无地线祼线与连接器的端接结构的制作方法

本发明属于连接器，尤其涉及无地线祼线与连接器的端接结构。

背景技术：

1、图1示出的是现有技术无地线祼线的结构示意图，该祼线用于高速信号传输，由内向外依次包括导体、绝缘内被、铝箔及背胶和麦拉，其中导体提供电信号传输通道，绝缘内被对导体提供绝缘保护，铝箔为高速信号传输的地回流路径，背胶起到提高铝箔韧性和强度的作用，麦拉为绝缘薄膜緾绕在祼线的最外层，保护祼线内部结构。

2、图2示出的是现有技术实现祼线与连接器端连接的结构示意图，祼线上的铝箔部分暴露后通过压接或焊接的方式被固定，而部分暴露铝箔均需要在端接前通过激光烧蚀的方法去除铝箔外层的麦拉与背胶，在烧蚀过程中，铝箔受高温影响，以及附着其上的背胶被破坏，导致铝箔失去背胶增强而变跪，在与连接器压接或焊接过程中，铝箔发生开裂，影响地回路的电导通；而由于铝是一种可焊性极差的金属，焊接过程存在空焊、冷焊、假焊等不良，焊接品质不稳定；同时，由于烧蚀后的铝箔强度与韧性不足，在线缆使用过程中，外部祼线摇摆力量传递至铝箔端接处，使端接处铝箔开裂甚至断开。

技术实现思路

1、本申请针对上述技术问题提出无地线祼线与连接器的端接结构，具体技术方案如下：

2、无地线祼线与连接器的端接结构，包括连接器、与连接器连接的无地线祼线，所述无地线祼线包括导体以及位于导体外部的屏蔽层，所述屏蔽层与连接器的接地件电性连接；

3、所述屏蔽层包括相互叠合的一金属箔层以及一绝缘层；

4、所述屏蔽层包括主体部以及连到所述主体部的末端的上翻折部，所述上翻折部向外翻折以使上翻折部的金属箔层暴露于最外侧；

5、所述接地件焊接固定于连接器的接地垫上，所述无地线祼线的端部受压于接地件与连接器之间并使上翻折部的金属箔层与接地件电性连接。

6、进一步的，所述金属箔层为铝箔。

7、进一步的，所述绝缘层包括背胶和麦拉，所述背胶贴合于铝箔。

8、进一步的，所述上翻折部在宽度上至少包括一平面；

9、或一平面及连接于该平面沿径向剖面的周长延伸的弧面。

10、进一步的，所述接地件包括对上翻折部的金属箔层施压的导电接触部、由导电接触部两侧延伸形成的侧翼以及设置在侧翼延伸方向末端的焊接脚，所述焊接脚与连接器的接地垫固定时，无地线祼线的端部受压固定于导电接触部与侧翼之间。

11、进一步的，所述导电接触部上具有向侧翼方向设置的凸起。

12、进一步的，所述导电接触部上具有通孔。

13、进一步的，所述焊接脚沿侧翼的长度方向间隔设置。

14、本发明的有益效果为：本发明将绝缘内被外的铝箔、背胶和麦拉通过切割的方式形成主体部和翻折部，并通过翻折使翻折形成铝箔导电面向上的的状态，以使连接器的接地件与翻折部的铝箔导电接触，从而实现接地，而且接地件可以通过与连接器连接所产生的压紧力对铝箔进行压紧固定，保证接地件与翻折部的铝箔的可靠连接。

技术特征：

1.无地线祼线与连接器的端接结构，包括连接器、与连接器连接的无地线祼线，所述无地线祼线包括导体以及位于导体外部的屏蔽层，所述屏蔽层与连接器的接地件电性连接，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的无地线祼线与连接器的端接结构，其特征在于，所述金属箔层为铝箔。

3.根据权利要求1所述的无地线祼线与连接器的端接结构，其特征在于，所述绝缘层包括背胶和麦拉，所述背胶贴合于铝箔。

4.根据权利要求1所述的无地线祼线与连接器的端接结构，其特征在于，进一步的，所述上翻折部在宽度上至少包括一平面；

5.根据权利要求1所述的无地线祼线与连接器的端接结构，其特征在于，所述接地件包括对上翻折部的金属箔层施压的导电接触部、由导电接触部两侧延伸形成的侧翼以及设置在侧翼延伸方向末端的焊接脚，所述焊接脚与连接器的接地垫固定时，无地线祼线的端部受压固定于导电接触部与侧翼之间。

6.根据权利要求5所述的无地线祼线与连接器的端接结构，其特征在于，所述导电接触部上具有向侧翼方向设置的凸起。

7.根据权利要求6所述的无地线祼线与连接器的端接结构，其特征在于，所述导电接触部上具有通孔。

8.根据权利要求5所述的无地线祼线与连接器的端接结构，其特征在于，所述焊接脚沿侧翼的长度方向间隔设置。

技术总结
本发明公开了无地线祼线与连接器的端接结构，包括连接器、与连接器连接的无地线祼线，所述无地线祼线包括导体以及位于导体外部的屏蔽层，所述屏蔽层与连接器的接地件电性连接；所述屏蔽层包括相互叠合的一金属箔层以及一绝缘层；所述屏蔽层包括主体部以及连到所述主体部的末端的上翻折部，所述上翻折部向外翻折以使上翻折部的金属箔层暴露于最外侧；所述接地件焊接固定于连接器的接地垫上，所述无地线祼线的端部受压于接地件与连接器之间并使上翻折部的金属箔层与接地件电性连接。本发明形成主体部和翻折部，通过翻折使翻折形成铝箔导电面向上的的状态，以使连接器的接地件与翻折部的铝箔导电接触，从而实现可靠接地。

技术研发人员：王曦,彭建民,黄品潮
受保护的技术使用者：上海航天科工电器研究院有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21