一种芯片保护封装结构的制作方法

本技术涉及一种保护封装，具体涉及一种芯片保护封装结构，属于半导体封装。

背景技术：

1、相对于传统封装，晶圆级封装具有生产周期更短、封装尺寸更小的优势。wlcsp（wafer level chip scale packaging，晶圆片级芯片规模封装）是最常用的晶圆级封装工艺。在wlcsp封装工艺中，利用塑封料在芯片的背面和侧面形成塑封层，塑封层可用于保护芯片免受外部环境的影响。

2、但是，芯片和塑封层之间的结合力较弱，容易导致塑封层脱落，减少使用寿命。因此，有必要对芯片提供保护封装，以便对芯片进行更好的保护。

技术实现思路

1、为解决现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种芯片保护封装结构。

2、为了实现上述目标，本实用新型采用如下的技术方案：

3、一种芯片保护封装结构，包括柱脚贴芯片背面的第一铜柱；

4、于所述芯片背面外设置包裹第一铜柱的柱脚的第一胶质层，

5、于所述第一胶质层外设置包裹第一铜柱的柱身的塑封层。

6、于上述塑封层外设置支撑硅层。

7、上述支撑硅层的厚度为200-300μm。

8、上述第一胶质层为pi层。

9、上述塑封层为abf层。

10、上述塑封层的厚度为200-500μm。

11、上述第一铜柱为复合层柱，包括cu层、ni层和snag层；

12、所述cu层构成柱体和柱脚，ni层覆于柱体顶面；

13、所述snag层的顶面呈弧形，底平面覆于ni层顶面。

14、上述芯片的正面设置有第二铜柱，所述第二铜柱的柱脚透过所述芯片的钝化层的开口贴附所述芯片的压区；并于钝化层外设置包裹第二铜柱的柱脚的第二胶质层。

15、进一步的，上述第二铜柱为复合层柱，包括cu层、ni层和snag层；

16、所述cu层构成柱体和柱脚，ni层覆于柱体顶面；

17、所述snag层的顶面呈弧形，底平面覆于ni层顶面。

18、本实用新型的有益之处在于：

19、本实用新型的一种芯片保护封装结构，于芯片背面封装第一铜柱，并填充abf；通过第一铜柱增加散热效果，通过abf在芯片背面和四个侧面提供保护封装，并利用abf的高度耐用和刚性，能抵抗温度变化时的膨胀和收缩的特性，使得在第一铜柱散热的同时保持芯片的稳定。再通过覆于abf层外的支撑硅层为整个芯片提供机械支撑，并提高底部的耐磨、导热性。

20、本实用新型的芯片保护封装结构，可以更好的保护芯片，解决了由于薄膜（abf层）和衬底（硅基底层）间结合能力较弱，会导致薄膜易脱落，减少芯片使用寿命的问题，具有很强的实用性和广泛的适用性。

技术特征：

1.一种芯片保护封装结构，其特征在于，包括柱脚贴芯片背面的第一铜柱；

2.根据权利要求1所述的一种芯片保护封装结构，其特征在于，于所述塑封层外设置支撑硅层。

3.根据权利要求2所述的一种芯片保护封装结构，其特征在于，所述支撑硅层的厚度为200-300μm。

4.根据权利要求1所述的一种芯片保护封装结构，其特征在于，所述塑封层的厚度为200-500μm。

5.根据权利要求1所述的一种芯片保护封装结构，其特征在于，所述第一胶质层为pi层。

6.根据权利要求1所述的一种芯片保护封装结构，其特征在于，所述塑封层为abf层。

7.根据权利要求1所述的一种芯片保护封装结构，其特征在于，所述第一铜柱为复合层柱，包括cu层、ni层和snag层；

8.根据权利要求1所述的一种芯片保护封装结构，其特征在于，所述芯片的正面设置有第二铜柱，所述第二铜柱的柱脚透过所述芯片的钝化层的开口贴附所述芯片的压区；并于钝化层外设置包裹第二铜柱的柱脚的第二胶质层。

9.根据权利要求8所述的一种芯片保护封装结构，其特征在于，所述第二铜柱为复合层柱，包括cu层、ni层和snag层；

技术总结
本技术的芯片保护封装结构，包括柱脚贴芯片背面的第一铜柱；于硅基底外设置包裹第一铜柱的柱脚的第一胶质层，于第一胶质层外设置包裹第一铜柱的柱身的塑封层。通过在芯片背面的硅基底层底部封装第一铜柱，并填充ABF；第一铜柱用于增加散热效果，ABF在芯片背面和四个侧面保护封装，利用ABF的高度耐用和刚性，和能抵抗温度变化时的膨胀和收缩的特性，使得在第一铜柱散热的同时保持芯片的稳定。再通过支撑硅层为整个芯片提供机械支撑，提高底部的耐磨、导热性。本技术的芯片保护封装结构，可以更好的保护芯片，解决了薄膜和衬底间结合能力较弱，会导致薄膜易脱落，减少芯片使用寿命的问题，具有很强的实用性和广泛的适用性。

技术研发人员：郭红红
受保护的技术使用者：江苏芯德半导体科技有限公司
技术研发日：20230227
技术公布日：2024/1/13