垂直薄膜芯片结构的制作方法

本技术涉及半导体芯片领域，尤其涉及一种垂直薄膜芯片结构。

背景技术：

1、目前常规的倒装结构芯片，通常是不需要剥离蓝宝石衬底，并且在芯片的同侧实现对p电极以及n电极的绝缘，且芯片的出光面从蓝宝石衬底的背面出射，这种结构的芯片，由于蓝宝石衬底的导热差，因此目前的倒装结构芯片不能实现高功率的大电流注入。

技术实现思路

1、本实用新型提供了一种垂直薄膜芯片结构，用以实现对高功率的电流的流入。

2、根据本实用新型的第一方面，提供了一种垂直薄膜芯片结构，该芯片结构包括：

3、基板、第一芯片模块、连接端子以及绝缘层；

4、其中，所述第一芯片模块包括：第一衬底、若干第一p电极以及第一n电极；

5、所述若干第一p电极以及第一n电极位于所述第一衬底的第一面，所述连接端子与所述第一n电极的第一面相连接；所述第一n电极的第二面与所述绝缘层的第一面相连接，所述绝缘层的第二面与所述基板相连接；

6、所述绝缘层内设置有若干第一键合结构，所述第一键合结构贯穿所述绝缘层；所述若干第一p电极的第一面通过所述若干第一键合结构实现与所述基板的键合；所述绝缘层上设置有第二键合结构，所述第二n电极通过所述第二键合结构实现与外部金属键合。

7、可选的，垂直薄膜芯片结构还包括：透射层；

8、所述透射层连接所述，若干第一p电极的第二面，用以提高芯片的出光率。

9、可选的，所述透射层的材料为：玻璃或荧光粉材料。

10、可选的，所述基板为导电基板。

11、可选的，所述导电基板的材料为：金属材料或硅材料。

12、可选的，所述金属材料至少可以包括：ni、ag、al、ti、pt、cr、ti、wu或au。

13、可选的，所述第一衬底的材料为：氮化镓材料。

14、可选的，所述绝缘层的材料为：白胶、氧化硅、氮化硅、氧化铝、环氧树脂或聚酰亚胺。

15、可选的，所述若干第一键合结构的数量与所述若干第一p电极的数量一致；

16、所述第二键合结构的数量为1。

17、可选的，所述第一键合结构以及第二键合结构的材料为：铟或银或锡。通过本实用新型所提供的垂直薄膜芯片结构，通过将若干第一p电极直接键合在导电基板上，通过导电基板实现共p连接，并且通过该导电基板可以方便的与其他器件进行组合连接，且由于形成基板的材料的导热强，使得本实用新型所提供的垂直薄膜芯片结构能够实现对高功率的大电流的注入。

技术特征：

1.一种垂直薄膜芯片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的垂直薄膜芯片结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的垂直薄膜芯片结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的垂直薄膜芯片结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的垂直薄膜芯片结构，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的垂直薄膜芯片结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的垂直薄膜芯片结构，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的垂直薄膜芯片结构，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的垂直薄膜芯片结构，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的垂直薄膜芯片结构，其特征在于，所述第一键合结构以及第二键合结构的材料为：铟或银或锡。

技术总结
本技术提供了一种垂直薄膜芯片结构，该芯片结构包括：基板、第一芯片模块、连接端子以及绝缘层；其中，所述第一芯片模块包括：第一衬底、若干第一P电极以及第一N电极；所述若干第一P电极以及第一N电极位于所述第一衬底的第一面，所述连接端子与所述第一N电极的第一面相连接；所述第一N电极的第二面与所述绝缘层的第一面相连接，所述绝缘层的第二面与所述基板相连接；所述绝缘层内设置有若干第一键合结构，所述第一键合结构贯穿所述绝缘层；所述若干第一P电极的第一面通过所述若干第一键合结构实现与所述基板的键合；所述绝缘层上设置有第二键合结构，所述第二N电极通过所述第二键合结构实现与外部金属键合。

技术研发人员：郝茂盛,张楠,马艳红,刘利,艾进宝,袁根如,陈朋
受保护的技术使用者：上海芯元基半导体科技有限公司
技术研发日：20230119
技术公布日：2024/1/12