低损耗耐强辐射射频电缆的制作方法

本技术属于电缆，具体涉及一种低损耗耐强辐射射频电缆。

背景技术：

1、射频电缆是传输射频范围内电磁能量的电缆，射频电缆是各种无线电通信系统及电子设备中不可缺少的元件，在无线通信、广播、电视、雷达、导航、计算机及仪表等方面具有广泛的应用，而应用于核电站ie级安全壳内核检测设备时，对射频电缆的辐照剂量的要求较高，而现有的射频电缆的辐照剂量较低，且电缆的衰减由介质损耗、导体损耗和辐射损耗三部分组成，而射频电缆作为高精密设备价格昂贵不便于经常更换，但现有射频电缆的包裹材料，不能避免射频电缆受环境影响导致内部温度升高，从而使介电损耗越大，降低导体的抗衰减能力，使得成品电缆衰减值较大，而射频电缆弯曲过度，则会因变形导致屏蔽层密度过大造成泄漏损耗，影响数据信号的传输，从而降低导体的抗衰减能力，因此需要一种能够解决上述问题的射频电缆。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种低损耗耐强辐射射频电缆，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现：一种低损耗耐强辐射射频电缆，包括内导体，所述内导体外侧设置有绝缘层，所述绝缘层外侧设置有隔温层，所述隔温层外侧设置有隔温带，所述隔温带外侧设置有屏蔽层，所述屏蔽层外侧设置有外护套。

3、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述内导体由镀银铜制成。

4、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述绝缘层由辐照交联聚乙烯制成。

5、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述隔温层由多个设置在绝缘层外侧且紧密排列的隔温管组成，隔温管内含有惰性气体，隔温管每隔1m闭合。

6、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述隔温带由聚酰亚胺与压延铝箔的复合材料制成，隔温带对隔温层的包裹方式为螺旋压覆缠绕。

7、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述屏蔽层由镀银铜线交叉编织而成。

8、作为本实用新型的一种优选技术方案，所述外护套由辐照交联聚烯烃制成。

9、本实用新型的有益效果为：

10、(1)通过设置内导体的材料为镀银铜，且镀银铜的导电率约为铜的105％，镀银铜的损耗比铜低；

11、(2)通过设置绝缘层为辐照交联聚乙烯材料，使得此绝缘层的累计剂量≥2000kgy，远高于核电用1e级要求的250kgy；介质损耗角正切值也比常规辐照交联聚乙烯要低，常规核电用辐照交联聚乙烯料损耗角正切值约为0.002，此次用材料的耗角正切值约为0.0003，使得成品电缆的衰减值大幅降低；

12、(3)通过设置条状的隔温层与隔热带，隔温层中的隔温管内充满惰性气体而膨胀，可以避免电缆的过度弯曲、变形导致屏蔽层密度过大造成泄漏损耗，影响数据信号的传输，从而提高导体的抗衰减能力，同时隔温管内的惰性气体及隔热带，可以有效避免射频电缆因受外界影响而内部温度升高，导致射频电缆的温度越高，从而使介电损耗越大，进一步提高内导体的抗衰减能力；

13、(4)通过设置外护套为辐照交联聚烯烃材料，辐照交联聚烯烃材料的辐照累计剂量≥2000kgy，也远高于核电用1e级要求的250kgy，进一步提高该射频电缆的耐强辐射性，提高射频电缆的耐磨性，减小电缆使用过程中的损耗。

技术特征：

1.一种低损耗耐强辐射射频电缆，其特征在于：包括内导体，所述内导体外侧设置有绝缘层，所述绝缘层外侧设置有隔温层，所述隔温层外侧设置有隔温带，所述隔温带外侧设置有屏蔽层，所述屏蔽层外侧设置有外护套。

2.根据权利要求1所述的低损耗耐强辐射射频电缆，其特征在于：所述内导体由镀银铜制成。

3.根据权利要求1所述的低损耗耐强辐射射频电缆，其特征在于：所述绝缘层由辐照交联聚乙烯制成。

4.根据权利要求1所述的低损耗耐强辐射射频电缆，其特征在于：所述隔温层由多个设置在绝缘层外侧且紧密排列的隔温管组成，所述隔温管内含有惰性气体，所述隔温管每隔1m闭合。

5.根据权利要求1所述的低损耗耐强辐射射频电缆，其特征在于：所述隔温带由聚酰亚胺与压延铝箔的复合材料制成，所述隔温带对隔温层的包裹方式为螺旋压覆缠绕。

6.根据权利要求1所述的低损耗耐强辐射射频电缆，其特征在于：所述屏蔽层由镀银铜线交叉编织而成。

7.根据权利要求1所述的低损耗耐强辐射射频电缆，其特征在于：所述外护套由辐照交联聚烯烃制成。

技术总结
本技术涉及一种低损耗耐强辐射射频电缆，属于射频电缆技术领域。包括内导体，所述内导体外侧设置有绝缘层，所述绝缘层外侧设置有隔温层，所述隔温层外侧设置有隔温带，所述隔温带外侧设置有屏蔽层，所述屏蔽层外侧设置有外护套。隔温层与隔热带的设置，可以避免电缆因过度弯曲、变形导致屏蔽层密度过大造成泄漏损耗，影响数据信号的传输，从而提高导体的抗衰减能力，同时避免射频电缆因受外界影响使其介电损耗越大，提高内导体的抗衰减能力，绝缘层采用辐照交联聚乙烯，可以提高该技术的辐照剂量，进而提高电缆的耐辐射程度，外护套为辐照交联聚烯烃，进一步提高该射频电缆的耐强辐射性。

技术研发人员：宋少亮
受保护的技术使用者：上海昕讯微波科技有限公司
技术研发日：20230724
技术公布日：2024/4/7