一种铁氧体电感结构的制作方法

本技术涉及电感，尤其涉及一种铁氧体电感结构。

背景技术：

1、众所周知，铁氧体具有高电阻率、高初始磁导率、低剩磁、低矫顽力、低损耗及价格低廉。但是由于铁氧体的bs较低，所以直流叠加特性较差。在同样的直流叠加磁场强度下，较早达到饱和状态。这限制了材料在某些场合的具体应用。材料的直流叠加特性除了受bs影响之外，气隙结构同样会影响材料的直流叠加特性。因此，如果进一步要提高材料的直流叠加特性，优化铁氧体的气隙结构是比较有效的方式。

2、传统的铁氧体通常开与中柱平行的气隙，该等深度气隙虽能一定程度上提高材料的直流叠加特性，但会使材料的漏感增加，减弱材料的感值等其他电磁特性。

技术实现思路

1、为达到上述目的，本实用新型提供了一种铁氧体电感结构，包括：

2、磁芯，至少具有一个第一部分，所述第一部分上设置有深度不等的气隙，所述气隙边缘处的磁力线鼓起程度逐渐减小，能够使得磁力线切割铜线的程度逐渐减小；

3、骨架，其覆盖在所述磁芯外；及

4、绕组，其绕装在所述第一部分外的所述骨架上。

5、在一些可能实现的方式中，所述磁芯由锰锌铁氧体、镍锌铁氧体或镁锌铁氧体中的一种或几种组合的材料制成。

6、在一些可能实现的方式中，所述磁芯具有中柱和至少一个旁立柱，所述气隙设置在所述中柱或旁立柱上。

7、在一些可能实现的方式中，所述磁芯包括上轭片和下轭片，所述上轭片和下轭片上均设置有所述中柱和所述旁立柱，所述上轭片上的所述中柱或旁立柱与所述下轭片上的所述中柱或旁立柱相对应并于配合面处形成所述气隙。

8、在一些可能实现的方式中，所述气隙的形状呈直角三角形，所述气隙中的气隙面为斜坡。

9、在一些可能实现的方式中，所述气隙面的倾斜角度为0～60°。

10、在一些可能实现的方式中，所述气隙的形状呈斜边为弧形的三角形，所述气隙的气隙面为弧形面。

11、在一些可能实现的方式中，所述绕组由导线以及包覆在导线外的绝缘膜构成。

12、在一些可能实现的方式中，所述导线为铜线、铝线、银线或铁线。

13、在一些可能实现的方式中，所述绝缘膜由含有聚酯类、聚氨酯类和聚酰亚胺类材料的绝缘漆涂覆在所述导线外形成。

14、相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：本实用新型的一种铁氧体电感结构，设计有深度不等的气隙，这样的设计使得将原来的气隙分为了若干段，形成梯度气隙，气隙边缘处的磁力线向外鼓起的程度逐渐减小，能够使得磁力线切割铜线的程度逐渐减小，大大减小了因磁力线切割磁芯而产生的铜损，减小了磁芯损耗。当叠加直流磁场时，气隙深度小的部分与气隙深度大的部分依次达到饱和，因此直流叠加特性表现出软饱和。

技术特征：

1.一种铁氧体电感结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种铁氧体电感结构，其特征在于，所述磁芯(10)由锰锌铁氧体、镍锌铁氧体或镁锌铁氧体中的一种或几种组合的材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种铁氧体电感结构，其特征在于，所述磁芯(10)具有中柱(12)和至少一个旁立柱(13)，所述气隙(11)设置在所述中柱(12)或旁立柱(13)上。

4.根据权利要求3所述的一种铁氧体电感结构，其特征在于，所述磁芯(10)包括上轭片(14)和下轭片(15)，所述上轭片(14)和下轭片(15)上均设置有所述中柱(12)和所述旁立柱(13)，所述上轭片(14)上的所述中柱(12)或旁立柱(13)与所述下轭片(15)上的所述中柱(12)或旁立柱(13)相对应并于配合面处形成所述气隙(11)。

5.根据权利要求1或3所述的一种铁氧体电感结构，其特征在于，所述气隙(11)的形状呈直角三角形，所述气隙(11)中的气隙面为斜坡。

6.根据权利要求5所述的一种铁氧体电感结构，其特征在于，所述气隙(11)面的倾斜角度为0～60°。

7.根据权利要求1或3所述的一种铁氧体电感结构，其特征在于，所述气隙(11)的形状呈斜边为弧形的三角形，所述气隙(11)的气隙面为弧形面。

8.根据权利要求1所述的一种铁氧体电感结构，其特征在于，所述绕组(30)由导线以及包覆在导线外的绝缘膜构成。

9.根据权利要求8所述的一种铁氧体电感结构，其特征在于，所述导线为铜线、铝线、银线或铁线。

10.根据权利要求8所述的一种铁氧体电感结构，其特征在于，所述绝缘膜由含有聚酯类、聚氨酯类和聚酰亚胺类材料的绝缘漆涂覆在所述导线外形成。

技术总结
本技术涉及电感技术领域，尤其涉及一种铁氧体电感结构，本技术的磁芯设置有深度不等的气隙，叠加直流磁场时，气隙深度小的部分与气隙深度大的部分依次达到饱和，因此直流叠加特性表现软饱和；同时这样的设计使得将原来的一段式气隙分为了若干段，形成梯度气隙，气隙边缘处的磁力线向外鼓起的程度逐渐减小，能够使得磁力线切割铜线的程度逐渐减小，减小了因磁力线切割磁芯而产生的铜损，减小了磁芯损耗，该铁氧体电感结构在损耗及抗饱和能力上具有明显优势，因此具有广泛的应用前景。

技术研发人员：王春,全东飞,徐晖,陈也也,张保清,许帅莲,吴依琳,谭颖慧
受保护的技术使用者：东电化电子（珠海）有限公司
技术研发日：20230307
技术公布日：2024/1/13