本技术涉及ibc太阳能电池领域，尤其涉及背接触太阳能电池的背面结构及背接触太阳能电池。
背景技术：
1、ibc电池即叉指状背接触电池，是一种正面无任何电极遮挡，将发射区和基区均设计于电池背面的一种新型结构电池，即背面既有p区，也有n区；如果硅片采用p型硅片，n区即为发射区，也就是pn结区，p区即为基区；如果硅片采用n型硅片，基区为n区，发射区为p区。发射结区在硅片背面的面积占比会影响ibc电池的转换效率，理论上比例大于70％以上效率会有明显的提升；但是p和n区是交替均匀分布在硅片的背面，发射结的比例也很难无限制的增大。
2、现有技术的p型硅片背面结构如图1所示，p区宽度大于正电极副栅线宽度，正电极副栅线宽度大于激光开槽区宽度；由于正电极副栅线一般采用al副栅线，其宽度一般较大，为90～200微米；为了防止正电极副栅线短路，必须将p区宽度做大，使其大于al副栅线宽度；这样导致p区的面积较大，同理会导致发射区比例的下降。这种设计下ibc电池的转换效率的提升受到很大的限制。因此需要开发一种ibc电池，使其发射结比例大大提升，从而提升其转换效率。
技术实现思路
1、本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种背接触太阳能电池的背面结构，其在不影响正电极副栅欧姆接触的前提下，降低了基区的面积比例，提高了发射结的面积比例，从而提升电池转换效率。
2、为解决上述问题，本实用新型提供了一种背接触太阳能电池的背面结构，包括交替分布的发射结区和基区，所述基区包括基区和设置在所述基区周围的绝缘区，所述基区和部分所述绝缘区上设置有正电极副栅线，所述发射结区上设置有负电极副栅线，所述基区中设置有激光开槽区，所述正电极副栅线的宽度大于所述基区的宽度，并且所述正电极副栅线覆盖所述激光开槽区和所述基区。
3、在一种实施方式中，所述基区包括若干个相互间隔的第一基区，若干个所述第一基区排列在同一水平线上；
4、所述基区的宽度为60μm～150μm；
5、所述正电极副栅线的宽度为90μm～200μm。
6、在一种实施方式中，所述激光开槽区的宽度小于所述基区的宽度；
7、所述绝缘区的宽度大于所述正电极副栅线的宽度。
8、优选地，所述激光开槽区的宽度为20μm～40μm；
9、所述绝缘区的宽度比所述正电极副栅线的宽度大100μm～300μm。
10、在一种实施方式中，所述激光开槽区为激光连续线或激光虚线。
11、优选地，所述激光虚线的实线和虚线的比例为1：(1～5)。
12、在一种实施方式中，所述绝缘区为聚酰亚胺绝缘区或环氧树脂绝缘区，厚度为30μm～50μm。
13、在另一种实施方式中，所述绝缘区为非晶硅绝缘区或氧化铝绝缘区，厚度为200nm～400nm。
14、在一种实施方式中，所述负电极副栅线为ag栅线，所述正电极副栅线为al栅线。
15、相应地，本实用新型还提供了一种背接触太阳能电池，所述背接触太阳能电池包括上述的背接触太阳能电池的背面结构。
16、本实用新型，具有如下有益效果：
17、本实用新型提供的背接触太阳能电池的背面结构，包括交替分布的发射结区和基区，所述基区周围设有绝缘区，所述基区和部分所述绝缘区上设置有正电极副栅线，所述发射结区上设置有负电极副栅线，所述基区中设置有激光开槽区，所述正电极副栅线的宽度大于所述基区的宽度，并且所述正电极副栅线覆盖所述激光开槽区和所述基区。
18、本实用新型将基区的宽度降低，并在所述基区周围设置绝缘区，从而能够降低基区宽度，将所述正电极副栅线设置在所述激光开槽区和所述基区上面，一方面能够通过激光开槽位置和硅片形成欧姆接触，另一方面所述正电极副栅线一部分设置在所述基区上面，另一部分设置在所述绝缘区上面，能够实现降低基区宽度的同时防止短路。最终本实用新型提供一种背接触太阳能电池的背面结构，其在不影响正电极副栅欧姆接触的前提下，降低了基区的面积比例，提高了发射结的面积比例，从而提升电池转换效率。
1.一种背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，包括交替分布的发射结区和基区，所述基区周围设有绝缘区，所述基区和部分所述绝缘区上设置有正电极副栅线，所述发射结区上设置有负电极副栅线，所述基区中设置有激光开槽区，所述正电极副栅线的宽度大于所述基区的宽度，并且所述正电极副栅线覆盖所述激光开槽区和所述基区。
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述基区包括若干个相互间隔的第一基区，若干个所述第一基区排列在同一水平线上；
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述激光开槽区的宽度小于所述基区的宽度；
4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述激光开槽区的宽度为20μm~40μm；
5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述激光开槽区为激光连续线或激光虚线。
6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述激光虚线的实线和虚线的比例为1:1~1:5。
7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述绝缘区为聚酰亚胺绝缘区或环氧树脂绝缘区，厚度为30μm~50μm。
8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述绝缘区为非晶硅绝缘区或氧化铝绝缘区，厚度为200nm~400nm。
9.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述负电极副栅线为ag栅线，所述正电极副栅线为al栅线。
10.一种背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池包括如权利要求1~9任意一项所述的背接触太阳能电池的背面结构。