一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备的制作方法

本申请涉及半导体，尤其涉及一种碳化硅mos芯片、电路板组件和电子设备。

背景技术：

1、目前，碳化硅电子器件由于其优秀的电气属性被广泛应用，随着电气设备发展迅速，碳化硅电子器件行业也随着发展潮流，其中，应用最广泛的为碳化硅mos芯片。

2、对于具有大电流属性的碳化硅mos芯片，其芯片面积相对于其他普通碳化硅mos芯片而言较大。但现时所有碳化硅mos芯片为一体化生产，当芯片面积较大的碳化硅mos芯片中存在一个失效点，整个碳化硅mos芯片将会被失效，无法使用。

技术实现思路

1、本申请实施例的主要目的在于提出一种碳化硅mos芯片、电路板组件和电子设备，旨在使碳化硅mos芯片在存在失效点的情况下，依旧能够在相匹配的电流环境中进行工作。

2、为实现上述目的，本申请实施例的第一方面提出了一种碳化硅mos芯片，所述碳化硅mos芯片包括多个碳化硅mos单元；

3、对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、n型衬底层、n型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构。

4、在本申请一些可能的实施例，对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括多个元胞，每个所述元胞包括基础单元；多个所述碳化硅mos单元包括多个中心mos单元、多个边侧mos单元以及多个角部mos单元；

5、各个所述中心mos单元之间相互抵接，形成中心矩阵；

6、各个所述边侧mos单元之间相互抵接，形成多个边侧矩阵，每个所述角部mos单元与相邻的两个所述边侧矩阵抵接，以形成第一包围圈，所述第一包围圈抵接包围所述中心矩阵。

7、在本申请一些可能的实施例，对于每个所述碳化硅mos单元，所述终端结构在n型外延层上形成多个浮空场环部。

8、在本申请一些可能的实施例，对于每个所述碳化硅mos单元，所述终端结构在n型外延层上形成多个场板结构。

9、在本申请一些可能的实施例，多个所述中心mos单元的所述基础单元之间距离相等。

10、在本申请一些可能的实施例，多个所述中心mos单元的所述基础单元之间间隔第一距离，多个所述边侧mos单元的所述基础单元之间间隔所述第一距离；

11、各个所述边侧mos单元的所述基础单元与所述碳化硅mos芯片的边缘间隔第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。

12、在本申请一些可能的实施例，对于每个所述角部mos单元，所述基础单元与边侧抵接mos单元间隔所述第二距离，其中，所述边侧抵接mos单元为在所述边侧矩阵中，与所述角部mos单元抵接的所述边侧mos单元。

13、在本申请一些可能的实施例，对于与所述边侧矩阵抵接的每个所述中心mos单元，所述基础单元与多个所述边侧mos单元的所述基础单元最短间隔距离为所述第一距离。

14、为实现上述目的，本申请实施例的第二方面提出了一种电路板组件，所述电路板组件包括如上述第一方面所述的碳化硅mos芯片。

15、为实现上述目的，本申请实施例的第三方面提出了一种电子设备，所述电子设备应用如上述第二方面所述的电路板组件。

16、本申请提出的一种碳化硅mos芯片、电路板组件和电子设备，该碳化硅mos芯片所述碳化硅mos芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、n型衬底层、n型外延层、栅极部、源极金属层和终端结构。通过形成多个碳化硅mos单元，使得每个碳化硅mos单元形成等同的过流能力，当有碳化硅mos单元存在失效点，其他碳化硅mos单元依旧正常分流，使得碳化硅mos芯片可以在相匹配的电流环境中依旧进行工作，减少碳化硅mos芯片由于失效点完全失效的可能性。

技术特征：

1.一种碳化硅mos芯片，其特征在于，所述碳化硅mos芯片包括多个碳化硅mos单元；

2.根据权利要求1所述的碳化硅mos芯片，其特征在于，对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括基础单元；多个所述碳化硅mos单元包括多个中心mos单元、多个边侧mos单元以及多个角部mos单元；

3.根据权利要求1所述的碳化硅mos芯片，其特征在于，对于每个所述碳化硅mos单元，所述终端结构在n型外延层上形成多个浮空场环部。

4.根据权利要求1所述的碳化硅mos芯片，其特征在于，对于每个所述碳化硅mos单元，所述终端结构在n型外延层上形成多个场板结构。

5.根据权利要求2所述的碳化硅mos芯片，其特征在于，多个所述中心mos单元的所述基础单元之间距离相等。

6.根据权利要求5所述的碳化硅mos芯片，其特征在于，多个所述中心mos单元的所述基础单元之间间隔第一距离，多个所述边侧mos单元的所述基础单元之间间隔所述第一距离；

7.根据权利要求6所述的碳化硅mos芯片，其特征在于，对于每个所述角部mos单元，所述基础单元与边侧抵接mos单元间隔所述第二距离，其中，所述边侧抵接mos单元为在所述边侧矩阵中，与所述角部mos单元抵接的所述边侧mos单元。

8.根据权利要求7所述的碳化硅mos芯片，其特征在于，对于与所述边侧矩阵抵接的每个所述中心mos单元，所述基础单元与多个所述边侧mos单元的所述基础单元最短间隔距离为所述第一距离。

9.一种电路板组件，其特征在于，所述电路板组件包括权利要求1至权利要求8中任一项所述的碳化硅mos芯片。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求9中所述的电路板组件。

技术总结
本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构。通过形成多个等同过流能力的碳化硅mos单元，减少碳化硅MOS芯片完全失效的可能性。

技术研发人员：张爱忠
受保护的技术使用者：深圳市至信微电子有限公司
技术研发日：20230428
技术公布日：2024/1/14