一种低温升BDU结构的制作方法

本技术涉及新能源汽车电池包断路器，尤其涉及一种低温升bdu结构。

背景技术：

1、新能源汽车电池包断路器，即battery distribution unit，简称bdu。bdu内部集成了主继电器、预充继电器、保险管和检测元件等。随着快充电流的增大，以及整车电压等级的升高，如目前的新能源车的快充电流达到了400a-600a，系统电压达到了800v高压平台，使得狭小的bdu内部空间的发热量较大，继电器、铜排等导电部位的温升很快，对bdu的长时间稳定工作带来了不利影响。

2、公开号为cn115734589a的中国发明专利公开了一种bdu散热结构，该方案是通过增设散热翅片，并使铜排与外部连接点远离继电器的触点，但是这种结构将不可避免的增大bdu的体积，不利于电池模组的微型化和能量密度的提高。因此，针对性的提供一种针对内部紧凑结构的低温升结构的bdu，是很有必要的。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型提出了一种不改变bdu内部结构布局的低温升bdu结构。

2、本实用新型的技术方案是这样实现的：本实用新型提供了一种低温升bdu结构，包括：

3、电池包下壳体，设置有贯通的通道，通道轴向延伸方向的两侧间隔的设置有第一端面和第二端面；

4、至少一个箱体，固定设置在第一端面上，还嵌入通道内并朝第二端面延伸；

5、继电器单元，固定设置在至少一个箱体内，且继电器单元的触点沿着通道的轴向方向朝着第二端面延伸；继电器单元的触点与连接铜排的一端固定连接，连接铜排的另一端朝着远离继电器单元的触点的方向延伸并与至少一个箱体固定连接；

6、导热单元，与连接铜排靠近继电器单元的触点的一端相抵持，另一端伸出至少一个箱体外并朝第二端面方向延伸；

7、循环液冷单元，设置在电池包下壳体的第二端面上，并与导热单元远离连接铜排的端面相抵持，用于通过导热单元将连接铜排与继电器单元的触点处的热量进行交换。

8、在以上技术方案的基础上，优选的，所述导热单元包括第一本体和中空的凸起部，第一本体上设置有贯穿的第一通孔，凸起部设置在第一本体上且环绕第一通孔设置，凸起部的一端与第一本体固定连接，凸起部的另一端沿着通道的轴向方向延伸，并穿过至少一个箱体抵接在连接铜排的表面，继电器单元的触点还与凸起部固定连接；凸起部上设置有供继电器单元的触点穿过的第二通孔，凸起部轴向延伸方向的侧表面开设有第一缺口；凸起部内部分别与第一通孔、第二通孔和第一缺口相互连通。

9、优选的，所述导热单元还包括柔性导热垫；第一本体与循环液冷单元的表面间隙设置；柔性导热垫设置在第一本体和循环液冷单元相邻的表面之间，并分别与第一本体和循环液冷单元固定连接。

10、进一步优选的，所述循环液冷单元的表面还设置有绝缘膜层；绝缘膜层上设置有若干第三通孔，第三通孔的尺寸与柔性导热垫的轮廓相适应，柔性导热垫穿过第三通孔与液冷单元的表面固定连接。

11、进一步优选的，所述柔性导热垫的截面尺寸大于第一本体的截面尺寸。

12、进一步优选的，所述循环液冷单元包括液冷板、进水管和出水管；所述进水管和出水管沿着通道的轴向方向与液冷板密封连接，液冷板与伸入通道内的至少一个箱体的表面相抵持；所述液冷板上设置有若干液冷流道，若干液冷流道沿着通道的径向方向平行且间隔设置。

13、在以上技术方案的基础上，优选的，所述至少一个箱体包括上箱体和下箱体；上箱体与下箱体卡接固定；下箱体的侧表面设置有若干中空的环形卡接部，若干环形卡接部均对应设置有缓冲连接件，缓冲连接件将下箱体与电池包下壳体固定连接。

14、优选的，所述环形卡接部远离下箱体的一侧设置有第二缺口；缓冲连接件包括中空的第一环形段、第二环形段、第三环形段以及钢套，第一环形段、第二环形段、第三环形段同轴设置且相互连通，钢套顺次穿置在第一环形段、第二环形段和第三环形段内并与电池包下壳体紧固连接；钢套的外径不超过第二缺口的尺寸；第一环形段、第二环形段、第三环形段分别与钢套表面、环形卡接部的表面和电池包下壳体的表面过盈配合。

15、优选的，所述钢套包括柱状的第二本体和端盖，第二本体穿置在第一环形段、第二环形段和第三环形段内；端盖与第二本体固定连接，且抵持在第一环形段远离第二环形段的端面上，端盖的直径大于环形卡接部的中空部分的虚拟圆的直径。

16、在以上技术方案的基础上，优选的，所述电池包下壳体包括至少一对横梁和一对纵梁，所述至少一对横梁沿着水平方向平行且间隔设置，各纵梁分别与至少一对横梁相同延伸方向的端部固定连接；至少一对横梁和一对纵梁合围形成通道。

