本技术涉及光纤通信,尤其涉及一种半导体光放大器装置。
背景技术:
1、soa(semiconductor optical amplifier),半导体光放大器,是将光信号进行放大的一种器件,可用于提高数据传输功率和扩展传输距离。在光纤通信中,经过远距离传输后的光信号功率较低,因此,常采用在接收端前增加soa半导体光放大器来对光信号进行放大。
2、现有技术中半导体光放大器装置输出的光功率较低,一般需要外接光源才能实现较高光功率输出。
技术实现思路
1、本实用新型实施例的目的在于,提供一种半导体光放大器装置,解决现有半导体光放大器装置自身输出的光功率较低的技术问题。
2、为了解决上述技术问题,本实用新型实施例提供一种半导体光放大器装置,采用了如下所述的技术方案:
3、该半导体光放大器装置包括:种子源芯片,用于至少提供第一光源;第一激励芯片,用于对输入的光信号进行增益放大;其中,所述种子源芯片输出的第一光源传输至所述第一激励芯片,经所述第一激励芯片进行增益放大,输出第一增益光源。
4、在一些实施例的优选方案中,所述半导体光放大器装置还包括用于对输入的光信号进行增益放大的第二激励芯片、光合束器、用于改变光传输方向的第一光学组件和第二光学组件,所述第一光学组件设置在所述种子源芯片与所述第一激励芯片之间,所述第二光学组件设置在所述种子源芯片与所述第二激励芯片之间,所述种子源芯片还用于提供第二光源,所述第二光源与所述第一光源方向相反,所述第一光源经所述第一光学组件反射传输至第一激励芯片,所述第二光源经过所述第二光学组件反射传输至第二激励芯片进行增益放大,输出第二增益光源,所述第一增益光源和所述第二增益光源均传输至所述光合束器,所述光合束器接收整合第一增益光源和所述第二增益光源,输出第三增益光源。
5、在一些实施例的优选方案中,所述半导体光放大器装置还包括第一透镜结构和第二透镜结构,所述第一透镜结构设于所述种子源芯片与所述第一光学组件之间,所述第一透镜结构用于将所述种子源芯片输出的第一光源调节为平行光传输至所述第一光学组件,所述第二透镜结构设于所述种子源芯片与所述第二光学组件之间,所述第二透镜结构用于将所述种子源芯片输出的第二光源调节为平行光传输至所述第二光学组件。
6、在一些实施例的优选方案中,所述半导体光放大器装置还包括第三透镜结构和第四透镜结构,所述第三透镜结构设于所述第一光学组件与所述第一激励芯片之间,所述第三透镜结构用于将所述第一光学组件输出的光信号调节为平行光传输至所述第一激励芯片,所述第四透镜结构设于所述第一激励芯片与所述光合束器之间,所述第四透镜结构用于将所述第一激励芯片输出的第一增益光源调节为平行光传输至所述光合束器。
7、在一些实施例的优选方案中,所述半导体光放大器装置还包括第五透镜结构和第六透镜结构,所述第五透镜结构设于所述第二光学组件与所述第二激励芯片之间,所述第五透镜结构用于将所述第二光学组件输出的光信号调节为平行光传输至所述第二激励芯片,所述第六透镜结构设于所述第二激励芯片与所述光合束器之间,所述第六透镜结构用于将所述第二激励芯片输出的第二增益光源调节为平行光传输至所述光合束器。
8、在一些实施例的优选方案中,所述半导体光放大器装置还包括用于改变光传输方向的第三光学组件,所述第三光学组件设置在第一激励芯片与所述光合束器之间,所述第一激励芯片输出的第一增益光源经过所述第三光学组件反射传输至所述光合束器。
9、在一些实施例的优选方案中,所述第一光学组件、第二光学组件和第三光学组件均包括全反射镜和半反射镜中的一种。
10、在一些实施例的优选方案中,所述半导体光放大器装置还包括第一光隔离器件和第二光隔离器件,所述第一光隔离器件设于所述第一光学组件与所述第一激励芯片之间,所述第一光隔离器件用于防止所述第一激励芯片的光束反向反射回所述第一光学组件,所述第二光隔离器件设于所述第一激励芯片与所述光合束器之间,第二光隔离器件用于防止所述光合束器的光束反向反射回所述第一激励芯片。
11、在一些实施例的优选方案中,所述半导体光放大器装置还包括第三光隔离器件和第四光隔离器件,所述第三光隔离器件设于所述第二光学组件与所述第二激励芯片之间,所述第三光隔离器件用于防止所述第二激励芯片的光束反向反射回所述第二光学组件,所述第四光隔离器件设于所述第二激励芯片与所述光合束器之间,第四光隔离器件用于防止所述光合束器的光束反向反射回所述第二激励芯片。
