本申请涉及太阳能电池，特别是涉及一种perc电池的减反射膜及电池。
背景技术：
1、perc(passivated emitterand rear cell)电池作为钝化发射极背面接触的太阳能电池，因具有工艺简单、成本较低且效率较高的特点而得到广泛关注。
2、电池镀减反射膜工艺是电池制造过程的关键工序，主要作用在于降低表面反射率、增加光的吸收，以及对电池的正表面进行h钝化、减少界面缺陷。但是，当前单晶perc电池正面减反射膜主要以sinx膜为主，其对入射光的减反射效果不佳，影响了电池转换效率。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是提供一种perc电池的减反射膜及电池，以解决现有perc电池正面减反射膜的减反射效果不佳的问题。
2、为了解决上述问题，本申请是通过如下技术方案实现的：
3、本申请提出了一种perc电池的减反射膜，其中，包括由内至外依次设于perc电池硅片层正面的氮化硅膜层、氮氧化硅膜层和氧化硅膜层。
4、可选地，所述的减反射膜中，所述氮化硅膜层、氮氧化硅膜层和氧化硅膜层的折射率依次减小。
5、可选地，所述的减反射膜中，所述氮化硅膜层包括由内至外依次层叠设置于perc电池硅片层正面的第一氮化硅层、第二氮化硅层、第三氮化硅层及第四氮化硅层，所述第一氮化硅层、第二氮化硅层、第三氮化硅层及第四氮化硅层的折射率依次减小；
6、所述氮氧化硅膜层包括由内至外依次层叠设置于所述氮化硅膜层上的第一氮氧化硅层及第二氮氧化硅层，所述第四氮化硅层、第一氮氧化硅层及第二氮氧化硅层的折射率依次减小。
7、可选地，所述的减反射膜中，所述减反射膜的折射率为1.98～2.05。
8、可选地，所述的减反射膜中，所述第一氮化硅层中硅与氮的质量比为1:(1.7～2.3)，第二氮化硅层中硅与氮的质量比为1:(3.2～3.8)，第三氮化硅层中硅与氮的质量比为1:(4.2～4.8)，第四氮化硅层中硅与氮的质量比为1:(5.7～6.3)，第一氮氧化硅层中硅、氮、氧的质量比为1:(2.2～2.8):(4.8～5.5)，第二氮氧化硅层中硅、氮、氧的质量比为1:(2.2～2.8):(5.5～6.1)，氧化硅层中硅与氧的质量比为1:(7.7～8.3)。
9、可选地，所述的减反射膜中，所述第一氮化硅层中硅与氮的质量比为1:2.1，第二氮化硅层中硅与氮的质量比为1:3.6，第三氮化硅层中硅与氮的质量比为1:4.5，第四氮化硅层中硅与氮的质量比为1:6，第一氮氧化硅层中硅、氮、氧的质量比为1:2.5:5.1，第二氮氧化硅层中硅、氮、氧的质量比为1:2.5:5.7，氧化硅层中硅与氧的质量比为1:8。
10、可选地，所述的减反射膜中，所述减反射膜的厚度为75～82nm。
11、可选地，所述的减反射膜中，所述第一氮化硅层、第二氮化硅层、第三氮化硅层、第四氮化硅层、第一氮氧化硅层、第二氮氧化硅层和氧化硅层的厚度依次为15nm、13nm、14nm、8nm、7nm、10nm、10nm。
12、本申请提出了一种perc电池，其中，包括硅片层、以及设置于所述硅片层正面的如上述的减反射膜。
13、可选地，所述的perc电池中，所述硅片层为p型单晶硅基体。
14、与现有技术相比，本申请包括以下优点：
15、本申请中的perc电池的减反射膜包括由内至外依次设于perc电池硅片层正面的氮化硅膜层、氮氧化硅膜层和氧化硅膜层。其中，氧化硅较氮化硅致密度高、钝化效果更好且对金属离子屏蔽能力强；同时，氮氧化硅膜层具有良好的钝化增透特性，可以避免光伏组件在使用过程中因电诱导衰减现象造成电池效率大幅衰减；另外，氮氧化硅膜层含有大量的氢原子，可以进一步提升钝化效果，而氮氧化硅膜层中的氧可以在硅表面获得较好的界面质量；因此，本申请实施例通过增加氧化硅和氮氧化硅膜层结构，可以增加perc电池正面的钝化效果，并增强不同波长光线的吸收，从而提高单晶perc电池效率。
16、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
1.一种perc电池的减反射膜，其特征在于，包括由内至外依次设于perc电池硅片层正面的氮化硅膜层、氮氧化硅膜层和氧化硅膜层；
2.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述减反射膜的折射率为1.98～2.05。
3.根据权利要求2所述的减反射膜，其特征在于，所述减反射膜的厚度为75～82nm。
4.根据权利要求1～3任一所述的减反射膜，其特征在于，所述第一氮化硅层、第二氮化硅层、第三氮化硅层、第四氮化硅层、第一氮氧化硅层、第二氮氧化硅层和氧化硅层的厚度依次为15nm、13nm、14nm、8nm、7nm、10nm。
5.一种perc电池，其特征在于，所述的perc电池包括硅片层、以及设置于所述硅片层正面的如权利要求1～4任一所述的减反射膜。
6.根据权利要求5所述的perc电池，其特征在于，所述硅片层为p型单晶硅基体。