一种光耦隔离器的制作方法

文档序号:34479063发布日期:2023-06-15 14:28阅读:34来源:国知局
一种光耦隔离器的制作方法

本技术属于光耦合器,具体涉及一种光耦隔离器。


背景技术:

1、光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管led)与受光器(光敏半导体管,光敏电阻)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接收光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”控制。

2、现有的光耦中发光二极管在发光时会产生热量,而光敏电阻在高温环境中会影响光反应灵敏度,另外,现有的光耦在使用时没有对发光二极管进行聚光,导致发光二极管发出的光不能全部照射到光敏电阻上,从而降低了光敏电阻接收光照的强度。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种光耦隔离器,以解决现有的光耦在使用时没有对发光二极管进行聚光,以及发光二极管发出的光不能全部照射到光敏电阻上的问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种光耦隔离器,包括:盒体;

3、开设于所述盒体中的安装仓,所述安装仓中对称安装有发光二极管和光敏电阻;

4、用于对所述发光二极管进行聚光的聚光机构,所述聚光机构包括安装在发光二极管与光敏电阻之间轴线上呈中空筒状结构的聚光筒,以及覆盖在聚光筒内壁上的聚光涂层。

5、优选的,还包括对发光二极管进行散热的散热机构,所述散热机构包括:

6、安装于所述盒体顶部的散热金属板,以及安装在散热金属板底部的导热块,所述导热块的一端焊接在聚光筒的外壁上。

7、优选的,所述安装仓中且靠近光敏电阻的一端填充有隔热层,所述光敏电阻镶嵌在隔热层靠近发光二极管的一侧,所述聚光筒的一端抵接在隔热层上。

8、优选的,所述散热金属板上水平贯穿有多个散热孔,多个所述散热孔分别在散热金属板上呈等距离分布。

9、优选的,所述聚光筒靠近发光二极管一端的截面呈锥形结构,所述发光二极管的一端插接在锥形结构中。

10、优选的,所述盒体对称的两侧分别安装有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端,所述第一输入端和第二输入端的一端均连接在发光二极管上,所述第一输出端和第二输出端均连接在光敏电阻上;

11、开设于所述盒体顶部一角的标记孔,所述标记孔开设在第一输入端的上方。

12、本实用新型与现有技术相比,具有以下有益效果:

13、(1)本实用新型通过聚光机构能够实现对发光二极管进行聚光,通过聚光筒将发光二极管发出的光限制在发光二极管与光敏电阻之间,同时通过聚光涂层,避免发光二极管发出的光逸散,提高发光二极管发出光照的强度。

14、(2)本实用新型通过散热机构能够实现对聚光筒进行散热,聚光筒通过导热块与外部的散热金属板进行连接,聚光筒上聚集的热量通过导热块传递至散热金属板上,通过散热金属板与外部空气进行换热,从而降低了安装仓中的温度,避免光敏电阻处于高温环境中。



技术特征:

1.一种光耦隔离器,其特征在于,包括:盒体(6);

2.根据权利要求1所述的一种光耦隔离器,其特征在于:还包括对发光二极管(8)进行散热的散热机构,所述散热机构包括:

3.根据权利要求1所述的一种光耦隔离器,其特征在于:所述安装仓(15)中且靠近光敏电阻(10)的一端填充有隔热层(14),所述光敏电阻(10)镶嵌在隔热层(14)靠近发光二极管(8)的一侧,所述聚光筒(9)的一端抵接在隔热层(14)上。

4.根据权利要求2所述的一种光耦隔离器,其特征在于:所述散热金属板(3)上水平贯穿有多个散热孔(12),多个所述散热孔(12)分别在散热金属板(3)上呈等距离分布。

5.根据权利要求1所述的一种光耦隔离器,其特征在于:所述聚光筒(9)靠近发光二极管(8)一端的截面呈锥形结构,所述发光二极管(8)的一端插接在锥形结构中。

6.根据权利要求1所述的一种光耦隔离器,其特征在于:所述盒体(6)对称的两侧分别安装有第一输入端(1)、第二输入端(2)、第一输出端(4)和第二输出端(5),所述第一输入端(1)和第二输入端(2)的一端均连接在发光二极管(8)上,所述第一输出端(4)和第二输出端(5)均连接在光敏电阻(10)上;


技术总结
本技术属于光耦合器技术领域,本技术具体涉及一种光耦隔离器,包括:盒体;开设于所述盒体中的安装仓,所述安装仓中对称安装有发光二极管和光敏电阻;用于对所述发光二极管进行聚光的聚光机构,所述聚光机构包括安装在发光二极管与光敏电阻之间轴线上呈中空筒状结构的聚光筒,以及覆盖在聚光筒内壁上的聚光涂层,还包括对发光二极管进行散热的散热机构,所述散热机构包括:本技术通过聚光机构能够实现对发光二极管进行聚光,通过聚光筒将发光二极管发出的光限制在发光二极管与光敏电阻之间,同时通过聚光涂层,避免发光二极管发出的光逸散,提高发光二极管发出光照的强度。

技术研发人员:赵青,江枫
受保护的技术使用者:深圳市圳汉欣电子有限公司
技术研发日:20230224
技术公布日:2024/1/12
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1