本申请涉及电子材料,特别是涉及一种芯片载板及其制备方法。
背景技术:
1、可伐合金,又称铁镍定膨胀合金,是一种电磁屏蔽材料,其热膨胀系数与硅基芯片相当,可作为薄型载板,将芯片焊接或粘接在载板上,可伐合金可起到屏蔽电磁信号的作用。
2、但是,可伐合金的热导率非常低,不适合作为载板承载有散热需求的芯片。而对于需要承载有高散热需求以及电磁屏蔽需求的芯片的,可以通过镶嵌的方法,使可伐合金与导热基材结合在一起以满足需求。
3、而常用的镶嵌方法为:在导热基材上挖一凹槽,将可伐合金置于凹槽槽内,并进行焊接。但上述方法为确保可伐合金可以顺利放入凹槽内,会预留一定的公差,从而导致可伐合金与基材间具有缝隙,从而会削弱芯片载片的散热能力。
技术实现思路
1、基于此,本申请提供了一种能够使可伐合金与基材紧密结合的芯片载板及其制备方法。
2、第一方面,本申请提供了一种芯片载板,包括:
3、导热基材,所述导热基材沿其厚度方向的一侧表面开设有容置槽;
4、可伐合金,所述可伐合金设置于所述容置槽内,用于承载芯片;
5、焊料,所述焊料至少填充于所述容置槽的侧壁与所述可伐合金的侧壁之间的缝隙中;
6、所述焊料的材质包括导热金属。
7、在其中一些实施例中,所述容置槽还包括底面,所述焊料还填充于所述容置槽的底面和所述可伐合金的底面之间的缝隙中。
8、在其中一些实施例中,所述容置槽为在厚度方向上贯穿所述导热基材的通孔,所述焊料填充于所述通孔的内壁和所述可伐合金的侧壁之间。
9、在其中一些实施例中,所述导热金属包括铜。
10、在其中一些实施例中,所述导热基材包括钼单质或钼铜合金。
11、第二方面,本申请还提供一种芯片载板的制备方法,包括如下步骤:
12、提供导热基材和可伐合金;
13、在所述导热基材沿其厚度方向的一侧表面开设容置槽;
14、将所述可伐合金放置于所述容置槽内;
15、至少对所述容置槽的侧壁与所述可伐合金的侧壁之间的缝隙用焊料进行填充;所述焊料的材质包括导热金属。
16、在其中一些实施例中,将所述可伐合金放置于所述容置槽内,至少对所述容置槽的侧壁与所述可伐合金的侧壁之间的缝隙用焊料进行填充的步骤包括:
17、至少在所述可伐合金的侧壁覆盖所述焊料;
18、将覆盖有所述焊料的可伐合金放置于所述容置槽内;
19、对覆盖有所述焊料的可伐合金和所述导热基材进行热压,使所述焊料至少填充于所述容置槽的侧壁与所述可伐合金的侧壁之间的缝隙中。
20、在其中一些实施例中,所述焊料的厚度为5μm~30μm。
21、在其中一些实施例中,位于所述可伐合金侧壁的焊料的外表面与所述容置槽的侧壁间距不超过0.05mm。
22、在其中一些实施例中,所述容置槽还包括底面,在所述可伐合金的底面也覆盖有所述焊料;
23、热压后,所述焊料还填充于所述容置槽的底面和所述可伐合金的底面之间的缝隙中。
24、在其中一些实施例中,位于所述容置槽内的可伐合金的上表面凸出于所述容置槽的开口。
25、在其中一些实施例中,所述容置槽为在厚度方向上贯穿所述导热基材的通孔,位于所述通孔内的可伐合金的底面凸出于所述通孔下方的开口。
26、在其中一些实施例中,所述可伐合金的上表面也覆盖有所述焊料;
27、热压后,至少部分位于所述可伐合金的上表面的焊料填充至所述容置槽的侧壁与所述可伐合金的侧壁之间的缝隙内。
28、在其中一些实施例中,热压的真空度为≤200pa。
29、在其中一些实施例中,热压的压力为25mpa~120mpa。
30、在其中一些实施例中,热压的温度为800℃~1000℃。
31、在其中一些实施例中,热压的时间为≥5min。
32、在其中一些实施例中,还包括如下步骤:
33、对热压后得到的产品进行表面磨平。
34、第三方面,本申请还提供了上述第一方面任一实施例中所述的芯片载板在承载芯片中的应用。
35、本申请提供了一种芯片载板,可伐合金设置于导热基材开设的容置槽内,以具有良好散热性能的导热金属作为焊料,将焊料至少填充于容置槽的侧壁和可伐合金的侧壁之间的缝隙中,焊料填满缝隙后,可将导热基材与可伐合金紧密结合,进而可以确保芯片载板具有良好的散热能力。
1.一种芯片载板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的芯片载板,其特征在于,所述容置槽还包括底面,所述焊料还填充于所述容置槽的底面和所述可伐合金的底面之间的缝隙中。
3.根据权利要求1所述的芯片载板,其特征在于,所述容置槽为在厚度方向上贯穿所述导热基材的通孔,所述焊料填充于所述通孔的内壁和所述可伐合金的侧壁之间。
4.根据权利要求1~3任一项所述的芯片载板,其特征在于,所述导热金属包括铜;和/或
5.一种芯片载板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
6.根据权利要求5所述的芯片载板的制备方法,其特征在于,将所述可伐合金放置于所述容置槽内,至少对所述容置槽的侧壁与所述可伐合金的侧壁之间的缝隙用焊料进行填充的步骤包括:
7.根据权利要求6所述的芯片载板的制备方法,其特征在于,所述焊料的厚度为5μm~30μm;和/或
8.根据权利要求6~7任一项所述的芯片载板的制备方法,其特征在于,所述容置槽还包括底面,在所述可伐合金的底面也覆盖有所述焊料;
9.根据权利要求6~7任一项所述的芯片载板的制备方法,其特征在于,位于所述容置槽内的可伐合金的上表面凸出于所述容置槽的开口。
10.根据权利要求9所述的芯片载板的制备方法,其特征在于,所述容置槽为在厚度方向上贯穿所述导热基材的通孔,位于所述通孔内的可伐合金的底面凸出于所述通孔下方的开口。
11.根据权利要求6~7、10任一项所述的芯片载板的制备方法,其特征在于,所述可伐合金的上表面也覆盖有所述焊料;
12.根据权利要求6~7、10任一项所述的芯片载板的制备方法,其特征在于,热压的条件满足以下条件中的至少一个: