与所述引脚电连接，所述导电凸块部分嵌入所述塑封层内。

10、在一些实施例中，所述芯片包括沿所述第一方向相对分布的正面和背面，所述芯片的正面上具有焊盘，所述芯片的背面贴装于所述基岛上；所述封装结构还包括：

11、引线，所述引线位于所述塑封层内，且所述引线的一端与所述芯片电连接、另一端与所述引脚电连接。

12、在一些实施例中，所述芯片包括沿所述第一方向相对分布的正面和背面，所述芯片的正面上具有导电凸点；

13、所述芯片的正面与所述基岛相对分布，且所述导电凸点与所述基岛电连接。

14、根据另一些实施了，本发明还提供了一种封装结构的形成方法，包括如下步骤：

15、形成框架，所述框架包括引脚结构，所述引脚结构包括分立的多个引脚，所述框架包括沿所述第一方向相对分布的第一表面和第二表面；

16、连接芯片于所述框架的所述第一表面上，且电连接所述芯片与所述引脚；

17、形成包覆所述芯片的塑封层，且所述塑封层连续覆盖所述框架的所述第一表面和所述第二表面并填充满相邻所述引脚之间的间隙。

18、在一些实施例中，形成框架的具体步骤包括：

19、提供初始框架；

20、图案化所述初始框架，形成沿所述第一方向贯穿所述初始框架的第一开口，多个所述第一开口将所述初始框架分隔为基岛和围绕所述基岛的外周分布的多个所述引脚，以形成包括所述基岛和多个所述引脚的所述框架。

21、在一些实施例中，图案化所述初始框架的具体步骤包括：

22、形成覆盖于所述初始框架的底面上的初始牺牲层；

23、图案化所述初始框架和所述初始牺牲层，形成沿所述第一方向贯穿所述初始框架的第一开口，并形成沿所述第一方向贯穿所述初始牺牲层的第二开口，多个所述第一开口将所述初始框架分隔为基岛和围绕所述基岛的外周分布的多个所述引脚，多个所述第二开口将所述初始牺牲层分隔为位于所述基岛下方的第一牺牲层和位于所述引脚下方的第二牺牲层。

24、在一些实施例中，图案化所述初始框架和所述初始牺牲层，形成沿所述第一方向贯穿所述初始框架的第一开口，并形成沿所述第一方向贯穿所述初始牺牲层的第二开口的具体步骤包括：

25、刻蚀所述初始框架，形成沿所述第一方向贯穿所述初始框架的所述第一开口，所述第一开口暴露部分的所述初始牺牲层；

26、沿所述第一开口对暴露的所述初始牺牲层进行曝光处理和显影处理，沿所述第一方向贯穿所述初始牺牲层的所述第二开口。

27、在一些实施例中，形成包覆所述芯片的塑封层之后，还包括如下步骤：

28、去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成暴露所述基岛的第一沟槽和暴露所述引脚的第二沟槽；

29、形成至少部分位于所述第一沟槽内的散热结构，并形成至少部分位于所述第二沟槽内的导电凸块，所述导电凸块与所述引脚电连接。

30、本发明提供的封装结构及其形成方法，所述塑封层连续包覆框架和芯片基岛，且所述塑封层连续覆盖所述框架的所述第一表面和所述第二表面并填充满相邻所述引脚之间的间隙，实现了塑封层对整个框架的包裹，提高了封装结构整体的稳定性和可靠性，并有助于改善封装结构的批量生产性能。本发明一些实施例在形成引脚的过程中无需使用半刻蚀工艺，而是通过将初始框架刻穿来形成引脚，从而简化了封装结构的制造工艺，降低了封装结构的制造难度，并有助于进一步改善封装结构的批量生产性能。本发明一些实施例中的芯片能够通过基岛背面的散热结构直接散热，增强了所述封装结构的散热效果，从而进一步改善了所述封装结构的性能。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架还包括基岛，所述引脚结构中的多个所述引脚围绕所述基岛的外周分布，所述芯片连接于所述基岛上；所述封装结构还包括：

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述芯片包括沿所述第一方向相对分布的正面和背面，所述芯片的正面上具有焊盘，所述芯片的背面贴装于所述基岛上；所述封装结构还包括：

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片包括沿所述第一方向相对分布的正面和背面，所述芯片的正面上具有导电凸点；

6.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

7.根据权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成框架的具体步骤包括：

8.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，图案化所述初始框架的具体步骤包括：

9.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，图案化所述初始框架和所述初始牺牲层，形成沿所述第一方向贯穿所述初始框架的第一开口，并形成沿所述第一方向贯穿所述初始牺牲层的第二开口的具体步骤包括：

10.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成包覆所述芯片的塑封层之后，还包括如下步骤：

技术总结
本发明涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括：框架，所述框架包括引脚结构，所述引脚结构包括多个分立的引脚，所述框架包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面；芯片，所述芯片位于所述框架的所述第一表面上方且与所述引脚电连接；塑封层，所述塑封层包覆所述芯片，且所述塑封层连续覆盖所述框架的所述第一表面和所述第二表面并填充满相邻所述引脚之间的间隙。本发明提高了封装结构整体的稳定性和可靠性，并简化了封装结构的制造工艺。

技术研发人员：刘在福,郭瑞亮,焦洁
受保护的技术使用者：苏州通富超威半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/24