一种改善IC偏移不良的结构的制作方法

本技术属于ic芯片加工，具体涉及一种改善ic偏移不良的结构。

背景技术：

1、ic芯片是将大量的微电子元器件(晶体管、电阻、电容等)形成的集成电路放在一块塑基上，做成一块芯片。ic芯片包含晶圆芯片和封装芯片，相应ic芯片生产线由晶圆生产线和封装生产线两部分组成。

2、ic芯片doe条件进行实测和调试时,因支撑台和主压头是相对水平的，玻璃减薄不均则在压头下压时会导致受力不均，同时acf受到高温液化成流体，两者相互作用导致ic偏移。

技术实现思路

1、为解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种改善ic偏移不良的结构，具有避免ic偏移，提升测试精度的特点。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种改善ic偏移不良的结构，包括支撑台，支撑台上固定有固定座，固定座上端一侧通过转动安装有转动在其上端的调节板，调节板上表面固定有玻璃，固定座与调节板之间还设置有调节组件，支撑台正上方设置有主绑定压头，主绑定压头下端设置有铁氟龙，玻璃上摆放有aof，aof上摆放有ic芯片。

3、作为本实用新型的一种改善ic偏移不良的结构优选技术方案，调节组件包括通过调节座转动安装在固定座上端的调节丝杆和套设在调节丝杆外部的滑块，以及固定在滑块两端的下撑杆和固定在下撑杆另一端的导向销，还包括开设在调节板两侧的导向槽。

4、作为本实用新型的一种改善ic偏移不良的结构优选技术方案，调节丝杆一端固定有调节轮，滑块与调节丝杆螺纹连接，导向销滑动在导向槽内部，且下撑杆顶部始终与调节板下表面接触。

5、作为本实用新型的一种改善ic偏移不良的结构优选技术方案，调节板、玻璃通过调节丝杆与滑块的螺旋带动导向销在导向槽内部的滑动调整与支撑台之间角度。

6、作为本实用新型的一种改善ic偏移不良的结构优选技术方案，调节板为对称的两个，中间成型有用于滑块、调节丝杆的活动空间，下撑杆在固定座与调节板之间滑动并将其两者支撑。

7、作为本实用新型的一种改善ic偏移不良的结构优选技术方案，主绑定压头与支撑台平行。

8、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：首先本实用新型通过将调节丝杆设置成可调的倾斜结构，克服ic偏移，降低不良率，同时调节结构具有更强的适应性和实用性；其次在，压力415n，温度300℃，速度50mm/s，时间5s，底座不锈钢，底座温度50℃情况下为最佳优化条件，有效改善不良率。

技术特征：

1.一种改善ic偏移不良的结构，其特征在于：包括支撑台(1)，支撑台(1)上固定有固定座(2)，固定座(2)上端一侧通过转动安装有转动在其上端的调节板(3)，调节板(3)上表面固定有玻璃(4)，固定座(2)与调节板(3)之间还设置有调节组件，支撑台(1)正上方设置有主绑定压头(12)，主绑定压头(12)下端设置有铁氟龙(13)，玻璃(4)上摆放有aof(14)，aof(14)上摆放有ic芯片(15)。

2.根据权利要求1所述的一种改善ic偏移不良的结构，其特征在于：调节组件包括通过调节座(5)转动安装在固定座(2)上端的调节丝杆(6)和套设在调节丝杆(6)外部的滑块(8)，以及固定在滑块(8)两端的下撑杆(9)和固定在下撑杆(9)另一端的导向销(10)，还包括开设在调节板(3)两侧的导向槽(11)。

3.根据权利要求2所述的一种改善ic偏移不良的结构，其特征在于：调节丝杆(6)一端固定有调节轮(7)，滑块(8)与调节丝杆(6)螺纹连接，导向销(10)滑动在导向槽(11)内部，且下撑杆(9)顶部始终与调节板(3)下表面接触。

4.根据权利要求2所述的一种改善ic偏移不良的结构，其特征在于：调节板(3)、玻璃(4)通过调节丝杆(6)与滑块(8)的螺旋带动导向销(10)在导向槽(11)内部的滑动调整与支撑台(1)之间角度。

5.根据权利要求2所述的一种改善ic偏移不良的结构，其特征在于：调节板(3)为对称的两个，中间成型有用于滑块(8)、调节丝杆(6)的活动空间，下撑杆(9)在固定座(2)与调节板(3)之间滑动并将其两者支撑。

6.根据权利要求1所述的一种改善ic偏移不良的结构，其特征在于：主绑定压头(12)与支撑台(1)平行。

技术总结
本技术属于IC芯片加工技术领域，尤其为一种改善IC偏移不良的结构，包括支撑台，支撑台上固定有固定座，固定座上端一侧通过转动安装有转动在其上端的调节板，调节板上表面固定有玻璃，固定座与调节板之间还设置有调节组件，支撑台正上方设置有主绑定压头，主绑定压头下端设置有铁氟龙，玻璃上摆放有AOF，AOF上摆放有IC芯片，首先本技术通过将调节丝杆设置成可调的倾斜结构，克服IC偏移，降低不良率，同时调节结构具有更强的适应性和实用性；其次在，压力415N，温度300℃，速度50mm/s，时间5S，底座不锈钢，底座温度50℃情况下为最佳优化条件，有效改善不良率。

技术研发人员：李艳飞
受保护的技术使用者：苏州东山精密制造股份有限公司
技术研发日：20230213
技术公布日：2024/1/15