一种磁芯结构及液冷磁性器件的制作方法

本技术涉及磁性器件，尤其涉及一种液冷磁性器件。

背景技术：

1、大功率液冷磁性器件在液冷电源中充当能量存储，传输以及隔离角色。随着液冷充电电源功率进一步提升，磁性器件的功率等级越来越大，体积越来越大，其磁芯中柱长度与体积将会越来越大，由于磁芯比热容较大，传热系数低，长的磁芯中柱将导致背离散热罐体的部位与靠近散热罐体部位的温差非常大，即使磁性器件外面罐体温度较低，由于磁芯中柱较长，截面积较大，温差也将非常大，最终导致磁性器件磁芯温升过高，引起热风险。

2、在相关技术中，通过多个磁性器件来代替一个大的磁性器件，通过分立磁性器件可以有效降低单体磁性器件功率密度，但是随着功率密度进一步增加，还是会遇到中柱传热路径过长的问题，另外，多个分立磁性器件的液冷方案需要的散热罐体较复杂，功率密度不高。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种磁芯结构及液冷磁性器件，旨在解决相关技术中液冷磁性器件容易引起热风险的问题。

2、为解决上述技术问题，本实用新型第一方面提供了一种磁芯结构，包括：

3、底板；

4、边柱，设有两个，两个所述边柱分别固定于所述底板的两端；

5、中柱，固定于所述底板且位于两所述边柱之间，所述中柱的外侧朝内凹陷形成收容槽，所述收容槽的开口与所述边柱错开设置；

6、散热件，固定于所述收容槽内且与所述收容槽相适配，所述散热件用于与绕设于所述中柱的绕组相接触以及与散热罐相接触。

7、优选地，所述收容槽的的一端延伸至贯穿所述底板，另一端延伸至与所述中柱远离所述底板的一端相齐平。

8、优选地，所述收容槽位于所述中柱的中部。

9、优选地，所述散热件和所述中柱之间以及所述散热件和所述底板之间的间隙均设有绝缘体。

10、优选地，所述散热件的制成材料包括铜、铝、金和银中的任一种。

11、优选地，所述中柱开设以所述中柱的中心轴线为对称轴对称设置的两个散热孔，所述散热孔贯穿所述中柱的两端。

12、本实用新型第二方面提供了一种液冷磁性器件，包括如上任一项所述的磁芯结构、绕组和散热罐，所述绕组绕设于所述磁芯结构，所述磁芯结构收容于所述散热罐的内腔中，且所述磁芯结构和所述绕组均与所述散热罐的内壁相接触。

13、优选地，所述散热罐的内腔开口设置，所述绕组的引线端位于所述散热罐的开口处。

14、优选地，所述液冷磁性器件还包括固定于所述磁芯结构的连接板，所述连接板位于所述散热罐的开口处。

15、优选地，所述磁芯结构设有散热孔，所述散热孔为椭圆孔，所述散热孔的两个焦点连接线垂直于所述散热罐的底壁。

16、本实用新型中一种磁芯结构及液冷磁性器件与相关技术相比，有益效果在于：由于散热件固定在收容槽内，即散热件耦合进中柱内，利用散热件的高导热能力，缩小长中柱内侧与外侧温差，而且散热件还与散热罐及绕组相接触，不仅可以缩短中柱的散热路径，整体降低磁芯结构的温升和热风险，还可以间接给绕组散热，使得整个磁芯结构的中柱散热路径更短、温度更低、热量更加均衡且整个磁芯结构的功率密度更高。

技术特征：

1.一种磁芯结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的磁芯结构，其特征在于，所述收容槽的一端延伸至贯穿所述底板，另一端延伸至与所述中柱远离所述底板的一端相齐平。

3.根据权利要求2所述的磁芯结构，其特征在于，所述收容槽位于所述中柱的中部。

4.根据权利要求2所述的磁芯结构，其特征在于，所述散热件和所述中柱之间以及所述散热件和所述底板之间的间隙均设有绝缘体。

5.根据权利要求1所述的磁芯结构，其特征在于，所述散热件的制成材料包括铜、铝、金和银中的任一种。

6.根据权利要求1所述的磁芯结构，其特征在于，所述中柱开设以所述中柱的中心轴线为对称轴对称设置的两个散热孔，所述散热孔贯穿所述中柱的两端。

7.一种液冷磁性器件，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的磁芯结构、绕组和散热罐，所述绕组绕设于所述磁芯结构，所述磁芯结构收容于所述散热罐的内腔中，且所述磁芯结构和所述绕组均与所述散热罐的内壁相接触。

8.根据权利要求7所述的液冷磁性器件，其特征在于，所述散热罐的内腔开口设置，所述绕组的引线端位于所述散热罐的开口处。

9.根据权利要求8所述的液冷磁性器件，其特征在于，所述液冷磁性器件还包括固定于所述磁芯结构的连接板，所述连接板位于所述散热罐的开口处。

10.根据权利要求7所述的液冷磁性器件，其特征在于，所述磁芯结构设有散热孔，所述散热孔为椭圆孔，所述散热孔的两个焦点连接线垂直于所述散热罐的底壁。

技术总结
本技术提供了一种磁芯结构及液冷磁性器件，磁芯结构包括：底板；边柱，设有两个，两个边柱分别固定于底板的两端；中柱，固定于底板且位于两边柱之间，中柱的外侧朝内凹陷形成收容槽，收容槽的开口与边柱错开设置；散热件，固定于收容槽内且与收容槽相适配，散热件用于与绕设于中柱的绕组相接触以及与散热罐相接触。由于散热件固定在收容槽内，即散热件耦合进中柱内，利用散热件的高导热能力，缩小长中柱内侧与外侧温差，而且散热件还与散热罐及绕组相接触，不仅可以缩短中柱的散热路径，降低磁芯结构的温升和热风险，还可以间接给绕组散热，使得整个磁芯结构的中柱散热路径更短、温度更低、热量更加均衡且整个磁芯结构的功率密度更高。

技术研发人员：黄刚,柳树渡,雷彪,刘普,孙志新
受保护的技术使用者：深圳英飞源技术有限公司
技术研发日：20230220
技术公布日：2024/1/15