发光二极管的制作方法

本技术属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术：

1、发光二极管(light-emitting diode，led)由于具有节能环保、安全耐用、光电转化率高、可控性强等特点，被广泛应用于显示器、汽车照明、通用照明背光源等相关领域。

2、常规的发光二极管的结构包括衬底、半导体叠层和电极，而为了促进电流在半导体叠层中的扩展，通常会在半导体叠层表面沉积一层电流扩展层。然而，随着业内对高功率发光二极管需求的增加，使得发光二极管的尺寸也不断变大，导致电流扩展层的电流扩展效果越来越有限。因此，现阶段通常采用扩展电极去增加电流扩展，来解决电流扩展差的问题。但是，扩展电极的设置会使得发光二极管的发光区域面积减小，从而影响发光二极管的出光效率。因此，需要设计另一种电流扩展层的结构来解决上述的问题。

技术实现思路

1、为了解决上述的技术问题，本实用新型提供一种发光二极管，既能保证较高的电流扩展效果，又能提高发光二极管的出光效率。具体技术方案如下：

2、发光二极管，包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层；

3、电流扩展层，所述电流扩展层位于所述半导体叠层上；

4、电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极与第一半导体层电连接，所述第二电极与第二半导体层电连接；其特征在于，所述电流扩展层包括复合膜层和位于复合膜层上的第一扩展层，所述复合膜层至少包括一对叠层，所述叠层包括第二扩展层和位于所述第二扩展层上的金属层，叠层具有多个凹部。

5、优选的，所述金属层的厚度小于第二扩展层的厚度。

6、优选的，所述第二扩展层的厚度范围为120埃～300埃，金属层的厚度范围为25埃～50埃。

7、优选的，所述凹部不贯穿第二扩展层。

8、优选的，所述叠层的对数不超过三对。

9、优选的，当叠层的对数大于一对时，相邻叠层的凹部为交错设置。

10、优选的，所述第一扩展层与第二扩展层的材料相同或不同。

11、优选的，所述第一扩展层的厚度与第二扩展层的厚度相同。

12、优选的，所述凹部的俯视形状为菱形、圆形、三角形、梯形、方形。

13、优选的，所述金属层的材料为金、银、铜或铝。

14、优选的，所述第一扩展层的上表面呈高、低起伏状。

15、本实用新型将传统的单一层的电流扩展层改进为由第一扩展层和复合膜层的组合设计，其中复合膜层至少包括一对叠层，针对叠层进行图案化处理形成凹部，并且在其内设置具有低电阻的金属层，使得发光二极管在具有较高电流扩展能力的同时，还能有效增加光出射，增加有效光的萃取面积，进而提高出光效率。

16、本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

技术特征：

1.发光二极管，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属层的厚度小于第二扩展层的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二扩展层的厚度范围为120埃～300埃，金属层的厚度范围为25埃～50埃。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述凹部不贯穿第二扩展层。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述叠层的对数不超过三对。

6.根据权利要求1或5所述的发光二极管，其特征在于，当叠层的对数大于一对时，相邻叠层的凹部为交错设置。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一扩展层与第二扩展层的材料相同或不同。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一扩展层的厚度与第二扩展层的厚度相同。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凹部的俯视形状为菱形、圆形、三角形、梯形、方形。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属层的材料为金、银、铜或铝。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一扩展层的上表面呈高、低起伏状。

技术总结
本技术属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括半导体叠层、电流扩展层和电极，电流扩展层包括复合膜层和位于复合膜层上的第一扩展层，所述复合膜层至少包括一对叠层，所述叠层包括第二扩展层和位于所述第二扩展层上的金属层，叠层具有多个凹部。本技术既能保证较高的电流扩展效果，又能提高发光二极管的出光效率。

技术研发人员：钱杰,蔡家豪,桂亮亮,李君杰,林兓兓
受保护的技术使用者：安徽三安光电有限公司
技术研发日：20230629
技术公布日：2024/1/15