17、本实用新型提供的一种低温升bdu结构，相对于现有技术，具有以下有益效果：

18、(1)本方案通过设置导热结构的导热单元和循环液冷单元，能有效降低继电器单元在大电流下的温升程度，改善紧凑空间的发热量过大的问题；

19、(2)进一步设置的柔性导热垫配合缓冲连接件能够很好地降低继电器单元吸合的噪声，提高用户使用体验。

技术特征：

1.一种低温升bdu结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种低温升bdu结构，其特征在于，所述导热单元(4)包括第一本体(41)和中空的凸起部(42)，第一本体(41)上设置有贯穿的第一通孔(43)，凸起部(42)设置在第一本体(41)上且环绕第一通孔(43)设置，凸起部(42)的一端与第一本体(41)固定连接，凸起部(42)的另一端沿着通道(100)的轴向方向延伸，并穿过至少一个箱体(2)抵接在连接铜排(200)的表面，继电器单元(3)的触点还与凸起部(42)固定连接；凸起部(42)上设置有供继电器单元(3)的触点穿过的第二通孔(44)，凸起部(42)轴向延伸方向的侧表面开设有第一缺口(45)；凸起部(42)内部分别与第一通孔(43)、第二通孔(44)和第一缺口(45)相互连通。

3.根据权利要求2所述的一种低温升bdu结构，其特征在于，所述导热单元(4)还包括柔性导热垫(46)；第一本体(41)与循环液冷单元(5)的表面间隙设置；柔性导热垫(46)设置在第一本体(41)和循环液冷单元(5)相邻的表面之间，并分别与第一本体(41)和循环液冷单元(5)固定连接。

4.根据权利要求3所述的一种低温升bdu结构，其特征在于，所述循环液冷单元(5)的表面还设置有绝缘膜层(300)；绝缘膜层(300)上设置有若干第三通孔(50)，第三通孔(50)的尺寸与柔性导热垫(46)的轮廓相适应，柔性导热垫(46)穿过第三通孔(50)与液冷单元的表面固定连接。

5.根据权利要求3所述的一种低温升bdu结构，其特征在于，所述柔性导热垫(46)的截面尺寸大于第一本体(41)的截面尺寸。

6.根据权利要求3所述的一种低温升bdu结构，其特征在于，所述循环液冷单元(5)包括液冷板(51)、进水管(52)和出水管(53)；所述进水管(52)和出水管(53)沿着通道(100)的轴向方向与液冷板(51)密封连接，液冷板(51)与伸入通道(100)内的至少一个箱体(2)的表面相抵持；所述液冷板(51)上设置有若干液冷流道，若干液冷流道沿着通道(100)的径向方向平行且间隔设置。

7.根据权利要求1所述的一种低温升bdu结构，其特征在于，所述至少一个箱体(2)包括上箱体(21)和下箱体(22)；上箱体(21)与下箱体(22)卡接固定；下箱体(22)的侧表面设置有若干中空的环形卡接部(23)，若干环形卡接部(23)均对应设置有缓冲连接件(24)，缓冲连接件(24)将下箱体(22)与电池包下壳体(1)固定连接。

8.根据权利要求7所述的一种低温升bdu结构，其特征在于，所述环形卡接部(23)远离下箱体(22)的一侧设置有第二缺口(25)；缓冲连接件(24)包括中空的第一环形段(241)、第二环形段(242)、第三环形段(243)以及钢套(244)，第一环形段(241)、第二环形段(242)、第三环形段(243)同轴设置且相互连通，钢套(244)顺次穿置在第一环形段(241)、第二环形段(242)和第三环形段(243)内并与电池包下壳体(1)紧固连接；钢套(244)的外径不超过第二缺口(25)的尺寸；第一环形段(241)、第二环形段(242)、第三环形段(243)分别与钢套(244)表面、环形卡接部(23)的表面和电池包下壳体(1)的表面过盈配合。

9.根据权利要求8所述的一种低温升bdu结构，其特征在于，所述钢套(244)包括柱状的第二本体(2441)和端盖(2442)，第二本体(2441)穿置在第一环形段(241)、第二环形段(242)和第三环形段(243)内；端盖(2442)与第二本体(2441)固定连接，且抵持在第一环形段(241)远离第二环形段(242)的端面上，端盖(2442)的直径大于环形卡接部(23)的中空部分的虚拟圆的直径。

10.根据权利要求1所述的一种低温升bdu结构，其特征在于，所述电池包下壳体(1)包括至少一对横梁和一对纵梁，所述至少一对横梁沿着水平方向平行且间隔设置，各纵梁分别与至少一对横梁相同延伸方向的端部固定连接；至少一对横梁和一对纵梁合围形成通道(100)。

技术总结
本技术提供了一种低温升BDU结构，包括具有贯通通道的电池包下壳体，通道两侧间隔的设置有第一端面和第二端面；至少一个箱体固定设置在第一端面上，并朝第二端面延伸；继电器单元固定设置在至少一个箱体内，且继电器单元的触点沿着通道的轴向方向向着第二端面延伸；继电器单元的触点与连接铜排固定连接；导热单元与连接铜排靠近继电器单元的触点的一端相抵持，另一端伸出至少一个箱体外并朝第二端面方向延伸；循环液冷单元设置在电池包下壳体的第二端面上，并与导热单元远离连接铜排的端面相抵持，用于通过导热单元将连接铜排与继电器单元的触点处的热量进行交换。本方案能有效降低继电器在大电流下的温升，并降低继电器吸合噪声。

技术研发人员：严祖冬,杜朝晖,严俊飞,邵仁强,蒲小勇,张辉
受保护的技术使用者：武汉嘉晨电子技术有限公司
技术研发日：20230727
技术公布日：2024/2/6