一种密闭式晶圆盒装载口的制作方法

文档序号:36060327发布日期:2023-11-17 21:20阅读:18来源:国知局
一种密闭式晶圆盒装载口的制作方法

本技术涉及半导体制造设备,具体涉及一种密闭式晶圆盒装载口。


背景技术:

1、半导体行业中6、8英寸晶圆盒为了保证洁净度,通常使用smif(standardmechanical interface)形式的密闭式晶圆盒进行晶圆装载。

2、随着芯片制造中先进制程的发展,芯片图案趋于精细化,为了控制芯片的良率,对芯片过程中晶圆所接触到的气体氛围控制愈发严格。例举1,在芯片制造过程中,晶圆暴露在空气中接触氧气、水气会发生缓慢氧化,生成的很薄的二氧化硅氧化膜可能影响芯片中晶体管电性能。行业通常通入经过加热后的氮气,置换出密闭式晶圆盒中的氧气,降低湿度。

3、例举2,半导体制程涉及很多化学工艺,例如晶圆刻蚀工艺,会使用到氯气、溴气等强酸性气体,在刻蚀制程完成后,晶圆表面可能会有残余的杂质。前一道工艺中残余的杂质如果带入当前工艺中,可能会造成工艺设备的污染及芯片良率的下降,因此在制程开始的时候,会考虑对晶圆进行气体吹扫,置换晶圆表面或者密闭式晶圆盒中残余的气体。

4、因此,如何解决上述两个问题,是本技术领域关注的焦点。


技术实现思路

1、本实用新型的目的是提出一种密闭式晶圆盒装载口,至少能够解决晶圆在工艺前被氧化的问题。

2、为了实现上述目的,本实用新型提供了一种密闭式晶圆盒装载口,用于安装在半导体制程设备前端模块的前方,所述装载口包括:

3、阻挡单元,设置在所述装载口的基板传输接口处,用于控制所述装载口与所述半导体制程设备前端模块的气体流通;

4、进气单元,一端连接于气源,另一端通入所述装载口的密封腔中;

5、排气单元,连通于所述密封腔,用于将所述密封腔中的气体排出;

6、控制单元,用于控制所述阻挡单元、所述进气单元和所述排气单元的工作状态。

7、可选方案中,所述阻挡单元包括:

8、挡板;

9、水平向移动组件,连接于所述挡板,能够带动所述挡板在水平方向上靠近/远离所述基板传输接口;

10、垂向移动组件,连接于所述水平向移动组件,能够带动所述水平向移动组件和所述挡板在竖向方向上靠近/远离所述基板传输接口。

11、可选方案中,所述挡板的表面具有钝化层。

12、可选方案中,所述密封腔的底板设有进气口和排气口,所述进气单元和所述排气单元分别连通于所述进气口和所述排气口。

13、可选方案中,所述密封腔中设有垂向风道和水平向风道,所述垂向风道的底部连通于所述进气口,顶部延伸至所述装载口的水平台,所述水平向风道位于所述底板上方,一端与所述垂向风道的底部连通,另一端为开放端,所述开放端靠近所述排气口。

14、可选方案中,所述垂向风道朝向所述基板传输接口的一侧设有多个通气孔。

15、可选方案中,所述水平风道中设置有风机,所述风机的后端依次设置气体止回阀和过滤器。

16、可选方案中,所述密封腔中还设有氧浓度传感器,用于检测氧气浓度;所述装载口上设置有用于指示氧气浓度的指示灯。

17、可选方案中,所述进气单元包括进气管道,以及安装在所述进气管道上的进气电磁阀和质量流量控制器;所述排气单元包括排气管道,以及安装在所述排气管道上的排气电磁阀和质量流量控制器。

18、可选方案中,所述装载口包括:

19、承载台,用于承载晶圆盒;

20、传动机构,连接于所述承载台,用于带动所述承载台上下运动;

21、所述传动机构的底部安装在所述密封腔的底板上,所述垂直风道避开所述传动机构的底部,相对于所述传动机构的底部呈对称结构,所述进气口的数量为两个,相对于所述传动机构的底部对称设置。

22、本实用新型的有益效果在于:

23、本实用新型在装载口的基板传输接口处设置阻挡单元,装载口内部形成了密闭式区域,防止置换出的残余气体进入设备前端模块efem(equipment front end module)内部,污染efem内部环境。同时惰性气体氮气作为装载口内部的填充气体,避免晶圆表面发生氧化。

24、进一步地,在装载口内部设置风机,提到气体内循环,减少氮气的使用量;在风机后增加气体过滤器,进一步过滤装载口内部循环氮气时残余的颗粒、化学气体等。



技术特征:

1.一种密闭式晶圆盒装载口,用于安装在半导体制程设备前端模块的前方,其特征在于,所述装载口包括:

2.如权利要求1所述的密闭式晶圆盒装载口,其特征在于,所述阻挡单元包括:

3.如权利要求2所述的密闭式晶圆盒装载口,其特征在于,所述挡板的表面具有钝化层。

4.如权利要求1所述的密闭式晶圆盒装载口,其特征在于,所述密封腔的底板设有进气口和排气口,所述进气单元和所述排气单元分别连通于所述进气口和所述排气口。

5.如权利要求4所述的密闭式晶圆盒装载口,其特征在于,所述密封腔中设有垂向风道和水平向风道,所述垂向风道的底部连通于所述进气口,顶部延伸至所述装载口的水平台,所述水平向风道位于所述底板上方,一端与所述垂向风道的底部连通,另一端为开放端,所述开放端靠近所述排气口。

6.如权利要求5所述的密闭式晶圆盒装载口,其特征在于,所述垂向风道朝向所述基板传输接口的一侧设有多个通气孔。

7.如权利要求5所述的密闭式晶圆盒装载口,其特征在于,所述水平向风道中设置有风机,所述风机的后端依次设置气体止回阀和过滤器。

8.如权利要求1所述的密闭式晶圆盒装载口,其特征在于,所述密封腔中还设有氧浓度传感器,用于检测氧气浓度;所述装载口上设置有用于指示氧气浓度的指示灯。

9.如权利要求1所述的密闭式晶圆盒装载口,其特征在于,所述进气单元包括进气管道,以及安装在所述进气管道上的进气电磁阀和质量流量控制器;所述排气单元包括排气管道,以及安装在所述排气管道上的排气电磁阀和质量流量控制器。

10.如权利要求6所述的密闭式晶圆盒装载口,其特征在于,所述装载口包括:


技术总结
本技术提供了一种密闭式晶圆盒装载口,用于安装在半导体制程设备前端模块的前方,所述装载口包括:阻挡单元,设置在所述装载口的基板传输接口处,用于控制所述装载口与所述半导体制程设备前端模块的气体流通;进气单元,一端连接于气源,另一端通入所述装载口的密封腔中;排气单元,连通于所述密封腔,用于将所述密封腔中的气体排出;控制单元,用于控制所述阻挡单元、所述进气单元和所述排气单元的工作状态。本技术至少能够解决晶圆在工艺前被氧化的问题。

技术研发人员:余涛,张明辉,张晗
受保护的技术使用者:乐孜芯创半导体设备(上海)有限公司
技术研发日:20230523
技术公布日:2024/1/15
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