一种移动存储装置的封装工艺的制作方法

本发明属于移动存储装置的，涉及一种移动存储装置的封装工艺。

背景技术：

1、环氧树脂分子包含环氧基、醚键和羟基等活性基团，使其具有出色的内聚力。此外，环氧树脂还显示出优异的耐高温性、耐化学性和粘接性能。然而，在高交联度条件下，可能会出现柔韧性差、脆性高的缺陷。为充分发挥环氧树脂和丙烯酸的优势，弥补彼此的不足，我们采用丙烯酸对环氧树脂进行改性。此举不仅能提高耐热性、耐水性，而且还能增强高力学强度等特性。

2、氧化铝在导热、绝缘方面具有独特优势，常作为导热绝缘胶黏剂的重要填充料。然而，氧化铝表面极性较强，与有机树脂基体的相溶性欠佳。氧化铝粒子容易团聚，在聚合物中难以均匀分散。此外，氧化铝填料自身热导率不高。为制备具有良好导热性能的胶黏剂，我们通常提高填充量。然而，高填充会导致复合胶黏剂黏度增大，难以满足流动性要求，同时也可能降低复合胶黏剂的力学性能。另外，氧化铝与有机树脂在表面张力上存在差异，使得树脂基体难以润湿粒子表面，从而在界面处引入空隙，导致复合胶黏剂界面热阻增大。为改善氧化铝与树脂基体的相溶性，我们需要对氧化铝进行表面改性处理。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种移动存储装置的封装工艺，本发明通过对填料进行改性，降低树脂材料体系的黏度，促进填料在体系中的分散性，进行显著提高了树脂胶的导热性能和剥离强度。

2、本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

3、一种移动存储装置的封装工艺，所述封装工艺包括以下步骤：

4、1)将控制器、电器元件和存储芯片通过树脂胶初步固定在基板上；

5、2)将控制器、电器元件和存储芯片与基板之间通过锡膏进行焊接；

6、3)在存储芯片、控制器、电器元件与基板的上表面之间焊接金线，并进行回流焊，得到半成品；

7、4)检测半成品焊接情况，完成焊接的半成品进行h2测试；

8、5)完成h2测试后进行外壳组装，对外壳的外表面进行镭雕后，进行封装，即完成加工。

9、作为本发明的一种优选技术方案，所述镭雕的参数为400-3500nm的激光波长、5-12w功率，0.1-220khz的频率、0.01-50000mm/s激光走线速度，0.01-6mm填充间距。

10、作为本发明的一种优选技术方案，所述基板的表面含有金属膜层，所述金属膜层含有cu元素、ni元素、zn元素和ti元素中的一种或多种。

11、作为本发明的一种优选技术方案，所述树脂胶的制备方法包括以下步骤：

12、s1、将混合填料加热干燥后，加入偶联剂高速搅拌后，制得改性填料；

13、s2、将环氧树脂进行加热熔融，加入混合体搅拌混合，加入丙烯酸和催化剂升温处理后，分批加入改性bn和改性填料并搅拌混合后，得到预制料；

14、s3、向预制料加入固化剂和溶剂搅拌均匀后，固化后，得到树脂胶。

15、作为本发明的一种优选技术方案，在步骤s1中，所述加热干燥的条件为在70-80℃温度下、干燥2-2.5h；所述高速搅拌的条件为在1000-1200r/min下、搅拌混合30-45min；所述混合填料由三种粒径比为12：5：1.5、重量份比为5：3：2的填料混合而成；所述填料为氧化铝；所述混合填料与偶联剂的质量比为15：1；所述偶联剂为硅烷偶联剂和钛酸酯偶联剂中的一种或两种。

