多芯片QFN封装器件的制作方法

本技术涉及半导体封装，特别是一种多芯片qfn封装器件。

背景技术：

1、qfn封装结构为方形扁平无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，导热性能良好。随着信息处理及传输速度要求的不断提高，qfn封装结构内部系统集成的芯片密度急剧增加，为了使得在芯片面积不增加的情况下，提高芯片密度，则会使得上层芯片散热效率降低，仅仅依靠封装底部来散热已经不能满足需求。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种多芯片qfn封装器件，以解决高密度封装结构中的散热问题。

2、一种多芯片qfn封装器件，包括基板、塑封层及塑封层内部的倒装芯片组，其中：倒装芯片组沿垂直方向堆叠于基板的正面，包括第一倒装芯片、第二倒装芯片、第二热沉、转接板；第一倒装芯片的正面电连接于基板正面；第二倒装芯片叠置在第一倒装芯片及转接板之上，正面通过转接板电连接于基板正面；第二热沉设置在第二倒装芯片的背面；塑封层，包覆所述第二热沉，且第二热沉的顶部裸露在所述塑封层外。

3、进一步的，所述多芯片qfn封装器件还包括设置于塑封层顶部的散热盖，第二热沉的顶部与所述散热盖连接。

4、进一步的，第二倒装芯片正面与第一倒装芯片背面非电性连接。

5、进一步的，所述第二倒装芯片背面通过导热胶层与第二热沉连接。

6、进一步的，在第一倒装芯片背面设有第一热沉，第一倒装芯片通过第一热沉与第二倒装芯片非电连接。

7、进一步的，所述转接板上还包括转接板防溢胶凸起；所述基板正面还包括基板防溢胶凸起。

8、进一步的，转接板防溢胶凸起位于转接板焊接第二倒装芯片金属凸点区域的边缘处；基板防溢胶凸起位于基板焊接第一倒装芯片金属凸点区域的边缘处。

9、进一步的，转接板防溢胶凸起位于近第一倒装芯片一侧的金属凸点区域的边缘；基板防溢胶凸起位于基板近第一倒装芯片一侧的金属凸点区域的边缘。

10、本实用新型与现有技术相比，其显著优点是：

11、1、本实用新型通过设置倒装芯片组沿垂直方向堆叠于基板的正面，通过堆叠结构实现了上下两层芯片与基板电连接，在不改变封装结构的面积下，提高了芯片密度，利于产品的小型化；

12、2、通过双向散热通道对多芯片qfn封装器件进行散热：主散热通道为基板背面的裸露焊盘；副散热通道为导热胶层、热沉连接至散热盖，通过双向散热通道可以有效降低多芯片qfn封装器件热量；

13、3、在转接板上设置转接板防溢胶凸起，在基板上设置基板防溢胶凸起，防止胶水溢出影响后续工序。

技术特征：

1.一种多芯片qfn封装器件，包括基板(6)、塑封层(2)及塑封层内部的倒装芯片组，其特征在于：

技术总结
本技术涉及一种多芯片QFN封装器件。多芯片QFN封装器件通过设置倒装芯片组沿垂直方向堆叠于基板的正面，通过堆叠结构实现了上下两层芯片与基板电连接，在不改变封装结构的面积下，提高了芯片密度，利于产品的小型化；通过主散热通道为基板背面的裸露焊盘和副散热通道为导热胶层、热沉连接至散热盖，双向散热通道对多芯片QFN封装器件进行散热，可以有效降低多芯片QFN封装器件热量；并且在转接板和基板上设置凸起，防止胶水溢出影响后续工序。

技术研发人员：陈一杲,苏玉燕,张璐璐,蒋丹君,倪萍
受保护的技术使用者：天芯电子科技（南京）有限公司
技术研发日：20230505
技术公布日：2024/1/15