半导体结构的制备方法以及半导体结构与流程

本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构的制备方法以及半导体结构。

背景技术：

1、在芯片制造领域，接触插塞的电阻电容(ct rc)是器件中一个重要的参数，特别是在核心器件区(core device)中，影响着器件的性能，在改善ct rc方面，一般都是通过调节源端/漏端(source/drain)的离子注入条件，例如能量和剂量，但是source/drain的调节势必会带来其他器件参数的改变，比如cmos，很难找到平衡点。

技术实现思路

1、本公开提供了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。

2、根据本公开的第一方面，提供了一种半导体结构的制备方法，所述方法包括：

3、提供衬底，所述衬底包括邻近设置的第一区域和第二区域；

4、形成位于所述第一区域上的第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述衬底的部分有源区；

5、形成位于所述衬底的有源区上的第二氧化层；

6、形成覆盖所述第一氧化层和所述第二氧化层的光刻胶层；

7、采用光刻工艺光刻所述光刻胶层，以形成位于所述光刻胶层内的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽暴露所述第一氧化层的部分表面，所述第二沟槽暴露所述第二区域的所述第二氧化层的表面；

8、去除所述第一沟槽下的部分所述第一氧化层，以将所述第一沟槽下的所述第一氧化层减薄，以及去除所述第二沟槽下的所述第二氧化层；

9、进行离子注入工艺，以在减薄后的所述第一氧化层下的所述有源区内形成第一源漏端；

10、形成位于所述第一源漏端上的接触插塞，所述接触插塞贯穿减薄后的所述第一氧化层。

11、在一实施方式中，减薄后的所述第一氧化层的厚度范围为90a～150a。

12、在一实施方式中，所述去除所述第一沟槽下的部分所述第一氧化层，包括：采用湿法刻蚀工艺去除所述第一氧化层。

13、在一实施方式中，所述方法还包括：

14、在去除所述第二沟槽下的所述第二氧化层后，形成位于所述第二区域的所述有源区上的第三氧化层。

15、在一实施方式中，

16、所述第三氧化层的厚度小于所述第二氧化层的厚度。

17、在一实施方式中，还包括：

18、在形成所述第一氧化层之前，形成位于所述衬底内的浅沟槽隔离结构；

19、在形成所述第三氧化层后，形成位于所述第一区域上的第一栅极导体，以及位于所述第二区域上的第二栅极导体，其中，所述第一栅极导体位于所述第一氧化层和所述浅沟槽隔离结构上，所述第二栅极导体位于所述第三氧化层上。

20、在一实施方式中，还包括：

21、在形成所述第一栅极导体和所述第二栅极导体后，形成位于所述第一栅极导体和所述第二栅极导体侧壁处的第一侧墙和第二侧墙，其中，所述第一侧墙为氧化物层，所述第二侧墙为氮化物层。

22、在一实施方式中，所述第一源漏端位于所述第一栅极导体的一侧；

23、所述方法还包括：在减薄后的所述第一氧化层下的所述有源区内形成第一源漏端的同时，在所述第一栅极导体的另一侧的所述有源区内形成第二源漏端，以及在所述第二栅极导体的两侧的所述有源区内分别形成所述第一源漏端和所述第二源漏端。

24、在一实施方式中，还包括：

25、在形成所述第一源漏端和所述第二源漏端之后，形成位于所述第二侧墙的侧壁处的第三侧墙，所述第三侧墙为氧化物层；

26、形成至少覆盖所述第一栅极导体处的所述第三侧墙的侧壁、所述第一栅极导体的表面以及所述第一氧化层的表面的自对准硅化物阻挡层。

27、根据本公开的第二方面，提供了一种半导体结构，包括：

28、衬底，所述衬底包括邻近设置的第一区域和第二区域；

29、第一氧化层，位于所述第一区域的所述衬底的部分有源区上，所述第一氧化层包括邻近设置的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度；

30、第一源漏端，位于所述第二部分下的所述有源区内；

31、接触插塞，位于所述第一源漏端上，所述接触插塞贯穿所述第一氧化层的所述第二部分

32、本公开的半导体结构的制备方法以及半导体结构，通过在图案化光刻胶层的过程中，同步在光刻胶层内形成暴露第一氧化层的部分表面的第一沟槽，和暴露第二区域的第二氧化层的表面的第二沟槽，如此，可以通过一次光罩打开两个区域，不需要额外增加光罩以去除第一氧化层，不仅工艺简单，而且不会带来物理结构的变化，没有其他的副作用，工艺兼容性强；后续通过第一沟槽去除部分第一氧化层，降低该部分第一氧化层的厚度，从而改善第一源漏端的注入效果，改善欧姆接触，降低接触插塞的阻值，改善器件性能。

33、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

技术总结
本公开提供了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，其中，方法包括：提供衬底，衬底包括邻近设置的第一区域和第二区域；形成位于第一区域上的第一氧化层；形成位于衬底的有源区上的第二氧化层；形成覆盖第一氧化层和第二氧化层的光刻胶层；采用光刻工艺光刻光刻胶层，以形成位于光刻胶层内的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽暴露第一氧化层的部分表面，第二沟槽暴露第二区域的第二氧化层的表面；去除第一沟槽下的部分第一氧化层，以将第一沟槽下的第一氧化层减薄，以及去除第二沟槽下的第二氧化层；进行离子注入工艺，以在减薄后的第一氧化层下的有源区内形成第一源漏端；形成位于第一源漏端上的接触插塞，接触插塞贯穿减薄后的第一氧化层。

技术研发人员：郭扬明,周微,李海锋,邓会会
受保护的技术使用者：杭州富芯半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/24