16、作为本发明的一种优选技术方案，在步骤s2中，所述加热熔融的温度为90-95℃；所述分批加入的条件为采用等量分4批加入；所述升温处理的条件为加热至105-115℃后、保温1.5h；所述搅拌混合的条件为在90℃下、搅拌混合15-20min；所述混合体由对苯二酚和对羟基苯甲醚按质量比3：2混合而成；所述催化剂为三苯基膦；所述环氧树脂、混合体、丙烯酸、催化剂、改性bn和改性填料的质量比为30：0.40-0.45：10：0.37-0.42：20-22：60-65。

17、作为本发明的一种优选技术方案，在步骤s3中，所述搅拌均匀的时间为2-3h；所述预制料、固化剂和溶剂的质量比为100：1.5-1.8：25；所述固化剂为2-甲基咪唑和二氰二氨按质量比1：3混合而成；所述溶剂为2-丁酮。

18、作为本发明的一种优选技术方案，在步骤s2中，所述改性bn的制备方法包括以下步骤：

19、s11、将硅烷偶联剂、乙醇和去离子搅拌混合后，得到混合液；

20、s12、将bn分散于碱性溶液中进行超声处理，离心分离取固体加入混合液加热反应后，离心分离取固体进行干燥，得到预制体；

21、s13、将预制体、甲苯和全氢聚硅氮烷混合后，超声反应后，离心分离除去甲苯后，干燥后，得到改性bn。

22、作为本发明的一种优选技术方案，在步骤s11中，所述硅烷偶联剂为硅烷偶联剂kh570；所述硅烷偶联剂、乙醇和去离子水的质量比为2：70：25；在步骤s12中，所述碱性溶液为12％质量浓度的氢氧化钠水溶液；所述bn与氢氧化钠水溶液的质量比为1：9.0-9.5；所述超声处理的条件为在70-75℃、超声3.2-3.8h；所述加热反应的条件为在60-65℃下、反应3h；所述bn与混合液的质量比为1：1.0-1.5。

23、作为本发明的一种优选技术方案，在步骤s13中，所述预制体、甲苯和全氢聚硅氮烷的质量比为1.0-1.2：100：2.2；所述超声反应的条件为在60℃温度下、反应2h；所述干燥的条件为在2.45ghz的微波频率下、处理5min、在65-70℃温度下、干燥10h。

24、本发明的有益效果：

25、(1)本发明通过将元器件焊接在基本上，并且其通过树脂胶进行初步固定，树脂胶提供良好的导热性能，通过设计了回流焊工艺，回流焊工艺能保证金线的有效焊接，保证产品焊接质量的一致性。

26、(2)通过将不同粒径的氧化铝进行复配，能够优化混合填料堆砌，形成更为紧密的结构，从而促进导热通路的形成，使得这种树脂体系的热导率得到显著提高。

27、(3)通过氢氧化钠和偶联剂对氮化硼进行改性处理，使其表面羟基基团与聚硅氮烷发生反应，得到了改性氮化硼。这种改性氮化硼能够有效地分散在有机溶剂中，并显著提高材料的剥离强度，进一步改善了氮化硼填充环氧树脂材料的导热性能。

28、(4)通过丙烯酸对环氧树脂进行开环酯化反应，在催化剂和混合体的作用下，能够有效降低树脂体系的黏度，促进填料在树脂体系中的分散。同时，丙烯酸对环氧树脂进行改性能显著提高了环氧树脂的导热性能和剥离强度。

29、(5)将复配混合体作为阻聚剂，能够协同增强阻聚效果，显著提高树脂的贮存稳定性，并基本避免胶化的发生。相比之下，单独使用阻聚剂的阻聚效果相对较差，对环氧树脂自身聚合抑制能力较弱，不利于丙烯酸对环氧树脂反应的进行。

技术特征：

1.一种移动存储装置的封装工艺，其特征在于，所述封装工艺包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种移动存储装置的封装工艺，其特征在于：所述镭雕的参数为400-3500nm的激光波长、5-12w功率，0.1-220khz的频率、0.01-50000mm/s激光走线速度，0.01-6mm填充间距。

