硅片刻蚀装置的制作方法

本技术涉及半导体产品制作，尤其涉及一种硅片刻蚀装置。

背景技术：

1、12英寸大尺寸硅片在工艺监控和出货检测时，需要掌握硅片表面和背面的体金属含量，通常通过刻蚀的方法确定金属含量，现有对硅片的刻蚀方法，第一种是人员通过治具手工进行硅片刻蚀的方式进行，此种方式可用于金属含量较高的硅片，但是对于金属含量较低的硅片无法准确测量，会带来污染和损伤，同时需要使用大量化学试剂，不能实现硅片的准确刻蚀。第二种是采用自动化刻蚀设备对硅片进行处理，但是目前技术都是对硅片进行单面刻蚀，刻蚀时间很久，极大的影响了测试效率，不能实现双面同时刻蚀的功能，另外当有高金属含量的硅片刻蚀后，还会污染刻蚀腔体，无法快速回到正常水平。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种硅片刻蚀装置，解决硅片刻蚀效率低的问题。

2、为了达到上述目的，本实用新型实施例采用的技术方案是：一种硅片刻蚀装置，包括：

3、硅片固定结构，用于固定硅片的边缘；

4、设置于所述硅片固定结构的相对的两侧的两个壳体，每个所述壳体内设置有具有开口的容纳槽，每个所述壳体和所述硅片固定结构合围形成刻蚀腔，每个所述壳体上设置有与所述刻蚀腔连通的排气孔；

5、臭氧提供结构，用于向所述刻蚀腔提供臭氧，以使得固定于硅片固定结构内的硅片的两个表面生成二氧化硅层；

6、刻蚀液提供结构，用于向所述刻蚀腔提供刻蚀液，以对生成所述二氧化硅层的硅片进行刻蚀；

7、加热结构，用于对所述刻蚀腔进行加热。

8、可选的，在第一方向上，所述硅片固定结构包括相对接的第一固定部和第二固定部，所述第一固定部朝向所述第二固定部的一侧设置有第一弧形凹槽，所述第二固定部朝向所述第一固定部的一侧设置有第二弧形凹槽。

9、可选的，在第二方向上，所述第一固定部包括第一伸缩部分和第二伸缩部分，所述第一伸缩部分和所述第二伸缩部分能够在所述第二方向上弹性伸缩，以露出所述第二弧形凹槽，所述第二方向与所述第一方向相垂直。

10、可选的，所述第一伸缩部分和所述第二伸缩部分的结构相同，所述第一伸缩部分包括固定板、活动板和伸缩连接于所述固定板和所述活动板之间的伸缩杆。

11、可选的，所述第一固定部通过伸缩连接件与所述第二固定部伸缩连接，使得所述第一固定部可相对于所述第二固定部在所述第一方向上移动。

12、可选的，所述壳体中空设置，所述壳体内容纳有柱形件，所述柱形件内中空且敞口设置以形成所述容纳槽。

13、可选的，从一个壳体到另一个壳体的方向上，所述柱形件可移动的设置于所述壳体内。

14、可选的，所述臭氧提供结构包括臭氧发生器以及与所述臭氧发生器连接的氮气输入通道和氧气输入通道，所述臭氧发生器和所述刻蚀腔之间设置有过滤水槽。

15、可选的，所述过滤水槽和所述刻蚀腔之间设置有缓冲腔。

16、可选的，所述缓冲腔和所述刻蚀液提供结构之间连接有刻蚀液输入管路。

17、可选的，所述刻蚀腔上均匀分布有多个输入口，多个输入口通过连通管路与所述缓冲腔连通。

18、本实用新型的有益效果是：通过本实用新型的硅片刻蚀装置可对硅片进行双面刻蚀，且通过臭氧和硅反应生成二氧化硅层，加快刻蚀速率；通过加热结构的设置，使得刻蚀液更均匀的刻蚀硅片表面，同时可以避免刻蚀硅片后带来的硅片刻蚀装置污染的情况的发生。

技术特征：

1.一种硅片刻蚀装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，在第一方向上，所述硅片固定结构包括相对接的第一固定部和第二固定部，所述第一固定部朝向所述第二固定部的一侧设置有第一弧形凹槽，所述第二固定部朝向所述第一固定部的一侧设置有第二弧形凹槽。

3.根据权利要求2所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，在第二方向上，所述第一固定部包括第一伸缩部分和第二伸缩部分，所述第一伸缩部分和所述第二伸缩部分能够在所述第二方向上弹性伸缩，以露出所述第二弧形凹槽，所述第二方向与所述第一方向相垂直。

4.根据权利要求3所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述第一伸缩部分和所述第二伸缩部分的结构相同，所述第一伸缩部分包括固定板、活动板和伸缩连接于所述固定板和所述活动板之间的伸缩杆。

5.根据权利要求2所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述第一固定部通过伸缩连接件与所述第二固定部伸缩连接，使得所述第一固定部可相对于所述第二固定部在所述第一方向上移动。

6.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述壳体中空设置，所述壳体内容纳有柱形件，所述柱形件内中空且敞口设置以形成所述容纳槽。

7.根据权利要求6所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，从一个壳体到另一个壳体的方向上，所述柱形件可移动的设置于所述壳体内。

8.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述臭氧提供结构包括臭氧发生器以及与所述臭氧发生器连接的氮气输入通道和氧气输入通道，所述臭氧发生器和所述刻蚀腔之间设置有过滤水槽。

9.根据权利要求8所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述过滤水槽和所述刻蚀腔之间设置有缓冲腔；

10.根据权利要求9所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀腔上均匀分布有多个输入口，多个输入口通过连通管路与所述缓冲腔连通。

技术总结
本技术提供一种硅片刻蚀装置，包括：硅片固定结构，用于固定硅片的边缘；设置于硅片固定结构的相对的两侧的两个壳体，每个壳体内设置有具有开口的容纳槽，每个壳体和硅片固定结构合围形成刻蚀腔，每个壳体上设置有与刻蚀腔连通的排气孔；臭氧提供结构，用于向刻蚀腔提供臭氧，以使得固定于硅片固定结构内的硅片的两个表面生成二氧化硅层；刻蚀液提供结构，用于向刻蚀腔提供刻蚀液，以对生成二氧化硅层的硅片进行刻蚀；加热结构，用于对刻蚀腔进行加热。实现对硅片的双面刻蚀，且通过臭氧和硅反应生成二氧化硅层，加快刻蚀速率；通过加热结构的设置，可以避免刻蚀硅片后带来的硅片刻蚀装置污染的情况的发生。

技术研发人员：赵莉珍,何刚
受保护的技术使用者：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
技术研发日：20230728
技术公布日：2024/1/22