一种具有过温保护功能的TVS二极管的制作方法

本技术涉及tvs二极管，尤其涉及一种具有过温保护功能的tvs二极管。

背景技术：

1、瞬态二极管简称tvs，是一种二极管形式的高效能保护器件，当tvs二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。

2、现有技术中，tvs二极管在使用过程中两极受到反向瞬态高能量冲击过高时，其内部电阻会产生大量热量，当温度较高时就会导致tvs二极管烧毁，需要专业人员采用维修更换，影响设备正常工作。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中tvs二极管在使用过程中两极受到反向瞬态高能量冲击过高时，其内部电阻会产生大量热量，当温度较高时就会导致tvs二极管烧毁，需要专业人员采用维修更换，影响设备正常工作的技术问题，而提出一种具有过温保护功能的tvs二极管。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种具有过温保护功能的tvs二极管，包括二极管主体，所述二极管主体的一侧表面开设有两个安装孔，两个所述安装孔的内壁表面均固定连接有弹簧，两个所述弹簧的一端均固定连接有金属片，两个所述金属片的一侧表面固定连接有温感组件，两个所述安装孔的内壁表面均固定连接有支撑件，两个所述支撑件的一侧表面均贯穿有两个针脚，所述温感组件包括套管，所述套管的内部嵌设有推杆，所述套管靠近一端的内壁表面开设有安装槽，所述安装槽的内壁表面嵌设有密封橡胶垫，所述密封橡胶垫的内壁表面套设于推杆的外表面。

3、进一步的，两个所述套管的内壁表面均固定连接有限位环，两个所述限位环与两个套管一体构成。

4、进一步的，两个所述金属片的外表面嵌设于两个安装孔的内壁表面。

5、进一步的，所述套管内部为负压状态。

6、与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果在于：

7、1、本实用新型中，有机溶液受热后体积膨胀，到达指定温度后，推动推杆在套管的内部向上移动，推动金属片向上移动，使弹簧受力压缩行程，金属片与针脚脱离贴合状态，使二极管主体断电，当二极管主体降温后，有机溶液体积缩小，弹簧推动金属片复位，密封橡胶垫将套管和推杆之间的缝隙填充，保证套管和推杆的密封性，安装槽为密封橡胶垫提供支撑力，避免密封橡胶垫受力后发生位移，避免二极管主体温度过高损坏。

8、2、本实用新型中，两个限位环与两个套管一体构成不易损坏，两个限位环为两个推杆提供支撑力，限制两个推杆的移动轨迹，两个安装孔限制两个金属片受力后的移动轨迹和移动姿态，避免金属片受力后倾斜，保证金属片与针脚一端的接触面积，套管的内部根据二极管的使用环境需要调节气压，控制有机溶液的膨胀温度。

技术特征：

1.一种具有过温保护功能的tvs二极管，包括二极管主体(1)，其特征在于：所述二极管主体(1)的一侧表面开设有两个安装孔(2)，两个所述安装孔(2)的内壁表面均固定连接有弹簧(7)，两个所述弹簧(7)的一端均固定连接有金属片(6)，两个所述金属片(6)的一侧表面固定连接有温感组件(5)，两个所述安装孔(2)的内壁表面均固定连接有支撑件(3)，两个所述支撑件(3)的一侧表面均贯穿有两个针脚(4)，所述温感组件(5)包括套管(501)，所述套管(501)的内部嵌设有推杆(502)，所述套管(501)靠近一端的内壁表面开设有安装槽(503)，所述安装槽(503)的内壁表面嵌设有密封橡胶垫(504)，所述密封橡胶垫(504)的内壁表面套设于推杆(502)的外表面。

2.根据权利要求1所述的一种具有过温保护功能的tvs二极管，其特征在于：两个所述套管(501)的内壁表面均固定连接有限位环(505)，两个所述限位环(505)与两个套管(501)一体构成。

3.根据权利要求2所述的一种具有过温保护功能的tvs二极管，其特征在于：两个所述金属片(6)的外表面嵌设于两个安装孔(2)的内壁表面。

4.根据权利要求3所述的一种具有过温保护功能的tvs二极管，其特征在于：所述套管(501)内部为负压状态。

技术总结
本技术提供一种具有过温保护功能的TVS二极管，涉及传感器外壳技术领域，包括二极管主体，二极管主体的一侧表面开设有两个安装孔，两个安装孔的内壁表面均固定连接有弹簧，两个弹簧的一端均固定连接有金属片。本技术，有机溶液受热后体积膨胀，到达指定温度后，推动推杆在套管的内部向上移动，推动金属片向上移动，使弹簧受力压缩行程，金属片与针脚脱离贴合状态，使二极管主体断电，当二极管主体降温后，有机溶液体积缩小，弹簧推动金属片复位，密封橡胶垫将套管和推杆之间的缝隙填充，保证套管和推杆的密封性，安装槽为密封橡胶垫提供支撑力，避免密封橡胶垫受力后发生位移，避免二极管主体温度过高损坏。

技术研发人员：张哲民,肖步文
受保护的技术使用者：无锡惠吉通半导体有限公司
技术研发日：20230228
技术公布日：2024/1/12