3.根据权利要求1所述的一种移动存储装置的封装工艺，其特征在于：所述基板的表面含有金属膜层，所述金属膜层含有cu元素、ni元素、zn元素和ti元素中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种移动存储装置的封装工艺，其特征在于，所述树脂胶的制备方法包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种移动存储装置的封装工艺，其特征在于：在步骤s1中，所述加热干燥的条件为在70-80℃温度下、干燥2-2.5h；所述高速搅拌的条件为在1000-1200r/min下、搅拌混合30-45min；所述混合填料由三种粒径比为12：5：1.5、重量份比为5：3：2的填料混合而成；所述填料为氧化铝；所述混合填料与偶联剂的质量比为15：1；所述偶联剂为硅烷偶联剂和钛酸酯偶联剂中的一种或两种。

6.根据权利要求4所述的一种移动存储装置的封装工艺，其特征在于：在步骤s2中，所述加热熔融的温度为90-95℃；所述分批加入的条件为采用等量分4批加入；所述升温处理的条件为加热至105-115℃后、保温1.5h；所述搅拌混合的条件为在90℃下、搅拌混合15-20min；所述混合体由对苯二酚和对羟基苯甲醚按质量比3：2混合而成；所述催化剂为三苯基膦；所述环氧树脂、混合体、丙烯酸、催化剂、改性bn和改性填料的质量比为30：0.40-0.45：10：0.37-0.42：20-22：60-65。

7.根据权利要求4所述的一种移动存储装置的封装工艺，其特征在于：在步骤s3中，所述搅拌均匀的时间为2-3h；所述预制料、固化剂和溶剂的质量比为100：1.5-1.8：25；所述固化剂为2-甲基咪唑和二氰二氨按质量比1：3混合而成；所述溶剂为2-丁酮。

8.根据权利要求4或6所述的一种移动存储装置的封装工艺，其特征在于：在步骤s2中，所述改性bn的制备方法包括以下步骤：

9.根据权利要求8所述的一种移动存储装置的封装工艺，其特征在于：在步骤s11中，所述硅烷偶联剂为硅烷偶联剂kh570；所述硅烷偶联剂、乙醇和去离子水的质量比为2：70：25；在步骤s12中，所述碱性溶液为12％质量浓度的氢氧化钠水溶液；所述bn与氢氧化钠水溶液的质量比为1：9.0-9.5；所述超声处理的条件为在70-75℃、超声3.2-3.8h；所述加热反应的条件为在60-65℃下、反应3h；所述bn与混合液的质量比为1：1.0-1.5。

10.根据权利要求8所述的一种移动存储装置的封装工艺，其特征在于：在步骤s13中，所述预制体、甲苯和全氢聚硅氮烷的质量比为1.0-1.2：100：2.2；所述超声反应的条件为在60℃温度下、反应2h；所述干燥的条件为在2.45ghz的微波频率下、处理5min、在65-70℃温度下、干燥10h。

技术总结
本发明涉及一种移动存储装置的封装工艺，属于移动存储装置的技术领域。所述封装工艺包括以下步骤：1)将控制器、电器元件和存储芯片通过树脂胶初步固定在基板上；2)将控制器、电器元件和存储芯片与基板之间通过锡膏进行焊接；3)在存储芯片、控制器、电器元件与基板的上表面之间焊接金线，并进行回流焊，得到半成品；4)检测半成品焊接情况，完成焊接的半成品进行H2测试；5)完成H2测试后进行外壳组装，对外壳的外表面进行镭雕后，进行封装，即完成加工。本发明通过对封装工艺的树脂胶配方进行优化，通过对填料进行改性，降低树脂材料体系的黏度，促进填料在体系中的分散性，进行显著提高了树脂胶的导热性能和剥离强度。

技术研发人员：周福池,谢兴,叶元彬,彭伟华,周旺英,张学义
受保护的技术使用者：韶关朗科半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4