具有色转换结构的发光体的制作方法

本技术涉及显示，具体涉及一种具有色转换结构的发光体。

背景技术：

1、相关技术中，色转换层需要通过外延生长工艺和电化学蚀刻工艺形成具有多孔结构的支撑基底，并于多孔结构中注入量子点，以制作形成色转换层，led芯片则通过常规的led芯片外延及制造工艺制成，而后，将色转换层与led芯片进行永久键合。相关技术中的色转换层均是单层结构，色转换效果和隔热效果较差。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种具有色转换结构的发光体，以解决现有技术中色转换层的色转换效果和隔热效果较差的问题。

2、为了实现上述目的，本实用新型提供一种具有色转换结构的发光体，包括依次生长于衬底上的色转换结构层和芯片外延结构层，所述色转换结构层具有与衬底连接的第一面以及与芯片外延结构层连接的第二面，所述色转换结构层包括交替层叠设置的至少两层色转换层以及至少三层隔断层，所述色转换结构层的第一面和第二面均设置有所述隔断层，所述色转换层用于将从芯片外延结构层发出的光转换为目标光色。

3、优选地，所述色转换层的厚度为大于等于40纳米且小于等于500纳米，所述隔断层的厚度为大于等于40纳米且小于等于500纳米，所述色转换结构层的总厚度为大于等于5微米且小于等于15微米。优选地所述色转换结构层的层数为大于等于11层，其中，所述色转换层的层数为大于等于5层，所述隔断层的层数为大于等于6层。

4、优选地，所述色转换结构层的层数为大于等于11层且小于等于41层，其中，所述色转换层的层数为大于等于5层且小于等于20层，所述隔断层的层数为大于等于6层且小于等于21层。

5、优选地，所述隔断层为本征氮化镓层，所述色转换层由掺杂氮化镓层制备形成，所述色转换层内设有孔洞，所述孔洞内设有量子点，所述量子点用于将从芯片外延结构层发出的光转换为目标光色。

6、优选地，所述掺杂氮化镓层为n型氮化镓层，所述n型氮化镓层和本征氮化镓层通过外延生长形成。

7、优选地，所述衬底为蓝宝石衬底，所述芯片外延结构层为发出第一光色的倒装led芯片。

8、优选地，还包括封装层，所述封装层填充于所述色转换结构层和所述倒装led芯片的周侧。

9、与现有技术相比，本实用新型具有色转换结构的发光体将色转换结构层设置为包括交替层叠设置的至少两层色转换层以及至少三层隔断层，通过多层色转换层的设置可以有效提高光色转换的效果，且层叠的设置可以增加色转换结构层的厚度，从而延长发光体产生的热量传递到发光体表面的时间，使得发光体产生的热量基本通过发光体的电极导出去，而不会在发光体的表面聚集，隔热效果好。

技术特征：

1.一种具有色转换结构的发光体，其特征在于：包括依次生长于衬底上的色转换结构层和芯片外延结构层，所述色转换结构层具有与衬底连接的第一面以及与芯片外延结构层连接的第二面，所述色转换结构层包括交替层叠设置的至少两层色转换层以及至少三层隔断层，所述色转换结构层的第一面和第二面均设置有所述隔断层，所述色转换层用于将从芯片外延结构层发出的光转换为目标光色。

2.如权利要求1所述的具有色转换结构的发光体，其特征在于：所述色转换层的厚度为大于等于40纳米且小于等于500纳米，所述隔断层的厚度为大于等于40纳米且小于等于500纳米，所述色转换结构层的总厚度为大于等于5微米且小于等于15微米。

3.如权利要求1所述的具有色转换结构的发光体，其特征在于：所述色转换结构层的层数为大于等于11层，其中，所述色转换层的层数为大于等于5层，所述隔断层的层数为大于等于6层。

4.如权利要求3所述的具有色转换结构的发光体，其特征在于：所述色转换结构层的层数为大于等于11层且小于等于41层，其中，所述色转换层的层数为大于等于5层且小于等于20层，所述隔断层的层数为大于等于6层且小于等于21层。

5.如权利要求1所述的具有色转换结构的发光体，其特征在于：所述隔断层为本征氮化镓层，所述色转换层由掺杂氮化镓层制备形成，所述色转换层内设有孔洞，所述孔洞内设有量子点，所述量子点用于将从芯片外延结构层发出的光转换为目标光色。

6.如权利要求5所述的具有色转换结构的发光体，其特征在于：所述掺杂氮化镓层为n型氮化镓层，所述n型氮化镓层和本征氮化镓层通过外延生长形成。

7.如权利要求1所述的具有色转换结构的发光体，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底，所述芯片外延结构层为发出第一光色的倒装led芯片。

8.如权利要求7所述的具有色转换结构的发光体，其特征在于：还包括封装层，所述封装层填充于所述色转换结构层和所述倒装led芯片的周侧。

技术总结
本技术公开一种具有色转换结构的发光体，包括依次生长于衬底上的色转换结构层和芯片外延结构层，所述色转换结构层具有与衬底连接的第一面以及与芯片外延结构层连接的第二面，所述色转换结构层包括交替层叠设置的至少两层色转换层以及至少三层隔断层，所述色转换结构层的第一面和第二面均设置有所述隔断层，所述色转换层用于将从芯片外延结构层发出的光转换为目标光色。本技术通过多层色转换层的设置可以有效提高光色转换的效果，且层叠的设置可以增加色转换结构层的厚度，从而延长发光体产生的热量传递到发光体表面的时间，使得发光体产生的热量基本通过发光体的电极导出去，而不会在发光体的表面聚集，隔热效果好。

技术研发人员：薛水源,庄文荣
受保护的技术使用者：东莞市中麒光电技术有限公司
技术研发日：20230515
技术公布日：2024/1/15