12、在一些实施例的优选方案中,所述第一激励芯片、第二激励芯片和种子源芯片均包括激光半导体芯片。
13、与现有技术相比,本实用新型实施例提供的半导体光放大器装置主要有以下有益效果:
14、该半导体光放大器装置通过设置用于对输入的光信号进行增益放大的第一激励芯片,当种子源芯片输出的第一光源传输至第一激励芯片时,第一激励芯片对第一光源进行增益放大形成第一增益光源,增强了半导体光放大器装置输出的光功率,半导体光放大器装置无需外接光源便可实现输出较高光功率的光源。
1.一种半导体光放大器装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体光放大器装置,其特征在于,所述半导体光放大器装置还包括用于对输入的光信号进行增益放大的第二激励芯片、光合束器、用于改变光传输方向的第一光学组件和第二光学组件,所述第一光学组件设置在所述种子源芯片与所述第一激励芯片之间,所述第二光学组件设置在所述种子源芯片与所述第二激励芯片之间,所述种子源芯片还用于提供第二光源,所述第二光源与所述第一光源方向相反,所述第一光源经所述第一光学组件反射传输至第一激励芯片,所述第二光源经过所述第二光学组件反射传输至第二激励芯片进行增益放大,输出第二增益光源,所述第一增益光源和所述第二增益光源均传输至所述光合束器,所述光合束器接收整合第一增益光源和所述第二增益光源,输出第三增益光源。
3.根据权利要求2所述的半导体光放大器装置,其特征在于,所述半导体光放大器装置还包括第一透镜结构和第二透镜结构,所述第一透镜结构设于所述种子源芯片与所述第一光学组件之间,所述第一透镜结构用于将所述种子源芯片输出的第一光源调节为平行光传输至所述第一光学组件,所述第二透镜结构设于所述种子源芯片与所述第二光学组件之间,所述第二透镜结构用于将所述种子源芯片输出的第二光源调节为平行光传输至所述第二光学组件。
4.根据权利要求2所述的半导体光放大器装置,其特征在于,所述半导体光放大器装置还包括第三透镜结构和第四透镜结构,所述第三透镜结构设于所述第一光学组件与所述第一激励芯片之间,所述第三透镜结构用于将所述第一光学组件输出的光信号调节为平行光传输至所述第一激励芯片,所述第四透镜结构设于所述第一激励芯片与所述光合束器之间,所述第四透镜结构用于将所述第一激励芯片输出的第一增益光源调节为平行光传输至所述光合束器。
5.根据权利要求2所述的半导体光放大器装置,其特征在于,所述半导体光放大器装置还包括第五透镜结构和第六透镜结构,所述第五透镜结构设于所述第二光学组件与所述第二激励芯片之间,所述第五透镜结构用于将所述第二光学组件输出的光信号调节为平行光传输至所述第二激励芯片,所述第六透镜结构设于所述第二激励芯片与所述光合束器之间,所述第六透镜结构用于将所述第二激励芯片输出的第二增益光源调节为平行光传输至所述光合束器。
6.根据权利要求2至5任一项所述的半导体光放大器装置,其特征在于,所述半导体光放大器装置还包括用于改变光传输方向的第三光学组件,所述第三光学组件设置在第一激励芯片与所述光合束器之间,所述第一激励芯片输出的第一增益光源经过所述第三光学组件反射传输至所述光合束器。
7.根据权利要求6所述的半导体光放大器装置,其特征在于,所述第一光学组件、第二光学组件和第三光学组件均包括全反射镜和半反射镜中的一种。
8.根据权利要求2所述的半导体光放大器装置,其特征在于,所述半导体光放大器装置还包括第一光隔离器件和第二光隔离器件,所述第一光隔离器件设于所述第一光学组件与所述第一激励芯片之间,所述第一光隔离器件用于防止所述第一激励芯片的光束反向反射回所述第一光学组件,所述第二光隔离器件设于所述第一激励芯片与所述光合束器之间,第二光隔离器件用于防止所述光合束器的光束反向反射回所述第一激励芯片。
9.根据权利要求2所述的半导体光放大器装置,其特征在于,所述半导体光放大器装置还包括第三光隔离器件和第四光隔离器件,所述第三光隔离器件设于所述第二光学组件与所述第二激励芯片之间,所述第三光隔离器件用于防止所述第二激励芯片的光束反向反射回所述第二光学组件,所述第四光隔离器件设于所述第二激励芯片与所述光合束器之间,第四光隔离器件用于防止所述光合束器的光束反向反射回所述第二激励芯片。
10.根据权利要求2所述的半导体光放大器装置,其特征在于,所述第一激励芯片、第二激励芯片和种子源芯片均包括激光半导体芯片。