芯片互连结构的制作方法

本技术涉及芯片封装，尤其涉及一种芯片互连结构。

背景技术：

1、在芯片封装类型中，为了电子产品中pcb（印制基板）上芯片的布局面积以及pcb的制造成本的考虑，有一种兼容flip chip（倒装芯片）和wire bond（键合线）的混合式sip（系统级封装）技术，其用于将原本几个不同功能的芯片整合到一个芯片里进行封装。其中，flip chip可作为基板布线形式传输线互连通道；wire bond为键合线形式，这种形式不是传统的传输线互连通道。所以这种混合式sip封装互连设计，需要结合传输线和键合线两种不同形式来完成符合质量要求的信号传输通道。

2、而现有的在进行混合式sip封装互连设计中，通常是将采用传统的基板传输线形式实现flip chip到基板的互连，采用wire bond的键合线形式实现基板到kgd（已知合格芯片）的互连。换而言之，flip chip到基板的互连通道是通过在基板上的一导电层完成布线，然后在基板的边缘通过wire bond的键合线形式连接到kgd的pad（焊盘）上。

3、但是，wire bond的键合线形式没有良好的信号返回信号走线，如此在信号返回的过程中会造成电子信号的严重失真，不利于电子信号的传输质量。

4、因此，如何在混合式sip封装互连设计中提高电子信号的传输质量，成为亟需解决的难题。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本实用新型提供的芯片互连结构，通过设置返回信号走线、信号传输走线和电源走线的路径，能够有效的减少芯片互连结构上整个混合互连通道对信号质量的影响，从而能够在混合式芯片互连结构中提高电子信号的传输质量。

2、本实用新型提供一种芯片互连结构，包括：基板、第一芯片和第二芯片；

3、所述基板包括：第一导电层、绝缘层和第二导电层，所述绝缘层位于所述第一导电层和第二导电层之间；

4、所述第一芯片和第二芯片均固定设置在所述第一导电层上背离所述绝缘层的一侧，所述第一导电层上还设置有信号传输走线、电源走线和键合器件；

5、所述第二导电层上设置有返回信号走线，所述返回信号走线的一端与所述第一芯片电连接，所述返回信号走线的另一端与所述键合器件电连接，所述第一芯片通过所述信号传输走线和所述电源走线与所述键合器件电连接，所述键合器件通过键合线与所述第二芯片电连接；

6、所述第一芯片通过所述信号传输走线向所述第二芯片发送信号，通过所述电源走线向所述第二芯片供电，通过所述返回信号走线接收所述第二芯片发出的信号；

7、所述绝缘层开设有第一过孔和第二过孔；

8、所述返回信号走线的一端通过所述第一过孔与所述第一芯片电连接，所述返回信号走线的另一端通过所述第二过孔与所述键合器件电连接。

9、可选地，所述第二导电层上设置有锡球。

10、可选地，所述第一芯片为倒装芯片。

11、可选地，所述第一芯片朝向所述基板的一侧固定设置有多凸点，所述凸点与所述第一导电层固定连接。

12、可选地，所述第二芯片包括多个堆叠在所述基板上的子芯片。

13、本实用新型实施例提供的芯片互连结构，通过将返回信号走线设置在第二导电层，并将信号传输走线和电源走线设置在第一导电层，能够有效的减少短桩stub出现，降低信号失真的风险，使得返回信号走线更加连续、更加宽泛，改善了返回信号走线的阻抗，同时使得该芯片互连结构可兼容更多的以键合线形式实现互连的第二芯片，并降低了基板的成本和体积。

技术特征：

1.一种芯片互连结构，其特征在于，包括：基板、第一芯片和第二芯片；

2.根据权利要求1所述的芯片互连结构，其特征在于，所述第二导电层上设置有锡球。

3.根据权利要求1所述的芯片互连结构，其特征在于，所述第一芯片为倒装芯片。

4.根据权利要求1所述的芯片互连结构，其特征在于，所述第一芯片朝向所述基板的一侧固定设置有多凸点，所述凸点与所述第一导电层固定连接。

5.根据权利要求1至4任一项所述的芯片互连结构，其特征在于，所述第二芯片包括多个堆叠在所述基板上的子芯片。

技术总结
本技术提供一种芯片互连结构，其包括：基板、第一芯片和第二芯片；基板包括：第一导电层、绝缘层和第二导电层，第一芯片和第二芯片均固定设置在第一导电层背离绝缘层的一侧，第一导电层上还设置有信号传输走线、电源走线和键合器件；第二导电层上设置有返回信号走线，返回信号走线的一端与第一芯片电连接，返回信号走线的另一端与键合器件电连接，第一芯片通过信号传输走线和电源走线与键合器件电连接，键合器件通过键合线与第二芯片电连接；第一芯片通过信号传输走线向第二芯片发送信号，通过电源走线向第二芯片供电，通过返回信号走线接收第二芯片发出的信号。本技术能够在混合式SIP封装互连设计中提高电子信号的传输质量。

技术研发人员：蔡元元
受保护的技术使用者：归芯科技（深圳）有限公司
技术研发日：20230315
技术公布日：2024/1/12