一种新型无线供电平板线圈结构的制作方法

本技术涉及线圈结构，尤其是涉及一种新型无线供电平板线圈结构。

背景技术：

1、随着无线充电、供电技术的发展,应用无线供电装置的设备对电能的需求越来越多元化。现有的平板型无线供电取电器线圈绕法已经不能满足部分应用的要求，所以有必要研发一款新型绕线圈形式，在相同功率要求下，花费磁芯更少，尺寸更小，并且可以大幅度提高单位面积的取电效率和在一定程度上降低成本。

技术实现思路

1、有鉴于此，提供一种新型无线供电平板线圈结构，减少成本，提高效率，便于供电的新型无线供电平板线圈。

2、一种新型无线供电平板线圈结构，包括线圈和多个磁芯，每个所述磁芯具有两个绕线部，两个绕线部之间具有间隙以让线圈绕过，相邻两个所述磁芯的间隙错开位置以使多个间隙构成迂回的两排绕行通道，所述线圈沿着绕行通道绕线。

3、进一步地，所述磁芯有多个，每个所述磁芯呈u型或接近u型，两个绕线部互相平行。

4、进一步地，每个所述磁芯中有内侧绕线部和外侧绕线部，每个所述内侧绕线部位于线圈的内圈侧并排列成一条直线或接近一条直线，相邻两个所述磁芯的两个外侧绕线部交错地位于线圈外圈的两外侧。

5、进一步地，多个所述磁芯交叉错位放置在同一方向上。

6、进一步地，所述线圈有多个且相互串联，每个所述线圈内外紧挨，每两层绕一个所述线圈，确保所述线圈出线在同一侧不占用额外空间出线，大幅提升线圈的拾取功率，提高产品利用率。

7、进一步地，所述线圈始末端比绕线在所述磁芯部分稍长，每条所述线圈的始末端并行排列在一排上，且每个所述线圈错位布置在多个磁芯的凹槽内部组合堆叠呈椭圆形状，每个所述线圈出线方向在同一侧，提高所述线圈的使用率。

8、进一步地，多个所述线圈由内到外紧密排列，每条所述线圈沿着两排绕行通道迂回绕行并且有多层，每层包括至少一圈。

9、进一步地，多个所述线圈中的靠内一条线圈围绕内侧绕线部迂回绕行，相邻的线圈内外套圈式衔接形成多圈多层立体式线圈组合结构，每条所述线圈的始端和尾端在同一侧伸出。

10、上述新型无线供电平板线圈结构，包括线圈和磁芯，所述磁芯有多个，多个所述磁芯相邻紧挨连接，每个所述磁芯有内侧绕线部和外侧绕线部两个绕线部，这两个绕线部之间具有间隙让线圈绕过，内侧绕线部位于线圈的内圈侧并排列成一条直线或接近一条直线，相邻两个所述磁芯的两个外侧绕线部交错地位于线圈外圈的两外侧，相邻两个所述磁芯的间隙错开位置以使多个间隙构成迂回的两排绕线通道，所述线圈沿着绕行通道绕线，每条所述线圈的始端和尾端在同一侧伸出，确保所述线圈出线在同一侧不占用额外空间出线，大幅提升线圈的拾取功率，减低成本，提高产品利用率，具有广泛的应用前景。

技术特征：

1.一种新型无线供电平板线圈结构，其特征在于，包括线圈和多个磁芯，每个所述磁芯具有两个绕线部，两个绕线部之间具有间隙以让线圈绕过，相邻两个所述磁芯的间隙错开位置以使多个间隙构成迂回的两排绕行通道，所述线圈沿着绕行通道绕线。

2.如权利要求1所述的新型无线供电平板线圈结构，其特征在于，每个所述磁芯为u型或接近u型，两个绕线部互相平行。

3.如权利要求1所述的新型无线供电平板线圈结构，其特征在于，每个所述磁芯中的两个绕线部分别为内侧绕线部和外侧绕线部，各个所述内侧绕线部位于线圈的内圈侧并排列成一条直线或接近一条直线，相邻两个所述磁芯的两个外侧绕线部交错地位于线圈外圈的两外侧。

4.如权利要求1所述的新型无线供电平板线圈结构，其特征在于，多个所述磁芯沿着同一方向排列且交叉错位放置。

5.如权利要求1所述的新型无线供电平板线圈结构，其特征在于，所述线圈有多个且相互串联，每一个所述线圈内外紧挨，每两层绕一个所述线圈。

6.如权利要求3所述的新型无线供电平板线圈结构，其特征在于，所述线圈始末端比绕线在所述磁芯部分稍长，每条所述线圈的初始端并行排列在一排，错位布置在多个所述磁芯的凹槽内部，多个所述线圈组合堆叠呈椭圆形，每个所述线圈出线方向在同一侧。

7.如权利要求1所述的新型无线供电平板线圈结构，其特征在于，多个所述线圈由内到外紧密排列，每条所述线圈沿着两排绕行通道迂回绕行并有多层，每层包括至少一圈。

8.如权利要求1所述的新型无线供电平板线圈结构，其特征在于，多个所述线圈中的靠内一条线圈围绕内侧绕线部迂回绕行，相邻的线圈内外套圈式衔接形成多圈多层立体式线圈组合结构，每条所述线圈的始端和尾端在同一侧伸出。

技术总结
本技术涉及一种新型无线供电平板线圈结构，包括线圈和磁芯，每个所述磁芯具有两个绕线部，两个绕线部之间具有间隙以让线圈绕过，相邻两个所述磁芯的间隙错开位置以使多个间隙构成迂回的两排绕行通道，所述线圈沿着绕行通道绕线。其中线圈有多个且相互邻接，所述线圈绕线在错位布置的间隙构成的通道中，每一个所述线圈内外紧挨，确保所述线圈出线在同一侧不占用额外空间出线，大幅提升线圈的拾取功率，提高产品利用率。

技术研发人员：胡锦敏,梁涛,毛伟
受保护的技术使用者：深圳赫兹创新技术有限公司
技术研发日：20230518
技术公布日：2024/1/13