封装结构的制作方法

本技术的实施例涉及一种封装结构。

背景技术：

1、图1示出了现有技术的封装结构的俯视图，其中使用虚线示出了作为桥接/串接线路的不可见的大规模集成电路(large-scale integrated circuit，lsi circuit)5，图2示出了现有技术的封装结构的截面图，其中仅以一个第一半导体芯片1和一个第二半导体芯片2进行示意，在封装结构中常将第一半导体芯片1和第二半导体芯片2并排(side byside)设置。现有技术的封装结构虽然能增加封装结构的散热面积，但封装结构的横向(水平)尺寸较大。另外，现有技术的封装结构的电源路径及信号路径都设置在第一半导体芯片1、第二半导体芯片2的同一侧(下侧)，为了避免电源路径和信号路径相互干扰，采用电源线路与信号电路分开的设计，tiv 3比大规模集成电路5中的线路的线径粗，因此贯穿互连通孔(through interconnect via，tiv)3用作半导体衬底4至第一半导体芯片1、第二半导体芯片2的电源路径，大规模集成电路5用作第一半导体芯片1、第二半导体芯片2至半导体衬底4的信号路径，需要尽量拉开电源路径和信号路径之间的距离，以避免电源路径和信号路径相互干扰。然而，无论是为了增加散热面积的需求、还是为了将电源路径和信号路径之间的距离拉开的需求，都会造成封装结构的水平尺寸较大。如果将第一半导体芯片1和第二半导体芯片2堆叠设置以缩小封装结构的水平尺寸，封装结构的高度增加将使散热片距封装结构内部的热源较远，封装结构内部的热量较难从距离较远的散热片散出，导致散热效果不佳。

技术实现思路

1、针对相关技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种封装结构，以至少实现在减小封装结构的水平尺寸的基础上，改善散热效果。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了一种封装结构，包括：衬底；导热件，包括本体和延伸体，本体接触衬底，延伸体从本体朝衬底延伸，第一芯片和第二芯片，电连接导热件，第二芯片位于第一芯片上方，本体覆盖第二芯片的无源面，延伸体覆盖第一芯片的无源面。

3、在一些实施例中，衬底和导热件包围第一芯片和第二芯片。

4、在一些实施例中，延伸体将第一芯片和第二芯片隔开，第一芯片和第二芯片位于延伸体的相反两侧。

5、在一些实施例中，延伸体电连接第一芯片的无源面和第二芯片的有源面。

6、在一些实施例中，封装结构还包括：封装层，覆盖第一芯片的部分和第二芯片的部分，本体位于封装层的外侧，延伸体延伸到封装层的内部。

7、在一些实施例中，封装结构还包括：第一连接件，位于延伸体和第一芯片的无源面之间；第二连接件，位于第一芯片的有源面和衬底之间。

8、在一些实施例中，导热件和第一连接件构成衬底至第一芯片的供电路径，第二连接件构成第一芯片至衬底的信号传输路径。

9、在一些实施例中，延伸体具有连接本体的第一部、和连接第一部的第二部，第一部和第二部的延伸方向不同。

10、在一些实施例中，第二部沿水平方向延伸。

11、在一些实施例中，第一部沿竖直方向延伸。

12、在一些实施例中，在沿竖直方向的截面中，第一部和第二部一起呈倒置的t型。

13、在一些实施例中，第二芯片连接第二部的顶侧。

14、在一些实施例中，封装结构还包括：第三连接件，位于第二芯片的有源面和第二部之间；第四连接件，位于第二芯片的有源面和衬底之间。

15、在一些实施例中，导热件和第三连接件构成衬底至第二芯片的供电路径，第四连接件构成第二芯片至衬底的信号传输路径。

16、在一些实施例中，封装结构还包括：第三芯片，位于导热件的内侧并且电连接导热件，第一芯片和第三芯片位于第二部的相反两侧。

17、在一些实施例中，第二芯片和第三芯片位于第一部的相反两侧。

18、在一些实施例中，本体和延伸体围绕第三芯片。

19、在一些实施例中，延伸体还电连接第三芯片的有源面。

20、在一些实施例中，封装结构还包括：第五连接件，位于第三芯片的有源面和第二部之间；第六连接件，位于第三芯片的有源面和衬底之间。

21、在一些实施例中，导热件和第五连接件构成衬底至第三芯片的供电路径，第六连接件构成第三芯片至衬底的信号传输路径。

22、本实用新型的有益技术效果在于：

23、本申请实施例的封装结构的第二芯片位于第一芯片上方，将第一芯片、第二芯片堆叠设置以减小封装结构的水平尺寸，导热件的本体覆盖第二芯片的无源面，以实现对第二芯片的散热，导热件的延伸体覆盖第一芯片的无源面，以实现对第一芯片的散热，本申请的实施例在减小封装结构的水平尺寸的基础上，改善封装结构的散热效果。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述衬底和所述导热件包围所述第一芯片和所述第二芯片。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述延伸体将所述第一芯片和所述第二芯片隔开，所述第一芯片和所述第二芯片位于所述延伸体的相反两侧。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述延伸体电连接所述第一芯片的所述无源面和所述第二芯片的有源面。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述延伸体具有连接所述本体的第一部、和连接所述第一部的第二部，所述第一部和所述第二部的延伸方向不同。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第二部沿水平方向延伸。

8.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，在沿竖直方向的截面中，所述第一部和所述第二部一起呈倒置的t型。

9.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第二芯片连接所述第二部的顶侧。

10.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，还包括：

技术总结
本技术提供了一种封装结构，包括：衬底；导热件，包括本体和延伸体，本体接触衬底，延伸体从本体朝衬底延伸，第一芯片和第二芯片，电连接导热件，第二芯片位于第一芯片上方，本体覆盖第二芯片的无源面，延伸体覆盖第一芯片的无源面。本申请实施例的封装结构的第二芯片位于第一芯片上方，将第一芯片、第二芯片堆叠设置以减小封装结构的水平尺寸，导热件的本体覆盖第二芯片的无源面，以实现对第二芯片的散热，导热件的延伸体覆盖第一芯片的无源面，以实现对第一芯片的散热，本申请的实施例在减小封装结构的水平尺寸的基础上，改善封装结构的散热效果。

技术研发人员：黄家城,曾曼雯,谢孟伟
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：20230724
技术公布日：2024/2/25