射频馈入机构、工艺腔室及半导体工艺设备的制作方法

本申请属于半导体装备，具体涉及一种射频馈入机构、工艺腔室及半导体工艺设备。

背景技术：

1、感应耦合等离子体(inductively coupled plasma，icp)刻蚀机台的射频系统具有上下电极独立控制及射频多参数调整的自动化系统，具有高可靠性、可以满足多工艺窗口，以及均匀性、刻蚀速率等要求。icp刻蚀的工作原理是利用高密度等离子体轰击晶圆的表面，利用高密度的等离子体引起的化学反应和轰击产生的物理作用进行刻蚀，主要是通过射频线圈结构产生电磁场，通过电磁场激发出等离子体。作为刻蚀机必不可少的重要部件，射频馈入柱及其对应的连接套筒的两端分别连接着上射频电源、上射频匹配器和内外电感射频线圈，是射频电源传输路径中重要的桥梁。

2、然而，当前一些射频馈入结构中，上电极射频匹配器与射频馈入柱及射频连接条结合的装配工艺，可以使射频馈入柱顶端在重力和外部施加的水平方向力的作用下做圆摆运动，而连接套筒则固定在射频线圈上，从而会导致多个射频馈入柱与对应的多个连接套筒之间的平行度无法完全一致，使得同时将所有射频馈入柱与相对应的多个连接套筒分别完全贴合较为困难，如此，在射频馈入柱下降时，会导致射频馈入柱与连接套筒磨损严重，而在射频馈入柱上升时，会将连接套筒黏连拔起。因此，会导致射频馈入结构无法正常使用。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的是提供一种射频馈入机构、工艺腔室及半导体工艺设备，至少能够解决相关技术中射频馈入柱与连接套筒平行度较差导致射频馈入结构无法正常使用的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

3、本申请实施例提供了一种射频馈入机构，应用于半导体工艺设备，所述射频馈入机构包括：多个馈入柱、多个馈入套筒和射频线圈；

4、多个所述馈入套筒分别可活动地连接于所述射频线圈；

5、多个所述馈入柱各自的一端分别用于通过射频连接条与电极匹配器连接，多个所述馈入柱各自的另一端分别与多个所述馈入套筒对应插接配合。

6、本申请实施例还提供了一种工艺腔室，包括上述射频馈入机构。

7、本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备，包括上述工艺腔室。

8、本申请实施例中，通过馈入套筒与射频线圈的可活动连接，使得馈入套筒可以相对于射频线圈运动，以对馈入套筒起到调节作用，如此，在馈入柱插设至对应的馈入套筒内时，馈入套筒受到馈入柱的作用后可以进行适应性运动，通过馈入套筒的运动来调节馈入套筒与馈入柱之间的相对位置关系，从而可以减小馈入套筒与馈入柱之间的相互作用力，进而可以有效缓解馈入柱与馈入套筒之间发生严重磨损的问题，并且在拔出馈入柱时，不会将馈入套筒黏连拔起，因此，保证了射频馈入机构的正常使用，并延长了使用寿命；另外，由于馈入套筒的适应性运动减小了馈入套筒与馈入柱之间的相互作用力，还可以使馈入柱与馈入套筒之间的插接配合更加充分，以避免馈入柱没有完全插入馈入套筒中而导致馈入柱的根部与馈入套筒的口部之间存在较大间隙的情况发生，保证了馈入柱与馈入套筒之间插接配合的完好性。

技术特征：

1.一种射频馈入机构，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述射频馈入机构包括：多个馈入柱(100)、多个馈入套筒(200)和射频线圈(300)；

2.根据权利要求1所述的射频馈入机构，其特征在于，所述射频馈入机构还包括多个连接件(600)，多个所述连接件(600)分别连接于所述射频线圈(300)；

3.根据权利要求2所述的射频馈入机构，其特征在于，在垂直于所述馈入套筒(200)的轴线的平面内，所述馈入套筒(200)相对于所述连接件(600)可移动；

4.根据权利要求2或3所述的射频馈入机构，其特征在于，所述连接件(600)包括连接杆部(610)以及位于所述连接杆部(610)一端的限位端头(620)；

5.根据权利要求4所述的射频馈入机构，其特征在于，所述射频馈入机构还包括限位件(700)，所述限位件(700)设于所述馈入套筒(200)内，并与所述馈入套筒(200)面向所述射频线圈(300)的一端间隔设置，形成容纳空间(m)；

6.根据权利要求5所述的射频馈入机构，其特征在于，在第一状态下，所述限位件(700)面向所述射频线圈(300)的端面与所述限位端头(620)背离所述射频线圈(300)的端面相互贴合；

7.根据权利要求5所述的射频馈入机构，其特征在于，所述限位件(700)设有外螺纹，所述馈入套筒(200)的内壁设有内螺纹，所述限位件(700)的外螺纹与所述馈入套筒(200)的内螺纹配合连接。

8.根据权利要求2所述的射频馈入机构，其特征在于，所述射频馈入机构还包括多个线圈连接块(800)，多个所述线圈连接块(800)分别连接于所述射频线圈(300)，每个所述线圈连接块(800)设有内螺纹；

9.根据权利要求2所述的射频馈入机构，其特征在于，所述连接件(600)为弹性连接件，所述弹性连接件的一端连接于所述馈入套筒(200)面向所述射频线圈(300)的一端，所述弹性连接件的另一端连接于所述射频线圈(300)。

10.根据权利要求1所述的射频馈入机构，其特征在于，所述馈入套筒(200)在自身轴线延伸方向上各处的内径相等；

11.一种工艺腔室，其特征在于，包括权利要求1至10中任意一项所述的射频馈入机构。

12.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求11所述的工艺腔室。

技术总结
本申请公开了一种射频馈入机构、工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种射频馈入机构，应用于半导体工艺设备，所述射频馈入机构包括：多个馈入柱、多个馈入套筒和射频线圈；多个所述馈入套筒分别可活动地连接于所述射频线圈；多个所述馈入柱各自的一端分别用于通过射频连接条与电极匹配器连接，多个所述馈入柱各自的另一端分别与多个所述馈入套筒对应插接配合。本申请至少能够解决相关技术中射频馈入柱与连接套筒平行度较差导致射频馈入结构无法正常使用的问题。

技术研发人员：易兴,李瑾,胡福民
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：20230403
技术公布日：2024/1/14