显示装置的制作方法

一个或多个实施例涉及显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术：

1、通常，在诸如有机发光显示装置的显示装置中，薄膜晶体管布置在每个(子)像素中，以控制每个(子)像素的亮度和/或其它属性。薄膜晶体管根据接收到的数据信号和/或一个或多个控制信号控制对应的(子)像素的亮度和/或其它属性。

技术实现思路

1、在相关技术中，这种显示装置在受到外部冲击时可能变成有缺陷的，并且在这种情况下不容易显示高分辨率图像。

2、一个或多个实施例的方面涉及在受到外部冲击时具有低缺陷率的同时，能够显示高分辨率图像的显示装置和制造显示装置的方法。

3、本公开的一个或多个实施例的方面涉及在受到外部冲击时具有低缺陷率的同时，能够显示高分辨率图像的显示装置和制造显示装置的方法。然而，根据本公开的实施例的方面不限于此，并且上述特征不限制根据本公开的实施例的范围。

4、另外的方面将部分地在下面的描述中阐述并且部分地将根据该描述显而易见，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。

5、根据本公开的一个或多个实施例，显示装置包括：基板，包括彼此邻近的第一像素区域和第二像素区域；半导体层，包括在第一像素区域中的第一半导体层、在第二像素区域中的第二半导体层和将第一半导体层连接到第二半导体层的桥；以及第一绝缘层，在半导体层上，并且具有对应于第一像素区域与第二像素区域之间的边界的第一凹槽或第一开口。桥包括硅化物材料。

6、在一个或多个实施例中，第一半导体层、第二半导体层和桥可以彼此是一体的。

7、在一个或多个实施例中，桥可以穿过第一凹槽或第一开口。

8、在一个或多个实施例中，第一绝缘层还可以具有暴露桥的在朝向第一半导体层的方向上的部分区域的第一接触孔和暴露桥的在朝向第二半导体层的方向上的部分区域的第二接触孔。

9、在一个或多个实施例中，显示装置还可以包括：第二绝缘层，覆盖半导体层；以及导电层，在第二绝缘层上，并且包括当在垂直于基板的上表面的方向上观察时与桥重叠的屏蔽层。

10、在一个或多个实施例中，第二绝缘层可以包括当在垂直于基板的上表面的方向上观察时与第一凹槽或第一开口重叠的第二凹槽或第二开口、与第一接触孔重叠的第三接触孔、与第二接触孔重叠的第四接触孔以及与屏蔽层重叠的绝缘桥。

11、在一个或多个实施例中，导电层还可以包括分别在第一像素区域和第二像素区域中的驱动栅电极。

12、在一个或多个实施例中，导电层还可以包括分别在第一像素区域和第二像素区域中的补偿栅电极。

13、在一个或多个实施例中，显示装置还可以包括与桥的上表面接触的金属图案。

14、在一个或多个实施例中，显示装置还可以包括在金属图案上并且具有与第一凹槽或第一开口重叠的第三开口的钝化层。

15、在一个或多个实施例中，屏蔽层的在与将第一像素区域的中心连接到第二像素区域的中心的假想线垂直的方向上的宽度可以大于桥的在与该假想线垂直的该方向上的宽度。

16、在一个或多个实施例中，硅化物材料可以包括来自铝(al)、钛(ti)、镍(ni)、铜(cu)、铬(cr)、钨(w)、钼(mo)和钽(ta)当中的至少一种元素。

17、在一个或多个实施例中，桥可以包括第一桥和第二桥，并且第一桥和第二桥可以彼此平行。

18、在一个或多个实施例中，桥可以包括第一桥和第二桥。第一桥可以在与将第一像素区域的中心连接到第二像素区域的中心的假想线平行的方向上延伸，并且第二桥可以在与该假想线垂直的方向上延伸。

19、在一个或多个实施例中，桥可以包括多个通孔。

20、根据本公开的一个或多个实施例，制造显示装置的方法包括：在基板上形成半导体层，半导体层包括在第一像素区域中的第一半导体层、在第二像素区域中的第二半导体层和将第一半导体层连接到第二半导体层的桥；在半导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层中形成暴露桥的部分区域的接触孔；对应于接触孔形成金属图案；硅化桥；以及在第一绝缘层中形成对应于第一像素区域与第二像素区域之间的边界的第一凹槽或第一开口。

21、在一个或多个实施例中，在接触孔的形成中，接触孔可以形成在桥的中心。

22、在一个或多个实施例中，在接触孔的形成中，接触孔可以包括第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔可以被形成为暴露桥的在朝向第一半导体层的方向上的部分区域，并且第二接触孔可以被形成为暴露桥的在朝向第二半导体层的方向上的部分区域。

23、在一个或多个实施例中，方法还可以包括：在半导体层的形成之后并且在第一绝缘层的形成之前，在半导体层上形成第二绝缘层；以及在第二绝缘层上形成导电层，导电层包括当在垂直于基板的上表面的方向上观察时与桥重叠的屏蔽层。

24、在一个或多个实施例中，方法还可以包括：在金属图案的形成与桥的硅化之间，在金属图案上形成钝化层。在第一凹槽或第一开口的形成中，可以在钝化层中形成与第一凹槽或第一开口重叠的第三开口。

25、通过结合附图对实施例的以下描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解。

技术特征：

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述桥彼此是一体的。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述桥穿过所述第一凹槽或所述第一开口。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层还具有暴露所述桥的在朝向所述第一半导体层的方向上的部分区域的第一接触孔和暴露所述桥的在朝向所述第二半导体层的方向上的部分区域的第二接触孔，并且

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层包括：

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述屏蔽层的在与将所述第一像素区域的中心连接到所述第二像素区域的中心的假想线垂直的方向上的宽度大于所述桥的在与所述假想线垂直的所述方向上的宽度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置，还包括：

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述桥包括第一桥和第二桥，并且所述第一桥和所述第二桥彼此平行。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述桥包括多个通孔。

技术总结
本申请涉及一种显示装置。该显示装置包括：基板，包括彼此邻近的第一像素区域和第二像素区域；半导体层，包括在第一像素区域中的第一半导体层、在第二像素区域中的第二半导体层和将第一半导体层连接到第二半导体层的桥；以及第一绝缘层，在半导体层上，并且具有对应于第一像素区域与第二像素区域之间的边界的第一凹槽或第一开口。桥包括硅化物材料。

技术研发人员：崔钟炫
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：20230222
技术公布日：2024/1/13