一种抗静电的TFT结构的制作方法

本技术涉及一种tft结构，更确切地说，是一种抗静电的tft结构。

背景技术：

1、传统的tft结构由于制程静电的造成极大的损耗，且产品有极大的可靠性风险。

2、如图1所示，传统的tft结构(tft,即thin film transistor，意为薄膜晶体管)的底部为衬底100，该衬底100的上表面上设有ge层200(ge层，即金属栅层)，该ge层200的上表面上设有as层500(as层，即有源层)，该as层500的上表面上设有sd层300(sd层，即金属源漏层)，该sd层300的上表面上设有bp层400(bp层，即钝化层)，该bp层400的上表面上设有ito层700(ito层，即透明电极层)。

3、这种传统的tft结构的as层500采用化学沉积法成膜然后直接成像，由于as属于半导体材料，导电能力较弱，极易形成静电。

4、中国发明专利文献cn201410805056.4公开了一种显示设备的抗静电装置，所述抗静电装置包括：第一开关薄膜晶体管(tft)，其中有源层由氧化物形成；第二开关薄膜晶体管，其中有源层由氧化物形成；均衡器薄膜晶体管，其中有源层由非晶硅形成，其中所述均衡器薄膜晶体管包括：光屏蔽部，所述光屏蔽部由非晶硅形成，并用作有源层；在所述光屏蔽部上形成的第一栅绝缘层；与所述光屏蔽部的一侧相连的源极；和与所述光屏蔽部的另一侧相连的漏极，其中在所述第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管之中的每一个中，在所述由氧化物形成的有源层下方形成由非晶硅形成的光屏蔽部，并且在所述由非晶硅形成的光屏蔽部和所述由氧化物形成的有源层之间形成绝缘层。其中，所述第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管中的每一薄膜晶体管的栅绝缘层的厚度不同于所述均衡器薄膜晶体管的栅绝缘层的厚度。其中，所述第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管中的每一薄膜晶体管的开关速度不同于所述均衡器薄膜晶体管的开关速度。其中，所述第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管中的每一薄膜晶体管包括：由氧化物形成的有源层；在所述有源层上形成的第二栅绝缘层；与所述有源层的一侧相连的源极；和与所述有源层的另一侧相连的漏极。其中，所述第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管中的每一薄膜晶体管的栅极和源极彼此连接，所述第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管中的每一薄膜晶体管作为二极管来工作，所述第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管的漏极连接至所述均衡器薄膜晶体管的栅极，所述均衡器薄膜晶体管的源极连接至所述第一开关薄膜晶体管的源极，以及所述均衡器薄膜晶体管的漏极连接至所述第二开关薄膜晶体管的源极。

5、显然，该专利利用多个均衡器来抑制静电，并无法解决现有的as层的半导体特性所带来的静电导流问题。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种抗静电的tft结构，包含衬底，所述的衬底的上表面上设有ge层，所述的ge层的上表面上设有as层，所述的as层的上表面上设有静电导流层，所述的静电导流层的上表面上设有sd层，所述的sd层的上表面上设有bp层，所述的bp层的上表面上设有ito层。由于静电导流层为钼制成，金属导电能力较强，在制程中可以快速将电荷移除，极大程度规避制程中的静电累积，增加了产品稳定性。该抗静电的tft结构规避了制程静电，形成良好的抗静电结构，同时还降低了产品损耗。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型采用了如下所述的技术方案：

3、一种抗静电的tft结构，其特征在于，所述的抗静电的tft结构包含衬底，所述的衬底的上表面上设有ge层，所述的ge层的上表面上设有as层，所述的as层的上表面上设有静电导流层，所述的静电导流层的上表面上设有sd层，所述的sd层的上表面上设有bp层，所述的bp层的上表面上设有ito层。

4、作为本实用新型提供的所述的抗静电的tft结构的一种优选实施方式，所述的bp层包含倒锥形的沉积体，所述的沉积体贯穿所述的sd层、静电导流层和as层。

5、作为本实用新型提供的所述的抗静电的tft结构的一种优选实施方式，所述的静电导流层为金属层。

6、作为本实用新型提供的所述的抗静电的tft结构的一种优选实施方式，所述的金属层为钼层。

7、作为本实用新型提供的所述的抗静电的tft结构的一种优选实施方式，所述的静电导流层的厚度为0.4～0.8微米。

8、作为本实用新型提供的所述的抗静电的tft结构的一种优选实施方式，所述的静电导流层的厚度为0.6微米。

9、作为本实用新型提供的所述的抗静电的tft结构的一种优选实施方式，所述的静电导流层包含一对相对设置的导流基片，所述的导流基片之间设有预设的隔离间距，所述的导流基片包含水平设置的第一导流片、倾斜设置的第二导流片和水平设置的第三导流片。

