硅片脱落后预防碎片的保护装置的制作方法

本技术涉及硅片处理领域，更具体地说，涉及硅片脱落后预防碎片的保护装置。

背景技术：

1、在半导体制造过程中，硅片是一种重要的原材料，它通常需要与塑料板粘合在一起，以便进行切割、打磨等工序，为了将硅片和塑料板分离开，需要使用一种脱胶槽，其中注入一定温度和浓度的水和乳酸溶液，通过浸泡和冲洗的方式使硅片和塑料板脱离；

2、然而，在脱胶过程中，硅片容易受到损伤，尤其是当硅片很薄且材质较脆时，如厚度仅为0.15mm的硅片，一旦硅片出现倾斜或碰撞，就可能导致硅片破裂或产生碎片，从而影响产品质量和造成经济损失；

3、目前已有的脱胶槽设备，通常采用一种脱胶治具来固定和保护硅片，该脱胶治具仅在左右两侧有圆钢杆挡住硅片，以防止硅片在水流的冲击下移动或滑落，然而，该脱胶治具在头尾两端没有设置任何阻挡组件，因此当硅片与塑料板分离后，硅片很容易往一端倾斜或倒下，从而增加了硅片受损的风险。

技术实现思路

1、1.要解决的技术问题

2、针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供硅片脱落后预防碎片的保护装置，它可以承受住硅片一定的压力而保护硅片倾斜角度，避免硅片倾斜在治具上面，减少了硅片倒下时产生的摩擦和重量压力，从而减少了硅片的损失。

3、2.技术方案

4、为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。

5、硅片脱落后预防碎片的保护装置，包括承接架，所述承接架的内侧设置有承接仓，所述承接架的一侧且靠近底端的位置处固定有架设板，所述承接架远离所述架设板的一侧且靠近中间位置处固定有卡条；

6、所述承接仓的内侧安装有两个阻挡件，所述阻挡件用于阻挡硅片。

7、进一步的，所述阻挡件为阻挡防护板，且两个所述阻挡防护板分别架设在所述承接仓内侧的两端，所述阻挡防护板靠近所述架设板一端的底部设置有第一卡槽，所述阻挡防护板靠近所述卡条一端的中心位置处设置有第二卡槽，且所述阻挡防护板分别通过第一卡槽和所述第二卡槽与所述架设板和所述卡条相抵接。

8、进一步的，所述第一卡槽的内侧设置有多个第一卡紧弹片，所述第二卡槽的内侧设置有多个第二卡紧弹片。

9、进一步的，所述阻挡防护板的材质为环氧板。

10、进一步的，所述第一卡紧弹片和所述第二卡紧弹片为圆弧形。

11、进一步的，所述第二卡槽的深度大于所述第一卡槽的深度。

12、3.有益效果

13、相比于现有技术，本实用新型的优点在于：

14、本方案通过承接架两侧设置的阻挡防护板，使得阻挡防护板对硅片进行阻挡，进而防止硅片出现歪斜的情况，从而保护的硅片，尽量减少其出现破碎的情况，其可以承受住硅片一定的压力而保护硅片倾斜角度，避免硅片倾斜在治具上面，减少了硅片倒下时产生的摩擦和重量压力，从而减少了硅片的损失。

技术特征：

1.硅片脱落后预防碎片的保护装置，包括承接架(1)，其特征在于：所述承接架(1)的内侧设置有承接仓(2)，所述承接架(1)的一侧且靠近底端的位置处固定有架设板(3)，所述承接架(1)远离所述架设板(3)的一侧且靠近中间位置处固定有卡条(4)；

2.根据权利要求1所述的硅片脱落后预防碎片的保护装置，其特征在于：所述阻挡件为阻挡防护板(5)，且两个所述阻挡防护板(5)分别架设在所述承接仓(2)内侧的两端，所述阻挡防护板(5)靠近所述架设板(3)一端的底部设置有第一卡槽(6)，所述阻挡防护板(5)靠近所述卡条(4)一端的中心位置处设置有第二卡槽(7)，且所述阻挡防护板(5)分别通过第一卡槽(6)和所述第二卡槽(7)与所述架设板(3)和所述卡条(4)相抵接。

3.根据权利要求2所述的硅片脱落后预防碎片的保护装置，其特征在于：所述第一卡槽(6)的内侧设置有多个第一卡紧弹片(8)，所述第二卡槽(7)的内侧设置有多个第二卡紧弹片(9)。

4.根据权利要求2所述的硅片脱落后预防碎片的保护装置，其特征在于：所述阻挡防护板(5)的材质为环氧板。

5.根据权利要求3所述的硅片脱落后预防碎片的保护装置，其特征在于：所述第一卡紧弹片(8)和所述第二卡紧弹片(9)为圆弧形。

6.根据权利要求2所述的硅片脱落后预防碎片的保护装置，其特征在于：所述第二卡槽(7)的深度大于所述第一卡槽(6)的深度。

技术总结
本技术公开了硅片脱落后预防碎片的保护装置，属于硅片处理领域，硅片脱落后预防碎片的保护装置，包括承接架，承接架的内侧设置有承接仓，承接架的一侧且靠近底端的位置处固定有架设板，承接架远离架设板的一侧且靠近中间位置处固定有卡条，承接仓的内侧安装有两个阻挡件，阻挡件用于阻挡硅片，阻挡件为阻挡防护板，且两个阻挡防护板分别架设在承接仓内侧的两端，阻挡防护板靠近架设板一端的底部设置有第一卡槽，阻挡防护板靠近卡条一端的中心位置处设置有第二卡槽；它可以承受住硅片一定的压力而保护硅片倾斜角度，避免硅片倾斜在治具上面，减少了硅片倒下时产生的摩擦和重量压力，从而减少了硅片的损失。

技术研发人员：杨昊,周红岩
受保护的技术使用者：弘元新材料（徐州）有限公司
技术研发日：20230515
技术公布日：2024/1/15