电容器组件的制作方法

文档序号:36974030发布日期:2024-02-07 13:25阅读:20来源:国知局
电容器组件的制作方法

本公开涉及一种电容器组件。


背景技术:

1、多层陶瓷电容器(mlcc)(一种电容器组件)具有诸如紧凑、保证高电容和易于安装的优点。

2、近来,陶瓷电子组件(详细地,多层电容器)具有显著增大的电容。为了确保容量,层压的层的数量应增大。然而,为了增大层压的层的数量,介电层和内电极需要减薄。

3、由于内电极减薄,可能增加电极的断开从而导致容易遭受湿气渗透并且降低片强度。


技术实现思路

1、本公开的一方面在于提供一种具有改善的耐湿可靠性和增强的片强度的电容器组件。

2、根据本公开的一方面,一种电容器组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述内电极包括镍和合金元素;以及外电极,设置在所述主体上以连接到所述内电极。所述内电极包括合金区域和合金元素区域。



技术特征:

1.一种电容器组件,包括:

2.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述合金元素区域包括锡作为主要组分。

3.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述合金元素区域是其中所述合金元素用作主要组分的区域。

4.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述合金元素包括锡。

5.根据权利要求4所述的电容器组件,其中,所述合金元素还包括硅、铝、镁、铁、磷、锌、镝、铜和它们的合金中的一种或更多种。

6.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述合金元素区域相对于整个所述内电极满足5%至60%的面积分数。

7.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述内电极使用所述合金元素的重量相对于导电膏的总重量在0.01wt%至15wt%的范围内的导电膏形成。

8.根据权利要求7所述的电容器组件,其中,所述导电膏中包括表面上涂覆有所述合金元素的镍粉末颗粒。

9.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述内电极具有0.41μm或更小的平均厚度。

10.根据权利要求1或9所述的电容器组件,其中,所述介电层具有0.4μm或更小的平均厚度。

11.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,内电极的连接性为70%或更大,所述内电极的连接性被定义为所述内电极的实际长度与所述内电极的整个长度的比率。

12.一种电容器组件,包括

13.根据权利要求12所述的电容器组件,所述合金元素区域包括铝为主要组分。

14.根据权利要求12所述的电容器组件,所述合金元素区域是其中所述合金元素用作主要组分的区域。

15.根据权利要求12所述的电容器组件,所述合金元素包括铝。

16.根据权利要求15所述的电容器组件,所述合金元素还包括硅、镁、锡、铁、磷、锌、镝、铜和它们的合金中的一种或更多种。

17.根据权利要求12所述的电容器组件,其中,所述合金元素区域相对于整个所述内电极的面积分数满足5%至60%。

18.根据权利要求12所述的电容器组件,其中,所述内电极使用所述合金元素的重量相对于导电膏的总重量在0.01wt%至15wt%的范围内的导电膏形成。

19.根据权利要求18所述的电容器组件,其中,所述导电膏包括表面上涂覆有所述合金元素的镍粉末颗粒。

20.根据权利要求12所述的电容器组件,其中,所述内电极具有0.41μm或更小的平均厚度。

21.根据权利要求12或20所述的电容器组件,其中,所述介电层具有0.4μm或更小的平均厚度。

22.根据权利要求12所述的电容器组件,其中,内电极的连接性为70%或更大,所述内电极的连接性被定义为所述内电极的实际长度与所述内电极的整个长度的比率。

23.一种电容器组件,包括:

24.根据权利要求23所述的电容器组件,所述合金元素区域包括作为主要组分的硅。

25.根据权利要求23所述的电容器组件,其中,所述合金元素区域相对于整个所述内电极满足5%至60%的面积分数。

26.根据权利要求23所述的电容器组件,其中,所述内电极使用所述合金元素的重量相对于导电膏的总重量在0.01wt%至15wt%的范围内的导电膏形成。

27.根据权利要求26所述的电容器组件,其中,所述导电膏包括表面上涂覆有所述合金元素的镍粉末颗粒。

28.根据权利要求23所述的电容器组件,其中,所述内电极具有0.41μm或更小的平均厚度。

29.根据权利要求23或28所述的电容器组件,其中,所述介电层具有0.4μm或更小的平均厚度。

30.根据权利要求23所述的电容器组件,其中,内电极的连接性为70%或更大,所述内电极的连接性被定义为所述内电极的实际长度与所述内电极的整个长度的比率。


技术总结
本发明提供一种电容器组件,所述电容器组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述内电极包括镍和合金元素;以及外电极,设置在所述主体上以连接到所述内电极。所述内电极包括合金区域和合金元素区域。

技术研发人员:宋俊日,吴范奭,申旴澈,安秉禄,车炅津
受保护的技术使用者:三星电机株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/2/6
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