一种基板结构的制作方法

文档序号:37558992发布日期:2024-04-18 11:21阅读:6来源:国知局
一种基板结构的制作方法

本技术涉及触摸屏,更具体地说,涉及一种基板结构。


背景技术:

1、在触摸屏制作过程中,产品的设计和产品的可靠性息息相关,在触摸屏制作过程中,有一道工序是将大片玻璃板切割成单粒sensor玻璃,所以在大片玻璃板设计时会加上一些切割标位,用于切割机抓标系统进行识别,以便精准的切出单粒触摸屏的尺寸(如下图1),如果标位出现氧化、损伤等不清晰、不完整的标位,会导致切割设备抓标不成功而不能进行切割(如下图2)。


技术实现思路

1、本实用新型提出一种基板结构,旨在解决现有技术中基板上切割标位容易出现氧化、损伤的情况发生。

2、具体的,本实用新型的技术方案为:一种基板结构,基板包括多个小粒传感器玻璃,小粒传感器玻璃包括切割标位,切割标位位于小粒传感器玻璃的四个角,其中,切割标位上设有一层保护层,保护层为i m层或oc层,保护层覆盖于切割标位上表面,保护层的设置可以有效保护切割标位不受氧化及损坏。

3、作为优选的技术方案,i m层的厚度为35~65nm,oc层的厚度为1.5~2.5μm。

4、作为优选的技术方案,oc层为透明树脂层。

5、作为优选的技术方案,保护层的边缘大于切割标位边缘0.5μm~1.0μm。防止保护层边缘损坏后,切割标位又受到影响。

6、作为优选的技术方案,基板包括i to层及mo-a l-mo层。

7、作为优选的技术方案,切割标位与mo-a l-mo层一体制成。

8、作为优选的技术方案,i to层包括第一i to层和第二i to层,第一i to层的折射率为2.0~2.2,第二i to层的折射率为1.4~1.5。

9、作为优选的技术方案,第一i to层或第二i to层在380~720nm的透射率大于等于90%。

10、作为优选的技术方案,基板为玻璃基板,玻璃基板的厚度为1.0mm~1.2mm。

11、作为优选的技术方案,切割标位呈十字形。

12、本实用新型相对于现有技术取得了以下技术效果:本实用新型通过在大片基板切割标位上表面覆盖一层保护层,有效解决了切割标位在因为时间的问题或环境的问题引起的氧化或损坏,进而影响后期切割为小粒传感器玻璃时,抓标对位不准的问题发生,影响生产效率及产品品质;进一步的,将第一i to层、第二i to层采用双重折射率匹配与补偿,使得可以很好的地消除第一i to层和第二i to层蚀刻纹明显的问题。



技术特征:

1.一种基板结构,其特征在于,所述基板包括多个小粒传感器玻璃,所述小粒传感器玻璃包括切割标位,所述切割标位位于所述小粒传感器玻璃的四个角,其中,所述切割标位上设有一层保护层,所述保护层为im层或oc层,所述保护层覆盖于所述切割标位上表面。

2.根据权利要求1所述的一种基板结构,其特征在于,所述im层的厚度为35~65nm,所述oc层的厚度为1.5~2.5μm。

3.根据权利要求2所述的一种基板结构,其特征在于,所述oc层为透明树脂层。

4.根据权利要求3所述的一种基板结构,其特征在于,所述保护层的边缘大于所述切割标位边缘0.5μm~1.0μm。

5.根据权利要求1所述的一种基板结构,其特征在于,所述基板包括ito层及mo-al-mo层。

6.根据权利要求5所述的一种基板结构,其特征在于,所述切割标位与所述mo-al-mo层一体制成。

7.根据权利要求5所述的一种基板结构,其特征在于,所述ito层包括第一ito层和第二ito层,所述第一ito层的折射率为2.0~2.2,所述第二ito层的折射率为1.4~1.5。

8.根据权利要求7所述的一种基板结构,其特征在于,所述第一ito层或第二ito层在380~720nm的透射率大于等于90%。

9.根据权利要求1所述的一种基板结构,其特征在于,所述基板为玻璃基板,所述玻璃基板的厚度为1.0mm~1.2mm。

10.根据权利要求1-9任一项所述的一种基板结构,其特征在于,所述切割标位呈十字形。


技术总结
本技术涉及一种基板结构,包括多个小粒传感器玻璃,小粒传感器玻璃包括切割标位,切割标位位于小粒传感器玻璃的四个角,其中,切割标位上设有一层保护层,保护层为I M层或OC层,保护层覆盖于切割标位上表面。I M层的厚度为35~65nm,OC层的厚度为1.5~2.5μm。保护层的边缘大于切割标位边缘0.5μm~1.0μm。防止保护层边缘损坏后,切割标位又受到影响。通过在大片基板切割标位上表面覆盖一层保护层,有效解决了切割标位在因为时间的问题或环境的问题引起的氧化或损坏,进而影响后期切割为小粒传感器玻璃时,抓标对位不准的问题发生。将第一、第二I TO层采用双重折射率匹配与补偿,可以很好的地消除蚀刻纹明显的问题。

技术研发人员:刘链谋,曾一鑫
受保护的技术使用者:信利光电股份有限公司
技术研发日:20230721
技术公布日:2024/4/17
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