一种裙边扩大的八孔铝盘上盖的制作方法

本技术涉及八孔铝盘上盖，具体涉及一种裙边扩大的八孔铝盘上盖。

背景技术：

1、图形化蓝宝石衬底(patternedsapphiresubstrate,pss)，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用icp刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长gan材料，使gan材料的纵向外延变为横向外延。一方面可以有效减少gan外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高led的寿命；另一方面有源区发出的光，经gan和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装led的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率；综合这两方面的原因，使pss上生长的led的出射光亮度比传统的led大大提高，同时反向漏电流减小，led的寿命也得到了延长，通过上下盖封装蓝宝石衬底(也称晶圆片)，传送至干法刻蚀机器内，进行图形化蓝宝石衬底(pss刻蚀)，pss八孔铝盘上盖在生产时因部分裙边遮挡，所以在刻蚀生产过程中导致晶圆边缘峰值性能偏差，晶圆边缘无法得到充分的刻蚀，导致在刻蚀过程中晶圆边缘的峰值性能偏弱，且在刻蚀过程中，八孔铝盘下盖与上盖容易脱落，因此对于现有八孔铝盘上盖的改进，设计一种新型八孔铝盘上盖以改变上述技术缺陷，提高整体八孔铝盘上盖的实用性以及稳定性，显得尤为重要。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，包括盖体，所述盖体的正面开设有八个圆槽，所述盖体的正面且位于圆槽的外侧均设置有裙边，所述盖体的正面开设有第一限位槽，所述盖体的正面且位于第一限位槽的对立面设置有第二限位槽，所述盖体的背面设置有若干不锈钢牙丝。

4、在使用铝盘上盖时，上盖盖体正面设置八个相同结构大小的裙边，通过扩大裙边的内径，在使用其装置时，使裙边与晶圆能够进行更充分的接触，使晶圆边缘能够得到充分的刻蚀，避免了刻蚀不均匀，从而解决了刻蚀过程中晶圆边缘的峰值性能偏弱的情况，此方法使晶圆边缘得到充分的刻蚀，极大的提高了晶圆的峰值性能，八孔铝盘的正面设置有第一限位槽和第二限位槽，并与八孔铝盘下盖上的限位槽完美契合，在刻蚀过程中，第一限位槽与第二限位槽的深度均小于盖体的深度，第一限位槽和第二限位槽防止了八孔铝盘上盖与八孔铝盘下盖滑落，导致刻蚀失败，降低晶圆良率，且第一限位槽和第二限位槽与八孔铝盘下盖进行卡接，同时圆槽与八孔铝盘下盖上的圆盘进行卡接，避免了在进行刻蚀过程中，八孔铝盘上盖与八孔铝盘下盖进行晃动，导致刻蚀失败，降低晶圆良率，同时，不锈钢牙丝对八孔铝盘上盖进行了稳定作用，避免了八孔铝盘上盖在进行刻蚀过程中发生晃动，进一步的增加了晶圆良率

5、作为本实用新型优选的方案，所述不锈钢牙丝的深度小于盖体的深度。

6、作为本实用新型优选的方案，八个所述裙边的外部结构大小相同，八个所述裙边的内部结构大小相同。

7、作为本实用新型优选的方案，所述第一限位槽与第二限位槽的结构大小相同。

8、作为本实用新型优选的方案，所述裙边的深度小于盖体的深度。

9、作为本实用新型优选的方案，八个所述圆槽的结构大小相同。

10、作为本实用新型优选的方案，所述第一限位槽与第二限位槽的深度均小于盖体的深度。

11、作为本实用新型优选的方案，一个所述裙边位于盖体正面的圆心处，另外七个所述裙边分布于其外侧。

12、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

13、1.本实用新型中，通过圆槽以及裙边的设计，上盖正面设置八个相同结构大小的裙边，通过扩大裙边的内径，在使用其装置时，使晶圆边缘能够得到充分的刻蚀，避免了刻蚀不均匀，从而解决了刻蚀过程中晶圆边缘的峰值性能偏弱的情况，此方法使晶圆边缘得到充分的刻蚀，极大的提高了晶圆的峰值性能，有效的提高了八孔铝盘上盖整体的实用性。

14、2.本实用新型中，通过第一限位槽、第二限位槽以及不锈钢牙丝的设计，八孔铝盘的正面设置有第一限位槽和第二限位槽，并与八孔铝盘下盖上的限位槽完美契合，在刻蚀过程中，第一限位槽和第二限位槽防止了八孔铝盘上盖与八孔铝盘下盖滑落，导致刻蚀失败，降低晶圆良率，且第一限位槽和第二限位槽与八孔铝盘下盖进行卡接，避免了在进行刻蚀过程中，八孔铝盘上盖与八孔铝盘下盖进行晃动，导致刻蚀失败，降低晶圆良率，同时，不锈钢牙丝对八孔铝盘上盖进行了稳定作用，避免了八孔铝盘上盖在进行刻蚀过程中发生晃动，进一步的增加了晶圆良率，有效的提高了八孔铝盘上盖整体的稳定性。

技术特征：

1.一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，包括盖体(1)，其特征在于：所述盖体(1)的正面开设有八个圆槽(2)，所述盖体(1)的正面且位于圆槽(2)的外侧均设置有裙边(3)，所述盖体(1)的正面开设有第一限位槽(4)，所述盖体(1)的正面且位于第一限位槽(4)的对立面设置有第二限位槽(5)，所述盖体(1)的背面设置有若干不锈钢牙丝(6)。

2.根据权利要求1所述的一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，其特征在于：所述不锈钢牙丝(6)的深度小于盖体(1)的深度。

3.根据权利要求1所述的一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，其特征在于：八个所述裙边(3)的外部结构大小相同，八个所述裙边(3)的内部结构大小相同。

4.根据权利要求1所述的一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，其特征在于：所述第一限位槽(4)与第二限位槽(5)的结构大小相同。

5.根据权利要求1所述的一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，其特征在于：所述裙边(3)的深度小于盖体(1)的深度。

6.根据权利要求1所述的一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，其特征在于：八个所述圆槽(2)的结构大小相同。

7.根据权利要求1所述的一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，其特征在于：所述第一限位槽(4)与第二限位槽(5)的深度均小于盖体(1)的深度。

8.根据权利要求1所述的一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，其特征在于：一个所述裙边(3)位于盖体(1)正面的圆心处，另外七个所述裙边(3)分布于其外侧。

技术总结
本技术涉及八孔铝盘上盖技术领域，具体涉及一种裙边扩大的八孔铝盘上盖，包括盖体，所述盖体的正面开设有八个圆槽，所述盖体的正面且位于圆槽的外侧均设置有裙边，所述盖体的正面开设有第一限位槽，所述盖体的正面且位于第一限位槽的对立面设置有第二限位槽，所述盖体的背面设置有若干不锈钢牙丝，与现有的八孔铝盘上盖相比，本技术通过设计能够提高八孔铝盘上盖的稳定性以及实用性。

技术研发人员：金道根
受保护的技术使用者：深圳市金旺鑫半导体科技有限公司
技术研发日：20230308
技术公布日：2024/1/13