彩色太阳能电池片、彩色电池组件和光伏系统的制作方法

文档序号:36110479发布日期:2023-11-22 13:45阅读:53来源:国知局
彩色太阳能电池片、彩色电池组件和光伏系统的制作方法

本技术涉及太阳能电池,尤其涉及一种彩色太阳能电池片、彩色电池组件和光伏系统。


背景技术:

1、在相关技术中,为了实现太阳能电池片的彩色化通常可采用传统绒面电池+介质膜层的彩色电池片或者采用抛光电池+介质膜层的彩色组件,然而,采用第一种方案时,在封装成组件后颜色较为暗淡,不够明亮。采用第二种方案时,虽然其颜色亮度高,但是反射率过高,导致组件功率低,同时,由于抛光表面晶向存在差异,使得存在亮暗均匀性问题。

2、因此,如何在保证彩色电池组件的功率的同时提高彩色电池组件的颜色鲜艳度成为了技术人员研究的技术问题。


技术实现思路

1、本实用新型提供一种彩色太阳能电池片、彩色电池组件和光伏系统,旨在解决如何在保证彩色电池组件的功率的同时提高彩色电池组件的颜色鲜艳度成为了技术人员研究的的技术问题。

2、本实用新型是这样实现的,本实用新型实施例的彩色太阳能电池片包括硅片,所述硅片具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面和/或第二避免上形成有若干凹坑,所述凹坑的深度小于50um,所述凹坑的宽度小于100um,所述凹坑的深度与所述凹坑的宽度的比值小于0.5。

3、更进一步地,若干所述凹坑随机排布或者阵列排布。

4、更进一步地,至少部分所述凹坑的深度大于或者等于0.1um。

5、更进一步地,所述凹坑的深度大于0.1um,小于1um。

6、更进一步地,所述凹坑的宽度大于0.2um。

7、更进一步地,所述凹坑的宽度小于1um。

8、更进一步地,所有所述凹坑在所述第一表面和/或所述第二表面上的投影面积与所述第一表面和/或所述第二表面的面积之间的比值大于或者等于20%。

9、更进一步地,所述凹坑的形状为圆形或者倒金字塔形。

10、更进一步地,在所述凹坑的形状为倒金字塔形时,所述凹坑的侧面与所述第一表面和/或所述第二表面之间的夹角小于45°。

11、本实用新型还提供一种彩色电池组件,所述彩色电池组件包括上述任一项所述的彩色太阳能电池片。

12、本实用新型还提供一种光伏系统,所述光伏系统包括上述任一项所述的彩色电池组件。

13、在本实用新型实施例的彩色太阳能电池片、彩色电池组件和光伏系统中,硅片的第一表面和/或第二表面上形成有若干凹坑,凹坑的深度小于50um,凹坑的宽度小于100um,凹坑的深度与凹坑的宽度的比值小于0.5。如此,在硅片的表面上形成若干凹坑,通过合理的配置凹坑的深度、宽度以及凹坑的深度与宽度的比值这些参数,相较于传统的绒面电池,可提高硅片的表面反射率,进而提升彩色太阳能电池片的颜色鲜艳度,而相较于传统的抛光电池片,则可以避免表面反射率过高而导致功率降低,也可以打乱硅片表面的晶向,从而消除硅片表面晶面晶向区别导致的亮暗色差,提升亮度的均匀性。

14、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。



技术特征:

1.一种彩色太阳能电池片,其特征在于,包括硅片,所述硅片具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面和/或第二避免上形成有若干凹坑,所述凹坑的深度小于50um,所述凹坑的宽度小于100um,所述凹坑的深度与所述凹坑的宽度的比值小于0.5。

2.根据权利要求1所述的彩色太阳能电池片,其特征在于,若干所述凹坑随机排布或者阵列排布。

3.根据权利要求1所述的彩色太阳能电池片,其特征在于,至少部分所述凹坑的深度大于或者等于0.1um。

4.根据权利要求3所述的彩色太阳能电池片,其特征在于,所述凹坑的深度大于0.1um,小于1um。

5.根据权利要求1所述的彩色太阳能电池片,其特征在于,所述凹坑的宽度大于0.2um。

6.根据权利要求5所述的彩色太阳能电池片,其特征在于,所述凹坑的宽度小于1um。

7.根据权利要求1所述的彩色太阳能电池片,其特征在于,所有所述凹坑在所述第一表面和/或所述第二表面上的投影面积与所述第一表面和/或所述第二表面的面积之间的比值大于或者等于20%。

8.根据权利要求1所述的彩色太阳能电池片,其特征在于,所述凹坑的形状为圆形或者倒金字塔形。

9.根据权利要求8所述的彩色太阳能电池片,其特征在于,在所述凹坑的形状为倒金字塔形时,所述凹坑的侧面与所述第一表面和/或所述第二表面之间的夹角小于45°。

10.一种彩色电池组件,其特征在于,包括若干权利要求1-9任一项所述的彩色太阳能电池片。

11.一种光伏系统,其特征在于,包括权利要求10所述的彩色电池组件。


技术总结
本技术适用于太阳能电池技术领域,提供了一种彩色太阳能电池片、彩色电池组件和光伏系统,硅片的第一表面和/或第二表面上形成有若干凹坑,凹坑的深度小于50um,凹坑的宽度小于100um,凹坑的深度与凹坑的宽度的比值小于0.5。如此,在硅片的表面上形成若干凹坑,通过合理的配置凹坑的深度、宽度以及凹坑的深度与宽度的比值这些参数,相较于传统的绒面电池,可提高硅片的表面反射率,进而提升彩色太阳能电池片的颜色鲜艳度,而相较于传统的抛光电池片,则可以避免表面反射率过高而导致功率降低,也可以打乱硅片表面的晶向,从而消除硅片表面晶面晶向区别导致的亮暗色差,提升亮度的均匀性。

技术研发人员:林文杰,邱开富,王永谦,赵威,刘壹博,陈刚
受保护的技术使用者:浙江爱旭太阳能科技有限公司
技术研发日:20230620
技术公布日:2024/1/15
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