一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构的制作方法

本技术涉及晶体管，具体为一种基于mos晶体管的防击穿保护结构。

背景技术：

1、晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，由两个pn结构成，按极性分为锗npn型晶体管、硅npn型晶体管、锗pnp晶体管和硅pnp型晶体管。晶体管按功能和用途为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

2、在现有技术中，晶体管使用过程时可能会因为电流过大击穿该晶体管，缺少一种能够防止晶体管被击穿的保护结构。

3、于是，有鉴于此，针对现有的结构不足予以研究改良，提出一种基于mos晶体管的防击穿保护结构。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种基于mos晶体管的防击穿保护结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种基于mos晶体管的防击穿保护结构，包括晶体管主体和连接电路，所述晶体管主体的内部设置有连接电路，且连接电路的上端设置有断路器，所述连接电路的下端设置有熔断器。

3、优选的，所述晶体管主体的表面开设有散热孔，且散热孔3分布两排排列在晶体管主体1表面。

4、优选的，所述晶体管主体的内部固定连接有散热片，且散热片4分布在连接电路7的两侧。

5、优选的，所述连接电路的下端设置有分流器，且分流器8将连接电路7分为三条电路。

6、优选的，所述分流器的下端固定连接有端体，且端体2的前端设置为方形下方为圆柱体。

7、优选的，所述端体的表面设置有栅绝缘层，且栅绝缘层9包裹在端体2外侧。

8、优选的，所述端体卡合连接在晶体管主体的下端，且端体2插入晶体管主体1内部。

9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

10、1.本实用新型通过断路器、熔断器和连接电路的设置，当电流进过连接电路时被外界连接的主控制器监测，当有过量的电流进入晶体管主体时断路器断开工作，从而防止了晶体管主体被击穿，当一次性电流过大时，断路器来不及工作，熔断器受电流高温加热被熔断开，从而保护了晶体管主体；

11、2.本实用新型通过晶体管主体、散热孔和散热片的设置，当晶体管主体内部温度过高时，散热片可以通过散热孔将热量排出，从而保护了晶体管主体的内部元件，防止连接电路因温度过高降低使用寿命，容易被电流击穿；

12、3.本实用新型通过端体和栅绝缘层的设置，栅绝缘层中形成高阻区，使得静电释放时，栅绝缘层中电流横向扩散，增加了端体的抗静电击穿能力。

技术特征：

1.一种基于mos晶体管的防击穿保护结构，包括晶体管主体(1)和连接电路(7)，其特征在于，所述晶体管主体(1)的内部设置有连接电路(7)，且连接电路(7)的上端设置有断路器(5)，所述连接电路(7)的下端设置有熔断器(6)。

2.根据权利要求1所述的一种基于mos晶体管的防击穿保护结构，其特征在于，所述晶体管主体(1)的表面开设有散热孔(3)，且散热孔(3)分布两排排列在晶体管主体(1)表面。

3.根据权利要求1所述的一种基于mos晶体管的防击穿保护结构，其特征在于，所述晶体管主体(1)的内部固定连接有散热片(4)，且散热片(4)分布在连接电路(7)的两侧。

4.根据权利要求1所述的一种基于mos晶体管的防击穿保护结构，其特征在于，所述连接电路(7)的下端设置有分流器(8)，且分流器(8)将连接电路(7)分为三条电路。

5.根据权利要求4所述的一种基于mos晶体管的防击穿保护结构，其特征在于，所述分流器(8)的下端固定连接有端体(2)，且端体(2)的前端设置为方形下方为圆柱体。

6.根据权利要求5所述的一种基于mos晶体管的防击穿保护结构，其特征在于，所述端体(2)的表面设置有栅绝缘层(9)，且栅绝缘层(9)包裹在端体(2)外侧。

7.根据权利要求5所述的一种基于mos晶体管的防击穿保护结构，其特征在于，所述端体(2)卡合连接在晶体管主体(1)的下端，且端体(2)插入晶体管主体(1)内部。

技术总结
本技术公开了一种基于MOS晶体管的防击穿保护结构，涉及晶体管技术领域，包括包括晶体管主体和连接电路，所述晶体管主体的内部设置有连接电路，且连接电路的上端设置有断路器，所述连接电路的下端设置有熔断器，所述晶体管主体的表面开设有散热孔，所述晶体管主体的内部固定连接有散热片，所述连接电路的下端设置有分流器。该基于MOS晶体管的防击穿保护结构，与现有的普通晶体管相比，当电流进过连接电路时被外界连接的主控制器监测，当有过量的电流进入晶体管主体时断路器断开工作，从而防止了晶体管主体被击穿，当一次性电流过大时，断路器来不及工作，熔断器受电流高温加热被熔断开，从而保护了晶体管主体。

技术研发人员：唐文军
受保护的技术使用者：深圳市富临通实业股份有限公司
技术研发日：20230613
技术公布日：2024/1/15