10、作为本实用新型提供的所述的抗静电的tft结构的一种优选实施方式，所述的第三导流片的末端均设有纵向设置的第四导流片。

11、作为本实用新型提供的所述的抗静电的tft结构的一种优选实施方式，所述的第三导流片的末端均设有倾斜设置的第五导流片。

12、作为本实用新型提供的所述的抗静电的tft结构的一种优选实施方式，所述的第五导流片的倾斜角度为10°。

13、与现有技术相比，本实用新型有以下有益效果：

14、本实用新型提供一种抗静电的tft结构，该抗静电的tft结构在传统的tft产品结构上，在as层成膜完成后，继续沉积静电导流层，成像后再把多余的金属层湿刻掉。由于静电导流层为钼制成，金属导电能力较强，在制程中可以快速将电荷移除，极大程度规避制程中的静电累积，增加了产品稳定性。该抗静电的tft结构规避了制程静电，形成良好的抗静电结构，同时还降低了产品损耗。

15、另外，可以在该第三导流片的末端均设置纵向设置的第四导流片。由于第四导流片纵向设置，在第三导流片的侧部形成隔离屏障，使得第三导流片底部的静电快速被抽走，规避制程中的静电累积，进一步增加了产品稳定性。

16、另外，可以在该第三导流片的末端均设置倾斜设置的第五导流片。由于第四导流片倾斜设置，在第三导流片的侧部形成隔离屏障，使得第三导流片底部的静电快速被抽走，规避制程中的静电累积，进一步增加了产品稳定性。由于第五导流片呈倾斜设置，两个第五导流片形成倒锥形结构，能更好地与bp层的沉积体相配合。

技术特征：

1.一种抗静电的tft结构，其特征在于，所述的抗静电的tft结构包含衬底(1)，所述的衬底(1)的上表面上设有ge层(2)，所述的ge层(2)的上表面上设有as层(5)，所述的as层(5)的上表面上设有静电导流层(6)，所述的静电导流层(6)的上表面上设有sd层(3)，所述的sd层(3)的上表面上设有bp层(4)，所述的bp层(4)的上表面上设有ito层(7)。

2.根据权利要求1所述的抗静电的tft结构，其特征在于，所述的bp层(4)包含倒锥形的沉积体(41)，所述的沉积体(41)贯穿所述的sd层(3)、静电导流层(6)和as层(5)。

3.根据权利要求1所述的抗静电的tft结构，其特征在于，所述的静电导流层(6)为金属层。

4.根据权利要求3所述的抗静电的tft结构，其特征在于，所述的金属层为钼层。

5.根据权利要求3所述的抗静电的tft结构，其特征在于，所述的静电导流层(6)的厚度为0.4～0.8微米。

6.根据权利要求5所述的抗静电的tft结构，其特征在于，所述的静电导流层(6)的厚度为0.6微米。

7.根据权利要求1所述的抗静电的tft结构，其特征在于，所述的静电导流层(6)包含一对相对设置的导流基片(61)，所述的导流基片(61)之间设有预设的隔离间距(d)，所述的导流基片(61)包含水平设置的第一导流片(611)、倾斜设置的第二导流片(612)和水平设置的第三导流片(613)。

8.根据权利要求7所述的抗静电的tft结构，其特征在于，所述的第三导流片(613)的末端均设有纵向设置的第四导流片(614)。

9.根据权利要求7所述的抗静电的tft结构，其特征在于，所述的第三导流片(613)的末端均设有倾斜设置的第五导流片(615)。

10.根据权利要求9所述的抗静电的tft结构，其特征在于，所述的第五导流片(615)的倾斜角度为10°。

技术总结
本技术公开了一种抗静电的TFT结构，包含衬底，所述的衬底的上表面上设有GE层，所述的GE层的上表面上设有AS层，所述的AS层的上表面上设有静电导流层，所述的静电导流层的上表面上设有SD层，所述的SD层的上表面上设有BP层，所述的BP层的上表面上设有ITO层。由于静电导流层为钼制成，金属导电能力较强，在制程中可以快速将电荷移除，极大程度规避制程中的静电累积，增加了产品稳定性。该抗静电的TFT结构规避了制程静电，形成良好的抗静电结构，同时还降低了产品损耗。

技术研发人员：李相科,陈锦长,温祖灿,林晓涛,林建伟
受保护的技术使用者：信利半导体有限公司
技术研发日：20230529
技术公布日：2024/1/15