倒装发光二极管及发光装置的制作方法

本申请涉及半导体制造，具体而言涉及倒装发光二极管及发光装置。

背景技术：

1、发光二极管(英文：light emitting diode，简称：led)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，led芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。led芯片可以分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。与传统的正装芯片相比，倒装led芯片结构是将二极管结构倒置，从蓝宝石一侧射出光线，而电极一侧可固定在散热更好的基板上。

2、目前，业内对倒装led芯片结构的开发均已全面的展开。然而，现有的倒装led芯片结构仍存在一些缺陷。具体来说，接触电极因其结构的特殊性，现有的技术一方面尚无法解决封装固晶时，顶针容易顶破位于顶针区域的接触电极而导致芯片异常的问题，另一方面也未给出若接触电极绕开顶针区域导致的电流变化引起的发光不均匀的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，为解决上述技术问题，本申请提供倒装发光二极管及发光装置。

2、为实现上述目的，本申请提供一种倒装发光二极管，该倒装发光二极管包括外延层、第一接触电极、第二接触电极、绝缘层、第一焊盘电极和第二焊盘电极。

3、外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层。第一接触电极电连接于第一半导体层，并位于第一半导体层上。第二接触电极电连接于第二半导体层，并位于第二半导体层上，第二接触电极包括电极连接部和延伸部，延伸部包括电极主支部和电极分叉部，电极主支部位于电极连接部和电极分叉部之间。绝缘层形成于外延层上且覆盖第一接触电极及第二接触电极。绝缘层设置有第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔暴露第一接触电极的至少部分区域，第二接触孔暴露电极连接部的至少部分区域。第一焊盘电极覆盖第一接触孔并延伸至第一接触孔内与第一接触电极电连接。第二焊盘电极，覆盖第二接触孔并延伸至第二接触孔内与电极连接部电连接。

4、其中，从倒装发光二极管的上方朝向外延层俯视，电极分叉部位于第二焊盘电极所覆盖区域与第一焊盘电极所覆盖区域之间，电极主支部位于第二焊盘电极所覆盖区域内部，电极主支部为一条。

5、为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供了一种发光装置，该发光装置包括上述的发光二极管。

6、有益效果：区别于现有技术，本申请中，由于第二接触电极中电极分叉部位于第二焊盘电极所覆盖区域与第一焊盘电极所覆盖区域之间，而电极主支部位于第二焊盘电极所覆盖区域内部，使得第二接触电极与第一接触电极之间能够预留出足够的顶针区域，用于顶针作业，而第二接触电极能够避开顶针区域，从而能够避免被顶针顶坏。且通过电极分叉部能够提升电流在发光层中的扩展，进而能够提高第一接触电极与第二接触电极间电流分布的均匀性，达到减少esd(electro-static discharge)爆点现象的发生。因此，本申请的倒装发光二极管具有更高的产品良率和更优的发光均匀性。

技术特征：

1.一种倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述延伸部包括连接所述电极主支部跟所述电极连接部的第一过渡段；

3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述延伸部包括第二过渡段，所述第二过渡段连接于所述电极主支部跟所述电极分叉部之间；

4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管，其特征在于，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第二过渡段在所述第二焊盘电极的覆盖区域之外或者覆盖区域之内。

5.根据权利要求2所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述电极分叉部包括电极第一分支和电极第二分支，所述电极第一分支和所述电极第二分支别沿着不同的方向延伸至各自的末端。

6.根据权利要求3所述的倒装发光二极管，其特征在于，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第二过渡段的长度为1～20微米。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的倒装发光二极管，其特征在于，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述延伸部的长度为小于所述的第二焊盘电极的宽度。

8.根据权利要求5所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述电极第一分支和所述电极第二分支均呈直线状，所述电极第一分支和所述电极第二分支分别与所述电极主支部垂直，所述电极第一分支和所述电极第二分支与所述电极主支部组合形成t型。

9.根据权利要求5所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述电极第一分支和所述电极第二分支的形状对称，所述电极第一分支和所述电极第二分支组合形成u型或者固定曲率半径的圆弧形。

10.根据权利要求5所述的倒装发光二极管，其特征在于，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述电极第一分支与所述倒装发光二极管的中心之间具有第一最小距离，所述电极第二分支与所述倒装发光二极管的中心之间具有第二最小距离；所述第一最小距离和第二最小距离均大于或等于30微米。

11.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一焊盘电极与所述第二焊盘电极之间具有第三最小距离，所述第三最小距离为所述倒装发光二极管长度的1/4～3/4。

12.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的第二接触电极与第二半导体层之间有且仅有一层透明导电层。

13.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管的形状为长方形，所述倒装发光二极管的长度不大于300微米。

14.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括权利要求1-12任意一项所述的倒装发光二极管。

技术总结
本申请公开了倒装发光二极管及发光装置，涉及半导体制造技术领域。倒装发光二极管包括外延层、第一接触电极、第二接触电极、绝缘层、第一焊盘电极和第二焊盘电极；外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一接触电极电连接于第一半导体层，并位于第一半导体层上；第二接触电极电连接于第二半导体层，并位于第二半导体层上，第二接触电极包括电极连接部、电极主支部和电极分叉部，其中，从倒装发光二极管的上方朝向外延层俯视，电极分叉部位于第二焊盘电极所覆盖区域与第一焊盘电极所覆盖区域之间，电极主支部位于第二焊盘电极所覆盖区域内部。本申请的倒装发光二极管具有更高的产品良率和更优的发光均匀性。

技术研发人员：吴美健,徐瑾,李宗林,严小勇,陈鑫
受保护的技术使用者：湖北三安光电有限公司
技术研发日：20230629
技术公布日：2024/3/12