一种双基岛复合型晶体管封装结构的制作方法

文档序号:36081015发布日期:2023-11-18 01:29阅读:62来源:国知局
一种双基岛复合型晶体管封装结构的制作方法

本技术涉及晶体管封装结构,尤其涉及一种双基岛复合型晶体管封装结构。


背景技术:

1、晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。

2、目前,出现了一种晶体管双基岛的封装结构,在一个塑封体里同时存在两个基岛,将两个芯片分别放置两个基岛里,由于将两个相关联的芯片安装在一个塑封体内部的两个基岛里,其性能稳定性得到大大增强,成本也大大降低,如现有技术中公开号为cn209249443 u的专利申请,其通过晶体管塑封盖板通过半圆限位柱插设在晶体管塑封基板的半圆沉槽中,保证了晶体管塑封盖板与晶体管塑封基板拼接封装的整齐度和准确度;通过改变传统晶体管上的散热片结构,能够提高芯片的散热效率,延长芯片的使用寿命,基岛中的芯片发出的热量能够传导至散热片一端的隔断片上,隔断片的设置增大了与热量接触的面积,通过散热片能够降低芯片的热量,散热片上的曲型槽口提高了散热片散热的效率。

3、但是该装置在进行封装的时候,将半圆限位柱卡入到半圆沉槽的内侧面对芯片进行封装,由于半圆限位柱和半圆沉槽都设置在外壳的内侧面,当需要对芯片进行维护的时候,不方便使用者进行拆卸。

4、因此,有必要提供一种双基岛复合型晶体管封装结构解决上述技术问题。


技术实现思路

1、本实用新型提供一种双基岛复合型晶体管封装结构,解决了不方便对封装结构进行拆卸然后对芯片进行维护的问题。

2、为解决上述技术问题,本实用新型提供的一种双基岛复合型晶体管封装结构,包括:

3、外壳;

4、滑槽,所述滑槽分别开设于所述外壳的内侧面的顶部,所述滑槽的内侧面的两侧的一端均固定安装有限位块;

5、弹性件,所述弹性件固定安装于所述滑槽的内侧面的一侧,所述弹性件的一侧固定安装有限位板,所述限位板的一侧固定安装有卡接板。

6、优选的,所述限位板滑动连接于所述滑槽的内侧面,所述限位板设置于所述限位块的一侧。

7、优选的,所述外壳的内侧面的底部固定安装有挡板,所述挡板的顶部设置有导热板,所述导热板的顶部固定安装有若干个散热片。

8、优选的,所述导热板的顶部设置有盖板,所述盖板设置于所述卡接板的底部。

9、优选的,所述盖板设置于所述散热片的外侧面。

10、优选的,所述挡板的顶部的四周均开设有定位孔,所述导热板的底部的四周均固定安装有限位柱。

11、优选的,所述限位柱设置于所述定位孔的内侧面。

12、与相关技术相比较,本实用新型提供的一种双基岛复合型晶体管封装结构具有如下有益效果:

13、本实用新型提供一种双基岛复合型晶体管封装结构,通过外壳、滑槽、限位块、弹性件、限位板、卡接板、挡板和盖板等结构相互进行配合,在进行使用的时候,方便使用者对盖板进行安装从而对芯片进行封装,当需要对芯片进行维修的时候,也方便使用者对盖板进行拆卸。



技术特征:

1.一种双基岛复合型晶体管封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种双基岛复合型晶体管封装结构,其特征在于,所述限位板滑动连接于所述滑槽的内侧面,所述限位板设置于所述限位块的一侧。

3.根据权利要求2所述的一种双基岛复合型晶体管封装结构,其特征在于,所述外壳的内侧面的底部固定安装有挡板,所述挡板的顶部设置有导热板,所述导热板的顶部固定安装有若干个散热片。

4.根据权利要求3所述的一种双基岛复合型晶体管封装结构,其特征在于,所述导热板的顶部设置有盖板,所述盖板设置于所述卡接板的底部。

5.根据权利要求4所述的一种双基岛复合型晶体管封装结构,其特征在于,所述盖板设置于所述散热片的外侧面。

6.根据权利要求5所述的一种双基岛复合型晶体管封装结构,其特征在于,所述挡板的顶部的四周均开设有定位孔,所述导热板的底部的四周均固定安装有限位柱。

7.根据权利要求6所述的一种双基岛复合型晶体管封装结构,其特征在于,所述限位柱设置于所述定位孔的内侧面。


技术总结
本技术提供一种双基岛复合型晶体管封装结构,包括:外壳;滑槽,所述滑槽分别开设于所述外壳的内侧面的顶部,所述滑槽的内侧面的两侧的一端均固定安装有限位块;弹性件,所述弹性件固定安装于所述滑槽的内侧面的一侧,所述弹性件的一侧固定安装有限位板,所述限位板的一侧固定安装有卡接板。所述限位板滑动连接于所述滑槽的内侧面,所述限位板设置于所述限位块的一侧。本技术提供的一种双基岛复合型晶体管封装结构,通过外壳、滑槽、限位块、弹性件、限位板、卡接板、挡板和盖板等结构相互进行配合,在进行使用的时候,方便使用者对盖板进行安装从而对芯片进行封装,当需要对芯片进行维修的时候,也方便使用者对盖板进行拆卸。

技术研发人员:陈力
受保护的技术使用者:福建福顺半导体制造有限公司
技术研发日:20230509
技术公布日:2024/1/15
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