集成电路结构的制作方法

本揭露关于集成电路结构。

背景技术：

1、由于各种电子组件(即晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，集成密度的这一改善来自于使得更多的组件可整合至给定面积中的最小特征尺寸的不断减小。

技术实现思路

1、根据本揭露的一些实施例，一种集成电路结构包含：形成于一基板上的一第一晶体管；该第一晶体管之上的一介电层；多个半导体柱，自该基板延伸至该介电层中；多个半导体插塞，自该介电层的一顶表面延伸至该介电层中，并延伸至所述多个半导体柱；一半导体结构，设置于该介电层的该顶表面上方；及形成于该半导体结构上的一第二晶体管。

2、根据本揭露的一些实施例，一种集成电路结构包含：一基板上的一第一晶体管；该第一晶体管上方的一互连结构，该互连结构包含在该基板之上垂直延伸的一导电连通柱及在该导电连通柱之上侧向延伸的一导电接线；自该基板向上延伸至高于该导电连通柱及该导电接线的一位置的一半导体柱；侧向围绕该半导体柱的一上部部分的一介电层；嵌入该介电层中并设置于该半导体柱上方的一半导体插塞；及该半导体插塞之上的一第二晶体管。

3、根据本揭露的一些实施例，一种集成电路结构包含：自一基板延伸的一半导体柱；在该基板上的一介电层；在该介电层中及该半导体柱上的一半导体插塞；及在该半导体插塞上的一晶体管。

技术特征：

1.一种集成电路结构，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，其中所述多个半导体柱各个具有高于所述第一晶体管的一最顶位置的一顶表面。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，其中所述第一晶体管具有一鳍片的一鳍式场效晶体管，且所述鳍式场效晶体管的所述鳍片具有低于所述多个半导体柱的一顶表面的一顶表面。

4.如权利要求1～3其中任一所述的集成电路结构，其特征在于，其中所述半导体结构是所述介电层的所述顶表面上的一半导体鳍片。

5.如权利要求1～3其中任一所述的集成电路结构，其特征在于，其中所述半导体结构为一半导体鳍片，且所述集成电路结构进一步包含：

6.如权利要求5所述的集成电路结构，其特征在于，其中所述自发成核抑制层具有与所述半导体鳍片的多个相对侧壁对准的多个相对侧壁。

7.如权利要求1～3其中任一所述的集成电路结构，其特征在于，其中所述多个半导体柱的高度大于所述多个半导体插塞的高度。

8.一种集成电路结构，其特征在于，包含：

9.如权利要求8所述的集成电路结构，其特征在于，其中所述半导体插塞具有分别与所述半导体柱的多个相对侧壁对准的多个相对侧壁。

10.一种集成电路结构，其特征在于，包含：

技术总结
一种集成电路结构，包括第一晶体管、介电层、多个半导体柱、多个半导体插塞、半导体结构、及第二晶体管。第一晶体管形成于基板上。介电层在第一晶体管之上。半导体柱自基板延伸至介电层。半导体插塞自介电层的顶表面延伸至介电层中，并延伸至多个半导体柱。半导体结构设置于介电层的顶表面上方。第二晶体管形成于半导体结构上。

技术研发人员：胡正明,陈冠能,黄柏苍,鍾昊东,施伯政,潘昱铭
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20230615
技术公布日：2024/1/25