本技术涉及一种ntoll封装结构。
背景技术：
1、集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件，把一个电路中所需元器件(如晶体管、电阻、电容、电感等)及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后进行封装，通过未完全封装的引脚实现与外部电路的电性连接，构建功能电路。
2、现有的集成电路封装结构中基岛角落与塑封料齐平，加工制造过程中裁切时易卷边，影响贴片，且应用时容易从侧边进入水汽引起离子迁移。离子迁移是指金属如铜、银、锡等在一定条件下发生离子化并在电场作用下通过绝缘层向另一极迁移而导致绝缘性能下降。离子迁移有3要素：一是电势差，二是水汽，三是迁移的通道。
技术实现思路
1、为解决现有技术所存在的问题，本实用新型提供了一种ntoll封装结构，该封装结构能够有效解决加工裁切过程中易卷边及水汽从侧边进入所引起的离子迁移问题。
2、为此，本实用新型提供的ntoll封装结构包括用于功能电路搭建的引线框架和用于封装的塑封层，所述引线框架包括用于元器件装配的基岛区和实现封装结构与外部电路电气连接的引脚区；所述塑封层将所述基岛区和所述引脚区全部进行塑封，且所述基岛区的左上位置和右上位置内缩，被所述塑封层包裹。
3、在一些实施方式中，所述引脚区包括第一引脚和与所述第一引脚相间隔的第二引脚，所述第二引脚被配置相连接并间隔的多个引脚。
4、在一些实施方式中，所述第一引脚和所述第二引脚之间的间距，以及所述第二引脚被配置的多个引脚之间的间距与s-toll封装结构的引脚间接相同。
5、在一些实施方式中，所述基岛区尺寸，所述引脚区所被配置的引脚数、引脚尺寸、引脚之间的间距，以及所述基岛区和所述引脚区之间的间距分别与s-toll封装结构相同。
6、在一些实施方式中，所述封装层由环氧塑封料形成。
7、采用本实用新型技术方案所能实现的有益效果至少包括：
8、1)本封装结构左上、右上两个位置的基岛内缩，被塑封料包裹住，防止了外露，有效地解决了因基岛与塑封料齐平而导致裁切时基岛易卷边的问题，且塑封层对基岛进行完全包裹，解决了封装结构应用时水汽从侧边进入引起的离子迁移问题。
9、2)将该封装结构基岛区尺寸，引脚区所被配置的引脚数、引脚尺寸、引脚之间的间距，以及基岛区和引脚区之间的间距分别与s-toll封装结构相同，可以被直接使用在已经布局为s-toll的pcb板上实现功能电路搭建，扩大了该封装结构的适用范围；且无需另外开模即可生成。
10、3)本结构塑封层包裹住管脚，有效地保护引脚在加工、运输、使用过程中遭受应力损伤。
11、4)本封装结构塑封面积大，由热阻计算公式θ＝l/(λs)，其中l是导热材料厚度，s是接触面积，λ是导热系数，可得出，ntoll封装比类似s-toll封装结构从底部至正面塑封料的热阻更小，更易于正面散热。
1.一种ntoll封装结构，其特征在于，该封装结构包括用于功能电路搭建的引线框架和用于封装的塑封层，所述引线框架包括用于元器件装配的基岛区和实现封装结构与外部电路电气连接的引脚区；所述塑封层将所述基岛区和所述引脚区全部进行塑封，且所述基岛区的左上位置和右上位置内缩，被所述塑封层包裹。
2.根据权利要求1所述的ntoll封装结构，其特征在于，所述引脚区包括第一引脚和与所述第一引脚相间隔的第二引脚，所述第二引脚被配置相连接并间隔的多个引脚。
3.根据权利要求2所述的ntoll封装结构，其特征在于，所述第一引脚和所述第二引脚之间的间距，以及所述第二引脚被配置的多个引脚之间的间距与s-toll封装结构的引脚间接相同。
4.根据权利要求1所述的ntoll封装结构，其特征在于，所述基岛区尺寸，所述引脚区所被配置的引脚数、引脚尺寸、引脚之间的间距，以及所述基岛区和所述引脚区之间的间距分别与s-toll封装结构相同。
5.根据权利要求1所述的ntoll封装结构，其特征在于，所述引线框架采用铜一铁系合金制成。
6.根据权利要求1所述的ntoll封装结构，其特征在于，所述塑封层由环氧塑封料形成。