进气装置及半导体工艺设备的制作方法

本技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种进气装置及半导体工艺设备。

背景技术：

1、半导体制造工艺中，采用立式炉对硅片进行热处理是一种普遍应用的方式。具体的，立式炉具有反应腔室，向反应腔室内通入氧气，硅片与氧气发生氧化反应而生成氧化膜。

2、为了促进氧化反应，相关技术的一种示例中，立式炉设有容器、进气管和出气管，容器内盛有液态二氯乙烯(c2h2cl2)，出气管的一端与容器连通、另一端与反应腔室连通，进气管的流出端伸入至液态二氯乙烯中，并向进气管的流入端通入携带气体，携带气体不溶于液态二氯乙烯。这样，携带气体经进气管流入至液态二氯乙烯，之后在液态二氯乙烯中形成气泡，气泡上升至液面上方后携带二氯乙烯经出气管流入反应腔室，二氯乙烯能够有助于提升氧化反应的效果。

3、但是，采用这种方式，经由同一工艺制备得到的硅片形成的氧化膜的厚度存在较大的差异。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种进气装置及半导体工艺设备。

2、为实现本实用新型的目的而提供一种进气装置，包括：容器、进气管、导气管和浮子；

3、容器内部盛装有能够蒸发形成气体的液体；

4、进气管的流入端与气源连通、流出端伸入至容器内；

5、导气管具有进气端和出气端，进气端与流出端连通，且进气端通过转动轴与进气管的流出端转动连接，出气端具有至少一个出气孔，出气端与浮子连接，浮子浮于液体的液面上，浮子能够随液体的液面的升降而升降，且浮子随液体的液面升降时，进气端相对于进气管绕转动轴转动，所有出气孔均位于液体的液面下方，且出气孔与液体的液面的距离保持不变。

6、如上所述的进气装置，其中，进气管的流出端伸入至液体中。

7、如上所述的进气装置，其中，进气管的流出端具有倾斜段，倾斜段由导气管的进气端伸入至导气管内；倾斜段具有第一端和第二端，第一端位于第二端的上游，倾斜段的第一端至第二端的延伸方向与竖直向上的方向之间的夹角为锐角。

8、如上所述的进气装置，其中，进气管的流出端具有弯折段，弯折段与倾斜段的第一端连接。

9、如上所述的进气装置，其中，弯折段呈弧形，转动轴可转动地设置于弯折段朝向其圆心的一侧。

10、如上所述的进气装置，其中，浮子为空心浮球。

11、如上所述的进气装置，其中，空心浮球上设有连接部，连接部与导气管的出气端铰接。

12、如上所述的进气装置，其中，出气端具有多个出气孔时，导气管的出气端的管壁上设有贯穿其厚度的出气孔。

13、如上所述的进气装置，其中，进气管、导气管以及浮子是由耐腐蚀材料制成；或者，进气管及导气管的内表面具有耐腐蚀层、且浮子的外表面具有耐腐蚀层。

14、作为另一个技术方案，本实用新型实施例还提供一种半导体工艺设备，包括反应腔室、出气管和本实用新型实施例提供的进气装置，出气管的一端与进气装置的容器内部连通，出气管的另一端与反应腔室连通，以向反应腔体内通入气体。

15、本实用新型具有以下有益效果：

16、本实用新型提供的进气装置及具备该进气装置的半导体工艺设备，通过构造导气管的进气端与进气管的流出端连通并转动连接，导气管的出气端与浮于液面的浮子连接，浮子能够随液体的液面的升降而升降，且浮子随液体的液面升降时，导气管上的出气孔与液面的距离保持不变，以使气泡从出气孔至液面的距离不随液面变化而变化，以利于确保气泡可携带的气体的气量基本维持不变，从而确保经由同一热处理工艺每次制得的硅片形成的氧化膜的厚度均匀。

技术特征：

1.一种进气装置，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：容器、进气管、导气管和浮子；

2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述进气管的流出端伸入至所述液体中。

3.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述进气管的流出端具有倾斜段，所述倾斜段由所述导气管的进气端伸入至所述导气管内；

4.根据权利要求3所述的进气装置，其特征在于，所述进气管的流出端具有弯折段，所述弯折段与所述倾斜段的所述第一端连接。

5.根据权利要求4所述的进气装置，其特征在于，所述弯折段呈弧形，所述转动轴可转动地设置于所述弯折段朝向其圆心的一侧。

6.根据权利要求1至5任一项所述的进气装置，其特征在于，所述浮子为空心浮球。

7.根据权利要求6所述的进气装置，其特征在于，所述空心浮球上设有连接部，所述连接部与所述导气管的出气端铰接。

8.根据权利要求1至5任一项所述的进气装置，其特征在于，所述出气端具有多个出气孔时，所述导气管的出气端的管壁上设有贯穿其厚度的所述出气孔。

9.根据权利要求1至5任一项所述的进气装置，其特征在于，所述进气管、所述导气管以及所述浮子是由耐腐蚀材料制成；或者，所述进气管及所述导气管的内表面具有耐腐蚀层、且所述浮子的外表面具有耐腐蚀层。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：

技术总结
本技术提供一种进气装置及半导体工艺设备，进气装置包括容器、进气管、导气管和浮子；容器内部盛装有能够蒸发形成气体的液体；进气管的流入端与气源连通、流出端伸入至容器内；导气管具有进气端和出气端，进气端与流出端连通，且进气端通过转动轴与进气管的流出端转动连接，出气端具有至少一个出气孔，出气端与浮子连接，浮子浮于液体的液面上，浮子能够随液体的液面的升降而升降，且浮子随液体的液面升降时，进气端相对于进气管绕转动轴转动，所有出气孔均位于液体的液面下方，且出气孔与液体的液面的距离保持不变。应用本技术可以确保经由同一热处理工艺每次制得的硅片形成的氧化膜的厚度均匀。

技术研发人员：孙晋博
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：20230609
技术公布日：2024/1/15