一种金属剥离浸泡治具的制作方法

本技术属半导体器件制造，尤其涉及一种金属剥离浸泡治具。

背景技术：

1、半导体制造行业中，硅晶片又称晶圆片，是由硅锭加工而成的，通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，被广泛应用于集成电路的制造。晶圆在经过光刻、金属化后，在有光刻胶的地方，金属薄膜形成在光刻胶上，需要使用溶剂去除衬底上的光刻胶，胶上的金属也会一同被去除，然后获得需要的金属图形，这一过程称为剥离工艺。在不同晶圆工艺制程中，根据加工工序和加工设备的不同，需要对多个不同规格的晶圆进行浸泡，现有片盒形状复杂，制造过程困难、成本高，片盒容纳的晶圆数量受片盒长度的限制，且每个片盒仅能容纳同一种尺寸的晶圆，进一步地增加了芯片制备的成本与时间。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种金属剥离浸泡治具，以解决上述问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：

3、一种金属剥离浸泡治具，包括：

4、两相对设置的晶圆夹持块；

5、若干台阶，开设在两所述晶圆夹持块相对的侧壁上，位于两所述晶圆夹持块上的若干所述台阶一一对应设置；

6、若干安装齿，水平开设在所述台阶的侧壁上，若干所述安装齿由上至下等间隔设置，相对的两所述安装齿一一对应设置；

7、固定机构，位于两所述晶圆夹持块之间，所述固定机构额两端分别与两所述晶圆夹持块顶部固接；

8、限位机构，固接在所述台阶上。

9、优选的，所述固定机构包括：

10、夹具支架，两端分别固接有连接组件，所述连接组件与所述晶圆夹持块顶部固接。

11、优选的，所述连接组件包括：

12、两固定板，分别固接在两所述晶圆夹持块相背的一侧，所述固定板的顶端高出所述晶圆夹持块的顶端；

13、两顶部支座，分别固接在两所述固定板的顶端；

14、两顶部轴座，分别固接在两所述顶部支座的顶端，两所述顶部轴座分别固接在所述夹具支架的两端。

15、优选的，两所述顶部轴座之间转动连接有提杆。

16、优选的，所述顶部轴座上固接有提杆轴承，两所述提杆轴承同轴设置，所述提杆的两端分别穿设在两所述提杆轴承内。

17、优选的，所述限位机构包括：

18、挡轴支撑杆，固接在所述台阶的顶面上，所述挡轴支撑杆的一端伸出所述晶圆夹持块，所述挡轴支撑杆伸出所述晶圆夹持块的一端设置为弧形，所述弧形的凹面朝向另一所述晶圆夹持块；

19、晶圆块螺杆，固接在所述挡轴支撑杆上，且与所述安装齿对应设置；

20、轴套，套设在所述晶圆块螺杆的外侧壁上。

21、优选的，所述夹具支架的底面上固接有夹具轴座，所述夹具轴座位于所述夹具支架的中间处。

22、与现有技术相比，本实用新型具有如下优点和技术效果：

23、本实用新型在使用时，将晶圆片放置在相对的两安装齿之间，通过限位机构对晶圆片进行限位，然后通过固定机构将本装置与垂直提升装置以及上下晃动装置连接，本实用新型在进入浸泡池时倾斜设置，限位机构位于晶圆夹持块的下方，用于托住晶圆片；垂直提升装置带动本实用新型进入浸泡池完成浸泡，并在浸泡过程中上下晃动装置使本实用新型在浸泡过程中晃动，实现浸泡过程中可晃动治具，增加浸泡效果，提升晶圆清洁能力。

24、本实用新型中，台阶设置有多个，且台阶的大小不同，因此可以一次放置多种规格的晶圆片，节省了生产成本，增加了生产效率。

技术特征：

1.一种金属剥离浸泡治具，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种金属剥离浸泡治具，其特征在于，所述固定机构包括：

3.根据权利要求2所述的一种金属剥离浸泡治具，其特征在于，所述连接组件包括：

4.根据权利要求3所述的一种金属剥离浸泡治具，其特征在于：两所述顶部轴座(2)之间转动连接有提杆(7)。

5.根据权利要求4所述的一种金属剥离浸泡治具，其特征在于：所述顶部轴座(2)上固接有提杆轴承(8)，两所述提杆轴承(8)同轴设置，所述提杆(7)的两端分别穿设在两所述提杆轴承(8)内。

6.根据权利要求1所述的一种金属剥离浸泡治具，其特征在于，所述限位机构包括：

7.根据权利要求3所述的一种金属剥离浸泡治具，其特征在于，所述夹具支架(1)的底面上固接有夹具轴座(5)，所述夹具轴座(5)位于所述夹具支架(1)的中间处。

技术总结
本技术属半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种金属剥离浸泡治具，包括：两相对设置的晶圆夹持块；若干台阶，开设在两晶圆夹持块相对的侧壁上，位于两晶圆夹持块上的若干台阶一一对应设置；若干安装齿，水平开设在台阶的侧壁上，若干安装齿由上至下等间隔设置，相对的两安装齿一一对应设置；固定机构，位于两晶圆夹持块之间，固定机构额两端分别与两晶圆夹持块固接；限位机构，固接在台阶上。本技术中，台阶设置有多个，且台阶的大小不同，因此可以一次放置多种规格的晶圆片，节省了生产成本，增加了生产效率。

技术研发人员：任潮群,陈泳,周军奎,崔建敏,崔国江,吴荣崇,杨冬野
受保护的技术使用者：苏州芯慧联半导体科技有限公司
技术研发日：20230418
技术公布日：2024/1/13